【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构的制造方法，且特别是涉及一种可与其他制作工艺进行整合的半导体元件结构的制造方法。
技术介绍
1、在目前的半导体结构的制作工艺中，不同的半导体元件及/或半导体构件常需要以不同制作工艺进行制作。然而，在此情况下，所需的制作工艺时间较长且制作工艺复杂度较高。因此，如何将不同制作工艺进行整合为不断努力的目标。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体元件结构，其可将半导体元件的制作工艺与其他制作工艺进行整合。
2、本专利技术提出一种半导体元件结构的制造方法，包括以下步骤。在基底上形成第一介电层。在第一介电层上形成相互连接的p型半导体层与n型半导体层。在p型半导体层与n型半导体层上形成第二介电层。在第二介电层中形成第一开口与第二开口。第一开口暴露出p型半导体层。第二开口暴露出n型半导体层。在第一开口中形成第一金属层，且在第二开口中形成第二金属层。第一金属层电连接于p型半导体层。第二金属层电连接于n型半导体层。将基底放置在电解液中，其中电解液覆盖第二介电层、第一金属层与第二金属层。对p型半导体层与n型半导体层进行照光处理，以在电解液中进行氧化反应与还原反应，其中通过氧化反应来移除第一开口中的部分第一金属层而形成空隙(void)，且通过还原反应来增加第二金属层的量。将基底从电解液中取出。在空隙中形成第一阻障层与导电层。第一阻障层位于导电层与第一金属层之间。
3、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件结构的制造方法中，p型半导体层与n型
4、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在第一金属层与第二介电层之间以及第一金属层与p型半导体层之间形成第二阻障层，且在第二金属层与第二介电层之间以及第二金属层与n型半导体层之间形成第三阻障层。
5、依照本专利技术的一实施例所述，在上述半导体元件结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在形成第一阻障层与导电层之前，移除位于第二开口的外部的第二金属层。在第二金属层、导电层与第一阻障层上形成第三介电层。在第三介电层中形成第一内连线结构与第二内连线结构。第一内连线结构电连接于导电层，且第二内连线结构电连接于第二金属层。
6、本专利技术提出另一种半导体元件结构的制造方法，包括以下步骤。在基底上形成第一介电层。在第一介电层上形成相互连接的p型半导体层与n型半导体层。在p型半导体层与n型半导体层上形成第二介电层。在第二介电层中形成第一开口与第二开口。第一开口暴露出p型半导体层。第二开口暴露出n型半导体层。在第一开口中形成第一金属层，且在第二开口中形成第二金属层。第一金属层电连接于p型半导体层。第二金属层电连接于n型半导体层。将基底放置在电解液中，其中电解液覆盖第二介电层、第一金属层与第二金属层。对p型半导体层与n型半导体层进行照光处理，以在电解液中进行氧化反应与还原反应，其中通过氧化反应来移除第一开口中的至少部分第一金属层而形成空隙，且通过还原反应来增加第二金属层的量。将基底从电解液中取出。在空隙中形成电容器。
7、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体元件结构的制造方法中，p型半导体层与n型半导体层可为一体成型。
8、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体元件结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在第一金属层与第二介电层之间以及第一金属层与p型半导体层之间形成第一阻障层，且在第二金属层与第二介电层之间以及第二金属层与n型半导体层之间形成第二阻障层。
9、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体元件结构的制造方法中，氧化反应可完全移除第一金属层。
10、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体元件结构的制造方法中，电容器可包括第一电极层、第二电极层与第三介电层。第一电极层可电连接于p型半导体层。第二电极层位于第一电极层上。第三介电层位于第一电极层与第二电极层之间。
11、依照本专利技术的另一实施例所述，在上述半导体元件结构的制造方法中，还可包括以下步骤。在形成电容器之前，移除位于第二开口的外部的第二金属层。在电容器与第二金属层上形成第四介电层。在第四介电层中形成第一内连线结构与第二内连线结构。第一内连线结构电连接于第二电极层，且第二内连线结构电连接于第二金属层。
12、基于上述，在本专利技术所提出的半导体元件结构的制造方法中，在第一开口中形成第一金属层，在第二开口中形成第二金属层，第一金属层电连接于p型半导体层，且第二金属层电连接于n型半导体层。接着，将基底放置在电解液中，其中电解液覆盖第一金属层与第二金属层。然后，对p型半导体层与n型半导体层进行照光处理，以在电解液中进行氧化反应与还原反应。通过氧化反应来移除第一开口中的至少部分第一金属层而形成空隙，且通过还原反应来增加第二金属层的量。接着，可在空隙中形成半导体元件(如，电容器或熔丝元件)。由此，可将上述半导体元件的制作工艺与其他制作工艺(如，内连线制作工艺)进行整合。此外，由于通过氧化反应来移除第一开口中的至少部分第一金属层，因此可增加制作工艺能力与制作工艺弹性。
13、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
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1.一种半导体元件结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，其中所述P型半导体层与N型半导体层为一体成型。
3.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
4.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
5.一种半导体元件结构的制造方法，包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件结构的制造方法，其中所述P型半导体层与N型半导体层为一体成型。
7.如权利要求5所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
8.如权利要求5所述的半导体元件结构的制造方法，其中所述氧化反应完全移除所述第一金属层。
9.如权利要求5所述的半导体元件结构的制造方法，其中所述电容器包括：
10.如权利要求9所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件结构的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，其中所述p型半导体层与n型半导体层为一体成型。
3.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
4.如权利要求1所述的半导体元件结构的制造方法，还包括：
5.一种半导体元件结构的制造方法，包括：
6.如权利要求5所述的半导体元件...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建郎，车行远，吴景修，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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