【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及存储器设备及存储器设备的操作方法。
技术介绍
1、存储级存储器(storage class memory，scm)是一种类型的非易失性存储器，该存储级存储器(scm)缩小了传统的易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(dynamicrandom-access memory，dram))与非易失性存储装置(例如，nand闪存或硬盘驱动器)之间的差距。scm组合了这两种类型的优点，从而提供了类似于dram的低延时、高速数据访问以及典型地在非易失性存储装置中发现的持久性和更高的容量。在数据中心和其他高性能计算环境中，scm越来越多地被采用，在所述数据中心和其他高性能计算环境中，scm有助于减少延时、改进整体系统效率以及提供更高效的数据管理解决方案。
技术实现思路
1、在一个方面，提供了一种用于操作非易失性存储器设备的方法。非易失性存储器设备包括存储器单元。确定存储器单元中的第一存储器单元的写入计数。响应于第一存储器单元的写入计数达到预设值中的一个预设值，获得存储器单元中的与第一存储器单元在物理上相邻的第二存储器单元的翻转比特计数(flipped bit count，fbc)。响应于第二存储器单元的fbc超过阈值，刷新第二存储器单元。
2、在一些实现方式中，存储器单元中的每一个存储器单元包括耦合到位线中的相应一条位线的存储单元。
3、在一些实现方式中，存储单元包括相变存储器(phase-change memory，pcm)单元。
4、在一些实现
5、在一些实现方式中，存储针对存储器单元中的每一个存储器单元的物理地址与逻辑地址之间的映射表。在一些实现方式中，为了确定第一存储器单元的写入计数，基于第一页来确定第一存储器单元的逻辑地址，以及基于第一存储器单元的逻辑地址和映射表来确定第一存储器单元的物理地址。
6、在一些实现方式中，为了获得第二存储器单元的fbc，基于第一存储器单元的物理地址和第二存储器单元的物理地址来确定与第一存储器单元在物理上相邻的第二存储器单元。
7、在一些实现方式中，为了获得第二存储器单元的fbc，读取与第二存储器单元相对应的第二页，并且基于读取和包括第二页的第二码字来确定第二页中的翻转比特的数量。
8、在一些实现方式中，为了获得第二存储器单元的fbc，基于第二存储器单元的物理地址和映射表来确定第二存储器单元的逻辑地址，以及基于第二存储器单元的逻辑地址来确定第二页。
9、在一些实现方式中，为了刷新第二存储器单元，利用存储在第二存储器单元中的数据来重写第二存储器单元。
10、在一些实现方式中，第一存储器单元和第二存储器单元耦合到相同的字线。
11、在另一方面，一种存储器系统包括非易失性存储器设备和耦合到非易失性存储器设备的存储器控制器。非易失性存储器设备包括存储器单元。存储器控制器被配置为：确定存储器单元中的第一存储器单元的写入计数。存储器控制器还被配置为：响应于第一存储器单元的写入计数达到预设值中的一个预设值，获得存储器单元中的与第一存储器单元在物理上相邻的第二存储器单元的fbc。存储器控制器还被配置为：响应于第二存储器单元的fbc超过阈值，刷新第二存储器单元。
12、在一些实现方式中，非易失性存储器设备还包括位线。在一些实现方式中，存储器单元中的每一个存储器单元包括耦合到位线中的相应一条位线的存储单元。
13、在一些实现方式中，存储单元包括pcm单元。
14、在一些实现方式中，为了确定第一存储器单元的写入计数，存储器控制器被配置为：跟踪应用于第一码字的写入操作的数量。在一些实现方式中，第一码字包括与第一存储器单元相对应的第一页。
15、在一些实现方式中，存储器系统还包括易失性存储器，该易失性存储器被配置为：存储针对存储器单元中的每一个存储器单元的物理地址与逻辑地址之间的映射表。在一些实现方式中，为了确定第一存储器单元的写入计数，存储器控制器还被配置为：基于第一页来确定第一存储器单元的逻辑地址，以及基于第一存储器单元的逻辑地址和映射表来确定第一存储器单元的物理地址。
16、在一些实现方式中，为了获得第二存储器单元的fbc，存储器控制器被配置为：基于第一存储器单元的物理地址和第二存储器单元的物理地址来确定与第一存储器单元在物理上相邻的第二存储器单元。
17、在一些实现方式中，为了获得第二存储器单元的fbc，存储器控制器还被配置为：读取与第二存储器单元相对应的第二页，并且基于读取和包括第二页的第二码字来确定第二页中的翻转比特的数量。
18、在一些实现方式中，为了获得第二存储器单元的fbc，存储器控制器还被配置为：基于第二存储器单元的物理地址和映射表来确定第二存储器单元的逻辑地址，以及基于第二存储器单元的逻辑地址来确定第二页。
19、在一些实现方式中，为了刷新第二存储器单元，存储器控制器被配置为：利用存储在第二存储器单元中的数据来重写第二存储器单元。
20、在一些实现方式中，非易失性存储器设备还包括字线。在一些实现方式中，第一存储器单元和第二存储器单元耦合到字线中的同一条字线。
21、在又一方面，提供了一种非暂时性计算机可读存储介质。该非暂时性计算机可读存储介质包括指令，该指令在由存储器控制器执行时，使存储器控制器进行以下操作：确定非易失性存储器设备中存储器单元中的第一存储器单元的写入计数；响应于第一存储器单元的写入计数达到预设值中的一个预设值，获得存储器单元中的与第一存储器单元在物理上相邻的第二存储器单元的fbc；以及响应于第二存储器单元的fbc超过阈值，刷新第二存储器单元。
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1.一种用于操作非易失性存储器设备的方法，所述非易失性存储器设备包括存储器单元，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器单元中的每一个存储器单元包括耦合到位线中的相应一条位线的存储单元。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述存储单元包括相变存储器(PCM)单元。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，确定所述第一存储器单元的写入计数包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：存储针对所述存储器单元中的每一个存储器单元的物理地址与逻辑地址之间的映射表，
6.根据权利要求5所述的方法，其中，获得所述第二存储器单元的FBC包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，获得所述第二存储器单元的FBC还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，获得所述第二存储器单元的FBC还包括：
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，刷新所述第二存储器单元包括：
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元
11.一种存储器系统，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器系统，其中，
13.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，所述存储单元包括相变存储器(PCM)单元。
14.根据权利要求11-13中任一项所述的存储器系统，其中，为了确定所述第一存储器单元的写入计数，所述存储器控制器被配置为：
15.根据权利要求14所述的存储器系统，还包括易失性存储器，所述易失性存储器被配置为：存储针对所述存储器单元中的每一个存储器单元的物理地址与逻辑地址之间的映射表，
16.根据权利要求15所述的存储器系统，其中，为了获得所述第二存储器单元的FBC，所述存储器控制器被配置为：
17.根据权利要求16所述的存储器系统，其中，为了获得所述第二存储器单元的FBC，所述存储器控制器还被配置为：
18.根据权利要求17所述的存储器系统，为了获得所述第二存储器单元的FBC，所述存储器控制器还被配置为：
19.根据权利要求11-18中任一项所述的存储器系统，其中，为了刷新所述第二存储器单元，所述存储器控制器被配置为：
20.根据权利要求11-19中任一项所述的存储器系统，其中，
21.一种非暂时性计算机可读存储介质，包括指令，所述指令在由存储器控制器执行时，使所述存储器控制器进行以下操作：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于操作非易失性存储器设备的方法，所述非易失性存储器设备包括存储器单元，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器单元中的每一个存储器单元包括耦合到位线中的相应一条位线的存储单元。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述存储单元包括相变存储器(pcm)单元。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，确定所述第一存储器单元的写入计数包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：存储针对所述存储器单元中的每一个存储器单元的物理地址与逻辑地址之间的映射表，
6.根据权利要求5所述的方法，其中，获得所述第二存储器单元的fbc包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，获得所述第二存储器单元的fbc还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，获得所述第二存储器单元的fbc还包括：
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，刷新所述第二存储器单元包括：
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元耦合到相同的字线。
11.一种存储器系统，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器系统，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭华，王星，高耀龙，毕凡亚，孙哲，于波，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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