【技术实现步骤摘要】
本文件总体上但不以限制的方式涉及具有多层的电气装置，所述层具有至少部分地设置在例如半导体衬底的电传输通孔内的至少一个中间层。作为示例，电传输通孔包括与电传输通孔内的至少一个中间层耦合的金属层。
技术介绍
1、计算机芯片和用于电子系统的其他类似部件可以由彼此垂直堆叠或放置的材料层形成。计算机芯片、衬底、封装或层的架构可以包括通孔或穿通过孔，其提供从架构的一部分到另一部分的电传输路径，例如在层、衬底、管芯等之间或之内。
2、通孔通常具有耦合到通孔的内表面并且可选地耦合到围绕通孔的表面的暴露的金属表面。金属表面可以提供较低的电阻并增强计算机芯片的部件之间的电传输的导电性。金属表面可以耦合、粘附、固定等到芯片的发生电传输的表面。在示例中，铜被镀覆在通孔的内表面上，以提供较低的电阻并且还增强通过电传输路径的导电性。芯片内和芯片上的金属表面需要是稳定的和相对静止的，因此电路径不会损坏、变形等。损坏或变形的通孔可能导致芯片及其部件的上游故障。
3、电气系统的一些层(例如，半导体衬底或半导体衬底的层)有助于促进通孔中的层之间的强键合，以将电连接故障的任何发生减到最小。例如，中间层(例如，粘附层)是用于帮助促进传导金属(例如，铜晶种)与半导体衬底、层或芯的表面的耦合的居间层的示例。钛层可以用作沉积在通孔内或衬底、层或芯的表面上的粘附层。利用例如物理气相沉积将金属(例如，钛)沉积在期望的表面上。然而，键合由于表面和粘附层之间的材料差异，将中间层耦合、粘附或键合到指定表面可能需要较长的物理气相沉积(pvd)工艺或不仅仅是pvd
4、不同的层可能是芯片架构中的弱点。例如，在pvd期间可能没有发生强耦合(粘附、键合等)。缺乏强键合可能形成在制造或使用期间可能发生分层的弱点。
技术实现思路
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1.一种半导体衬底，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述中间层包括钛、硅和氧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体衬底，其中，所述金属层包括铜。
4.根据权利要求1或2所述的半导体衬底，其中，所述中间层是耦合在所述电传输通孔的内表面上的基本上非晶的硅酸钛。
5.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述中间层是钛；
6.根据权利要求5所述的半导体衬底，其中，所述中间层包括硅。
7.根据权利要求5所述的半导体衬底，其中，所述中间层小于30纳米厚。
8.一种电气系统，包括半导体衬底层，所述半导体衬底层包括：
9.根据权利要求8所述的电气系统，其中，所述中间层包括硅。
10.根据权利要求8或9所述的电气系统，其中，所述中间层在5纳米与20纳米之间厚。
11.根据权利要求8所述的电气系统，其中，所述中间层是硅酸钛或硅化铜。
12.根据权利要求8所述的电气系统，其中，所述中间层包括钛、硅和氧中的至少一种。
13.根据权利要求8或1
14.根据权利要求8或12所述的电气系统，其中，所述中间层位于所述第一主表面和所述第二主表面中的至少一个上。
15.一种形成半导体衬底层的方法，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
17.根据权利要求15或16所述的方法，还包括：
18.根据权利要求15或16所述的方法，其中，所述中间层包括钛，并且所述方法还包括：
19.根据权利要求15或16所述的方法，还包括：
20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述中间层包括硅和钛，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体衬底，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述中间层包括钛、硅和氧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体衬底，其中，所述金属层包括铜。
4.根据权利要求1或2所述的半导体衬底，其中，所述中间层是耦合在所述电传输通孔的内表面上的基本上非晶的硅酸钛。
5.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中，所述中间层是钛；
6.根据权利要求5所述的半导体衬底，其中，所述中间层包括硅。
7.根据权利要求5所述的半导体衬底，其中，所述中间层小于30纳米厚。
8.一种电气系统，包括半导体衬底层，所述半导体衬底层包括：
9.根据权利要求8所述的电气系统，其中，所述中间层包括硅。
10.根据权利要求8或9所述的电气系统，其中，所述中间层在5纳米与20纳米之间厚。
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【专利技术属性】
技术研发人员：R·尚穆加姆，D·杜鲁伊契奇，S·纳德，S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆，B·布拉克，X·孙，Q·李，J·S·斯泰尔，M·D·阿姆斯特朗，M·A·瓦尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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