【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电共封装领域，具体涉及一种硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法及互连装置。
技术介绍
1、硅光集成芯片的封装意义在于保护芯片、增强电热性能，同时实现芯片与外部电路的有效连接。
2、相关技术中，方法一，对于传统的硅光集成芯片的封装，首先是将芯片和过渡传输基板(高频电路板)正装贴装在一个载体上，然后采用金丝键合技术实现芯片电极与过渡传输基板间的信号互连。方法二，当硅光集成芯片与过渡传输基板间采用倒装工艺进行信号的传输封装。
3、但是，方法一中，在硅光集成芯片与过渡传输基板的互连处，随着频率的提高，金丝键合的寄生电感效应也会明显加剧，从而会造成阻抗不匹配，因此，金丝互连难以支持更高的信号传输速率；方法二中，采用倒装工艺进行信号的传输封装时，在实际操作中却无法进行后续的光纤耦合对准了。
技术实现思路
1、本申请提供一种硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法及互连装置，使硅光集成芯片在正装贴装在载板上，实现光纤与硅光集成芯片光波导结构的耦合对准，同时能提高硅光集成芯片与过渡传输基板(高频电路板)间的互连性能，避免出现阻抗不匹配的问题，从而提高信号的传输速率。
2、第一方面，本申请实施例提供一种硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其包括以下步骤：
3、利用电磁场仿真分析软件计算出互连装置的几何尺寸，使得互连装置、硅光集成芯片和和过渡传输基板的阻抗匹配；
4、真空吸取互连装置的互连基板，来调整互连基板上的凸点与硅光集成芯片的
5、对标记对准后的凸点及焊盘进行焊接，实现互连装置、硅光集成芯片和过渡传输基板的电性连接；
6、给硅光集成芯片加载控制信号，使硅光集成芯片有源耦合对准，最终完成硅光集成芯片的光电集成封装。
7、结合第一方面，在一种实施方式中，所述真空吸取互连装置的互连基板，来调整互连基板上的凸点与硅光集成芯片的焊盘和过渡传输基板的焊盘标记对准，包括：
8、利用倒装焊设备的吸嘴真空吸取互连装置的互连基板，来调整互连基板上的凸点与硅光集成芯片的焊盘和过渡传输基板的焊盘标记对准。
9、结合第一方面，在一种实施方式中，所述对标记对准后的凸点及焊盘进行焊接，实现互连装置、硅光集成芯片和过渡传输基板的电性连接，包括：
10、对标记对准后的凸点及焊盘进行回流焊接，实现互连装置、硅光集成芯片和过渡传输基板的电性连接。
11、结合第一方面，在一种实施方式中，在所述给硅光集成芯片加载控制信号，使硅光集成芯片有源耦合对准，最终完成硅光集成芯片的光电集成封装之前，包括：
12、将互连装置、硅光集成芯片和过渡传输基板置于耦合台。
13、结合第一方面，在一种实施方式中，在所述真空吸取互连装置的互连基板，来调整互连基板上的凸点与硅光集成芯片的焊盘和过渡传输基板的焊盘标记对准之前，包括：
14、将硅光集成芯片和过渡传输基板正装放置于载板上，使硅光集成芯片和过渡传输基板射频电极对齐。
15、结合第一方面，在一种实施方式中，在所述将硅光集成芯片和过渡传输基板正装放置于载板上，使硅光集成芯片和过渡传输基板射频电极对齐之后，还包括：
16、将硅光集成芯片和过渡传输基板点胶固化于载板上。
17、结合第一方面，在一种实施方式中，几何尺寸包括互连基板的厚度、电传输线s极宽度、g极宽度和g极与s极的间距，以及凸点的高度和直径。
18、结合第一方面，在一种实施方式中，硅光集成芯片的焊盘电极为gsg型电极，过渡传输基板的焊盘电极为gsg型电极。
19、结合第一方面，在一种实施方式中，硅光集成芯片的焊盘电极为gs型电极，过渡传输基板的焊盘电极为gsg型电极。
20、第二方面，本申请实施例提供一种互连装置，其包括：
21、互连基板，所述互连基板的一侧设置有电传输线，所述电传输线的两端均固定有凸点，所述电传输线的两端凸点用于连接于硅光集成芯片和过渡传输基板对应连接的电极之间。
22、本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
23、硅光集成芯片与过渡传输基板的互连装置，相对于传统通过金丝键合互连的方法，可以显著改善阻抗失配的问题，从而提升硅光集成芯片与过渡传输基板的互连性能，支持更高的信号传输速率。可以实现硅光集成芯片电极与过渡传输基板的信号互连，在硅光集成芯片正装的条件下结合给芯片加载控制信号，最终实现硅光集成芯片的有源耦合对准，避免了倒装硅光集成芯片难以实现光纤与芯片光波导结构的耦合对准问题。
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1.一种硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，其包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
6.如权利要求5所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
7.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
8.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
9.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
10.一种互连装置，其特征在于，其包括：
【技术特征摘要】
1.一种硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，其包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的硅光集成芯片与高频过渡基板的连接方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪阳，王若彤，王栋，吴邈，焦凯，陈世平，严杰，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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