【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造设备，尤其涉及一种半导体镀膜设备及其喷淋装置和使用方法。
技术介绍
1、在半导体镀膜设备中，当对基体表面进行镀膜时，至少需要两种反应气体通过喷淋装置交替进入反应室然后在基体表面分别发生反应，即化学吸附反应和表面化学反应而形成薄膜，为保证薄膜的均匀性和成膜质量，喷淋装置的内部采用多层结构来形成两个互相隔离的气体通道，气体分配室沿着喷淋装置正方向剖面的形状是长方形，由于气体通道中的气体流通方向与气体分配室中气体扩散的方向为直角，这样会导致气体在气体分配室的流通不太顺畅，进而导致气体无法快速且均匀地扩散在气体分配室中，最终导致薄膜的厚度不均匀。
2、因此，有必要开发一种半导体镀膜设备及其喷淋装置和使用方法以解决现有技术中存在的上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体镀膜设备及其喷淋装置和使用方法，解决了现有的喷淋装置中气体无法快速在气体分配室中扩散从而使得薄膜的厚度不均匀的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种喷淋装置，应用于半导体镀膜设备，所述喷淋装置包括喷淋模块，以及设于所述喷淋模块上的进气模块，所述喷淋模块包括具有安装槽的喷淋板，以及设于所述安装槽内的喷淋盖板，所述喷淋盖板靠近所述安装槽一侧的表面为内凹面，所述内凹面从远离所述进气模块一侧到靠近所述进气模块一侧的凹陷程度越大，所述内凹面与所述安装槽的底壁之间形成喇叭形的第一气体分配室。
3、本专利技术所述的喷淋装置的有益效果在于：本专利技术
4、可选的，所述喷淋盖板包括若干个引导孔，若干个所述引导孔倾斜设置于所述喷淋盖板上且贯穿所述喷淋盖板，所述进气模块通入的气体通过若干个所述引导孔加速引导到所述第一气体分配室。其有益效果在于：在喷淋盖板上开设若干个引导孔，使得气体能够快速通过进气模块然后进入第一气体分配室。
5、可选的，所述喷淋板的底部开设有第二气体分配室，所述第一气体分配室与所述第二气体分配室不连通。
6、可选的，所述进气模块包括进气本体，所述进气本体固定设置于所述喷淋盖板，所述进气本体与所述第一气体分配室的气体进口密封设置。
7、可选的，所述进气本体上开设有第一进气通道和第二进气通道，所述第一进气通道环设于所述第二进气通道的外周且所述第一进气通道与所述第二进气通道同轴设置，气体通过所述第一进气通道进入到所述第一气体分配室，气体通过所述第二进气通道进入到所述第二气体分配室。
8、可选的，所述喷淋板开设有若干第一通气孔，若干所述第一通气孔均匀分布于所述喷淋板且若干所述第一通气孔贯穿所述喷淋板，所述第一气体分配室的气体通过若干所述第一通气孔流入到反应腔。
9、可选的，所述第一通气孔包括大直径通气孔和小直径通气孔，所述大直径通气孔与所述小直径通气孔贯通，所述大直径通气孔位于靠近所述第一气体分配室一侧的所述喷淋板上。
10、可选的，所述大直径通气孔的直径为所述小直径通气孔的直径的1-3倍。
11、可选的，所述喷淋板开设有若干第二通气孔，所述第二进气通道的气体通过若干所述第二通气孔流入到所述第二气体分配室。
12、可选的，所述大直径通气孔的直径小于所述第二通气孔的直径。
13、可选的，所述第二通气孔的直径为所述大直径通气孔的直径的2-6倍。
14、可选的，所述喷淋板开设有若干第三通气孔，若干所述第三通气孔均匀分布于所述喷淋板，所述第二气体分配室的气体通过若干所述第三通气孔流入到反应腔。
15、可选的，所述小直径通气孔的直径与所述第三通气孔的直径相同。
16、可选的，围设在所述第一气体分配室周围的所述喷淋板上开设有加热结构，所述加热结构用于放置加热件。
17、可选的，所述加热结构为若干个加热槽，若干个所述加热槽倾斜设置于所述喷淋板上，所述加热件为若干个加热棒，若干个所述加热棒放置于若干个所述加热槽内。
18、可选的，围设在所述第一气体分配室周围的所述喷淋板上开设有环形槽，所述环形槽用于通入第一冷却物质。
19、可选的，所述喷淋装置还包括隔热板，所述隔热板与所述喷淋盖板固定连接，所述隔热板上开设有第二冷却结构，所述第二冷却结构用于放置第二冷却物质。
20、可选的，所述喷淋盖板上开设有第三冷却结构，所述第三冷却结构用于放置第三冷却物质。
21、可选的，所述喷淋装置还包括第一除气模块和第二除气模块，所述第一除气模块和所述第二除气模块固定设置于所述喷淋盖板，所述第一除气模块包括第一除气通道和第一除气阀，所述第一除气通道与所述第一气体分配室连通，所述第一除气阀设置在所述第一除气通道用于控制所述第一除气通道的通断，所述第二除气模块包括第二除气通道和第二除气阀，所述第二除气通道与所述第二气体分配室连通，所述第二除气阀设置在所述第二除气通道用于控制所述第二除气通道的通断。
22、本专利技术又提供了一种半导体镀膜设备，包括所述喷淋装置和反应室，所述喷淋装置设置于所述反应室的上方。
23、本专利技术所述的半导体镀膜设备的有益效果在于：气体通过所述喷淋装置中的第一气体分配室，从而使得气体快速在第一气体分配室内快速扩散，然后气体快速且均匀通过喷淋装置，通过使用本专利技术的半导体镀膜设备能够得到厚度均匀的薄膜。
24、本专利技术同时提供了一种半导体镀膜设备的使用方法，包括以下步骤：气体通过所述喷淋装置进入所述反应室以使气体与所述反应室内的晶圆进行反应以在晶圆上得到厚度均匀的薄膜。
25、本专利技术所述的半导体镀膜设备的使用方法的有益效果在于：气体通过所述喷淋装置，能够使得气体快速且均匀地与反应室内的晶圆表面进行反应，最终在晶圆表面得到厚度均匀的薄膜。
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1.一种喷淋装置，应用于半导体镀膜设备，其特征在于，所述喷淋装置包括喷淋模块，以及设于所述喷淋模块上的进气模块，所述喷淋模块包括具有安装槽的喷淋板，以及设于所述安装槽内的喷淋盖板，所述喷淋盖板靠近所述安装槽一侧的表面为内凹面，所述内凹面从远离所述进气模块一侧到靠近所述进气模块一侧的凹陷程度越大，所述内凹面与所述安装槽的底壁之间形成喇叭形的第一气体分配室。
2.根据权利要求1所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋盖板包括若干个引导孔，若干个所述引导孔倾斜设置于所述喷淋盖板上且贯穿所述喷淋盖板，所述进气模块通入的气体通过若干个所述引导孔加速引导到所述第一气体分配室。
3.根据权利要求1或2所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋板的底部开设有第二气体分配室，所述第一气体分配室与所述第二气体分配室不连通。
4.根据权利要求3所述的喷淋装置，其特征在于，所述进气模块包括进气本体，所述进气本体固定设置于所述喷淋盖板，所述进气本体与所述第一气体分配室的气体进口密封设置。
5.根据权利要求4所述的喷淋装置，其特征在于，所述进气本体上开设有第一进气通道和
6.根据权利要求5所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋板开设有若干第一通气孔，若干所述第一通气孔均匀分布于所述喷淋板且若干所述第一通气孔贯穿所述喷淋板，所述第一气体分配室的气体通过若干所述第一通气孔流入到反应腔。
7.根据权利要求6所述的喷淋装置，其特征在于，所述第一通气孔包括大直径通气孔和小直径通气孔，所述大直径通气孔与所述小直径通气孔贯通，所述大直径通气孔位于靠近所述第一气体分配室一侧的所述喷淋板上。
8.根据权利要求7所述的喷淋装置，其特征在于，所述大直径通气孔的直径为所述小直径通气孔的直径的1-3倍。
9.根据权利要求7所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋板开设有若干第二通气孔，所述第二进气通道的气体通过若干所述第二通气孔流入到所述第二气体分配室。
10.根据权利要求9所述的喷淋装置，其特征在于，所述大直径通气孔的直径小于所述第二通气孔的直径。
11.根据权利要求9所述的喷淋装置，其特征在于，所述第二通气孔的直径为所述大直径通气孔的直径的2-6倍。
12.根据权利要求7所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋板开设有若干第三通气孔，若干所述第三通气孔均匀分布于所述喷淋板，所述第二气体分配室的气体通过若干所述第三通气孔流入到反应腔。
13.根据权利要求12所述喷淋装置，其特征在于，所述小直径通气孔的直径与所述第三通气孔的直径相同。
14.根据权利要求1所述的喷淋装置，其特征在于，围设在所述第一气体分配室周围的所述喷淋板上开设有加热结构，所述加热结构用于放置加热件。
15.根据权利要求14所述的喷淋装置，其特征在于，所述加热结构为若干个加热槽，若干个所述加热槽倾斜设置于所述喷淋板上，所述加热件为若干个加热棒，若干个所述加热棒放置于若干个所述加热槽内。
16.根据权利要求1所述的喷淋装置，其特征在于，围设在所述第一气体分配室周围的所述喷淋板上开设有环形槽，所述环形槽用于通入第一冷却物质。
17.根据权利要求1所述的喷淋装置，其特征在于，还包括隔热板，所述隔热板与所述喷淋盖板固定连接，所述隔热板上开设有第二冷却结构，所述第二冷却结构用于放置第二冷却物质。
18.根据权利要求1所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋盖板上开设有第三冷却结构，所述第三冷却结构用于放置第三冷却物质。
19.根据权利要求3所述的喷淋装置，其特征在于，还包括第一除气模块和第二除气模块，所述第一除气模块和所述第二除气模块固定设置于所述喷淋盖板，所述第一除气模块包括第一除气通道和第一除气阀，所述第一除气通道与所述第一气体分配室连通，所述第一除气阀设置在所述第一除气通道用于控制所述第一除气通道的通断，所述第二除气模块包括第二除气通道和第二除气阀，所述第二除气通道与所述第二气体分配室连通，所述第二除气阀设置在所述第二除气通道用于控制所述第二除气通道的通断。
20.一种半导体镀膜设备，其特征在于，包括权利要求1-19任一项所述的喷淋装置和反应室，所述喷淋装置设置于所述反应室的上方。
21.一种权利要求20所述的半导体镀膜设备的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：气体通过所述喷淋装置进入所述反应室以使...
【技术特征摘要】
1.一种喷淋装置，应用于半导体镀膜设备，其特征在于，所述喷淋装置包括喷淋模块，以及设于所述喷淋模块上的进气模块，所述喷淋模块包括具有安装槽的喷淋板，以及设于所述安装槽内的喷淋盖板，所述喷淋盖板靠近所述安装槽一侧的表面为内凹面，所述内凹面从远离所述进气模块一侧到靠近所述进气模块一侧的凹陷程度越大，所述内凹面与所述安装槽的底壁之间形成喇叭形的第一气体分配室。
2.根据权利要求1所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋盖板包括若干个引导孔，若干个所述引导孔倾斜设置于所述喷淋盖板上且贯穿所述喷淋盖板，所述进气模块通入的气体通过若干个所述引导孔加速引导到所述第一气体分配室。
3.根据权利要求1或2所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋板的底部开设有第二气体分配室，所述第一气体分配室与所述第二气体分配室不连通。
4.根据权利要求3所述的喷淋装置，其特征在于，所述进气模块包括进气本体，所述进气本体固定设置于所述喷淋盖板，所述进气本体与所述第一气体分配室的气体进口密封设置。
5.根据权利要求4所述的喷淋装置，其特征在于，所述进气本体上开设有第一进气通道和第二进气通道，所述第一进气通道环设于所述第二进气通道的外周且所述第一进气通道与所述第二进气通道同轴设置，气体通过所述第一进气通道进入到所述第一气体分配室，气体通过所述第二进气通道进入到所述第二气体分配室。
6.根据权利要求5所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋板开设有若干第一通气孔，若干所述第一通气孔均匀分布于所述喷淋板且若干所述第一通气孔贯穿所述喷淋板，所述第一气体分配室的气体通过若干所述第一通气孔流入到反应腔。
7.根据权利要求6所述的喷淋装置，其特征在于，所述第一通气孔包括大直径通气孔和小直径通气孔，所述大直径通气孔与所述小直径通气孔贯通，所述大直径通气孔位于靠近所述第一气体分配室一侧的所述喷淋板上。
8.根据权利要求7所述的喷淋装置，其特征在于，所述大直径通气孔的直径为所述小直径通气孔的直径的1-3倍。
9.根据权利要求7所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷淋板开设有若干第二通气孔，所述第二进气通道的气体通过若干所述第二通气孔流入到所述第二气体分配室。
10.根据权利要求9所述的喷淋装置，其特征在于，所述大直径通气孔的直径小于所述第二通气孔的直径。
【专利技术属性】
技术研发人员：周芸福，黎微明，许所昌，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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