【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，更具体而言涉及设计和形成用于集成电路的包括晶体管器件的单元。
技术介绍
1、在设计和形成集成电路结构时，利用每单位单元给定数量的晶体管开发标准单位单元库。在关于晶体管的互连层中还可以使用多个信号轨道，以形成通往各晶体管元件的连接。随着器件和单位单元变得越来越小，使可用空间最大化并且同时减小寄生效应变得困难。因此，为了改进ppa(功率、性能和面积)性能，相对于设计集成电路结构各个单元的布局仍然有多个不可忽视的挑战。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体主体包括一个或多个第一半导体纳米带，并且所述第二半导体主体包括一个或多个第二半导体纳米带。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述一个或多个第一半导体纳米带和所述一个或多个第二半导体纳米带包括锗、硅、或其任意组合。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括沿不同于所述第一方向的第二方向并且沿相邻行的第一单元和/或第二单元之间的边界纵向延伸的栅极切口。
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述第一方向与所述第二方向正交。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述至少一个第一单元的所述两个或更多个晶体管器件的第三晶体管器件包括具有所述第二宽度的第三半导体主体。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述至少一个第一单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体管器件包括具有基本相同的第一宽度的相应半导体主体，并且所述至少一个第二单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体管器件包括具有基本相同
8.根据权利要求1-7中的任一项所述的集成电路结构，还包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一多个导电层由四个导电层构成，并且所述第二多个导电层由三个导电层构成。
10.根据权利要求1-7中的任一项所述的集成电路结构，其中，沿所述第一方向的所述第二宽度比所述第一宽度短至少10nm。
11.一种印刷电路板，所述印刷电路板包括根据权利要求1-7中的任一项所述的集成电路结构。
12.一种集成电路设计系统，包括：
13.根据权利要求12所述的集成电路设计系统，其中，所述设计包括设计沿不同于所述第一方向的第二方向并且沿相邻行的第一单元和/或第二单元之间的边界纵向延伸的栅极切口。
14.根据权利要求12所述的集成电路设计系统，其中，所述至少一个第一单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体管器件包括具有基本相同的第一宽度的相应半导体主体，并且所述至少一个第二单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体管器件包括具有基本相同的第二宽度的相应半导体主体。
15.根据权利要求12-14中的任一项所述的集成电路设计系统，其中，所述方法还包括：
16.一种集成电路结构，包括：
17.根据权利要求16所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体主体包括一个或多个第一半导体纳米带，并且所述第二半导体主体包括一个或多个第二半导体纳米带。
18.根据权利要求17所述的集成电路结构，其中，所述一个或多个第一半导体纳米带和所述一个或多个第二半导体纳米带包括锗、硅、或其任意组合。
19.根据权利要求16所述的集成电路结构，还包括沿不同于所述第一方向的第二方向并且沿相邻行的第一单元和/或第二单元之间的边界纵向延伸的栅极切口。
20.根据权利要求19所述的集成电路结构，其中，所述第一方向与所述第二方向正交。
21.根据权利要求16所述的集成电路结构，其中，所述至少一个第一单元的所述两个或更多个晶体管器件的第三晶体管器件包括具有所述第二宽度的第三半导体主体。
22.根据权利要求16-21中的任一项所述的集成电路结构，其中，所述至少一个第一单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体管器件包括具有基本相同的第一宽度的相应半导体主体，并且所述至少一个第二单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体管器件包括具有基本相同的第二宽度的相应半导体主体。
23.根据权利要求22所述的集成电路结构，还包括多个第三单元，每个第三单元具有沿所述第一方向的基本相同的相应高度，其中，每个第三单元具有相应两个或更多个晶体管器件，其中，所述多个第三单元布置成一个或多个第三行，并且其中，至少一个第三单元的所述两个或更多个晶体管器件中的至少一个晶体管器件包括具有基本相同的第一宽度的相应半导体主体，并且所述至少一个第三单元的所述两个或更多个晶体管器件中的至少一个晶体管器件包括具有基本相同的第二宽度的相应半导体主体。
24.根据权利要求16-21中的任一项所述的集成电路结构，其中，沿所述第一方向的所述第二宽度比所述第一宽度短至少10nm。
25.一种印刷电路板，所述印刷电路板包括根据权利要求16-21中的任一项所述的集成电路结构。
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一半导体主体包括一个或多个第一半导体纳米带，并且所述第二半导体主体包括一个或多个第二半导体纳米带。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述一个或多个第一半导体纳米带和所述一个或多个第二半导体纳米带包括锗、硅、或其任意组合。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括沿不同于所述第一方向的第二方向并且沿相邻行的第一单元和/或第二单元之间的边界纵向延伸的栅极切口。
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述第一方向与所述第二方向正交。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述至少一个第一单元的所述两个或更多个晶体管器件的第三晶体管器件包括具有所述第二宽度的第三半导体主体。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述至少一个第一单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体管器件包括具有基本相同的第一宽度的相应半导体主体，并且所述至少一个第二单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体管器件包括具有基本相同的第二宽度的相应半导体主体。
8.根据权利要求1-7中的任一项所述的集成电路结构，还包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述第一多个导电层由四个导电层构成，并且所述第二多个导电层由三个导电层构成。
10.根据权利要求1-7中的任一项所述的集成电路结构，其中，沿所述第一方向的所述第二宽度比所述第一宽度短至少10nm。
11.一种印刷电路板，所述印刷电路板包括根据权利要求1-7中的任一项所述的集成电路结构。
12.一种集成电路设计系统，包括：
13.根据权利要求12所述的集成电路设计系统，其中，所述设计包括设计沿不同于所述第一方向的第二方向并且沿相邻行的第一单元和/或第二单元之间的边界纵向延伸的栅极切口。
14.根据权利要求12所述的集成电路设计系统，其中，所述至少一个第一单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体管器件包括具有基本相同的第一宽度的相应半导体主体，并且所述至少一个第二单元的所述两个或更多个晶体管器件中的每个晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·叶梅尼乔格鲁，D·斯托特，TH·吴，X·王，R·布雷恩，CH·陈，S·文卡塔拉曼，Q·石，N·R·弗拉狄米罗维奇，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。