【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体上涉及半导体器件领域，并且特别涉及在不同竖直层中包括不同宽度中央楼梯区域的多层存储器器件及其形成方法。
技术介绍
1、包括每个单元具有一个位的三维竖直nand串的三维存储器器件在t.endoh等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(s-sgt)结构化单元的新型超高密度存储器(novelultra high density memory with a stacked-surrounding gate transistor(s-sgt)structured cell)”，iedm proc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一个实施方案，一种多层存储器器件包括：衬底；和位于多层层级处的多个层结构，这些多层层级在竖直方向上与衬底间隔不同的竖直间距。多个层结构中的每个层结构包括：背侧沟槽填充结构，这些背侧沟槽填充结构沿着第一水平方向横向延伸穿过多个层结构中的每个层结构，并且沿着第二水平方向彼此横向间隔开；绝缘层和导电层的交替堆叠，这些交替堆叠通过背侧沟槽填充结构沿着第二水平方向彼此横向间隔开，沿着第一水平方向横向延伸穿过阵列间区域、第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域，该第二存储器阵列区域通过阵列间区域沿着第一水平方向与第一存储器阵列区域横向间隔开；和存储器开口填充结构，这些存储器开口填充结构竖直延伸穿过多个层结构中的每个层结构，其中存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括相应竖直半导体沟道和位于导电层的层级处的存储器元件的竖直堆叠。交
2、根据本公开的另一方面，一种形成半导体器件的方法包括：形成位于多层层级处的多个层结构，这些多层层级在竖直方向上与衬底间隔不同的竖直间距。多个层结构中的每个层结构包括：绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠，这些交替堆叠沿着第一水平方向横向延伸穿过阵列间区域、第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域，该第二存储器阵列区域通过阵列间区域沿着第一水平方向与第一存储器阵列区域横向间隔开；和存储器开口填充结构，这些存储器开口填充结构竖直延伸穿过多个层结构中的每个层结构，其中存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括相应竖直半导体沟道和位于牺牲材料层的层级处的存储器元件的竖直堆叠。该方法还包括：形成穿过交替堆叠绝缘层和牺牲材料层的背侧沟槽；用穿过背侧沟槽的导电层替换牺牲材料层，以将绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠转换成绝缘层和导电层的交替堆叠；和用背侧沟槽填充结构填充背侧沟槽，这些背侧沟槽填充结构沿着第一水平方向横向延伸穿过多个层结构中的每个层结构，并且沿着第二水平方向彼此横向间隔开。导电层通过背侧沟槽填充结构沿着第二水平方向彼此横向间隔开；绝缘层和导电层的交替堆叠中的每个交替堆叠包括阵列间区域中的阶梯式表面；绝缘层和导电层的交替堆叠内的每个导电层具有在阵列间区域内具有沿着第二水平方向的相应条带宽度的相应桥接区域，并且具有大于第一存储器阵列区域、第二存储器阵列区域和位于桥接区域之外的阵列间区域的部分中的条带宽度的沿着第二水平方向的相应均匀宽度；并且绝缘层和导电层的第一层交替堆叠中的最顶部导电层的条带宽度小于覆盖在绝缘层和导电层的第一层交替堆叠上面的绝缘层和导电层的第二层交替堆叠中的最顶部导电层的条带宽度。
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1.一种多层存储器器件，所述多层存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的多层存储器器件，其中：
3.根据权利要求1所述的多层存储器器件，其中所述多个层结构中的每个层结构还包括相应后向阶梯式介电材料部分，所述后向阶梯式介电材料部分接触所述阵列间区域中的所述阶梯式表面。
4.根据权利要求3所述的多层存储器器件，其中：
5.根据权利要求4所述的多层存储器器件，其中：
6.根据权利要求4所述的多层存储器器件，其中：
7.根据权利要求6所述的多层存储器器件，其中：
8.根据权利要求4所述的多层存储器器件，其中所述一对第一后向阶梯式介电材料部分中的一个第一后向阶梯式介电材料部分沿着所述第二水平方向的宽度大于所述一对第二后向阶梯式介电材料部分中的一个第二后向阶梯式介电材料部分沿着所述第二水平方向的宽度。
9.根据权利要求4所述的多层存储器器件，其中所述后向阶梯式介电材料部分的一对第三后向阶梯式介电材料部分位于覆盖在所述第二层层级上面的第三层层级处，并且包括相应一对最底部表面，所述最底部表面与所述第
10.根据权利要求3所述的多层存储器器件，所述多层存储器器件还包括层接触通孔结构，所述层接触通孔结构竖直延伸穿过所述后向阶梯式介电材料部分，并且接触所述导电层中的相应一个导电层。
11.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中：
13.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括形成相应后向阶梯式介电材料部分，所述后向阶梯式介电材料部分接触所述阵列间区域中的所述阶梯式表面。
14.根据权利要求13所述的方法，其中：
15.根据权利要求14所述的方法，其中：
16.根据权利要求14所述的方法，其中：
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
18.根据权利要求14所述的方法，其中所述一对第一后向阶梯式介电材料部分中的一个第一后向阶梯式介电材料部分沿着所述第二水平方向的宽度大于所述一对第二后向阶梯式介电材料部分中的一个第二后向阶梯式介电材料部分沿着所述第二水平方向的宽度。
19.根据权利要求14所述的方法，其中所述后向阶梯式介电材料部分的一对第三后向阶梯式介电材料部分位于覆盖在所述第二层层级上面的第三层层级处，并且包括相应一对最底部表面，所述最底部表面与所述第一背侧沟槽填充结构直接接触。
20.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括形成层接触通孔结构，所述层接触通孔结构穿过所述后向阶梯式介电材料部分，并且接触所述导电层中的相应一个导电层。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种多层存储器器件，所述多层存储器器件包括：
2.根据权利要求1所述的多层存储器器件，其中：
3.根据权利要求1所述的多层存储器器件，其中所述多个层结构中的每个层结构还包括相应后向阶梯式介电材料部分，所述后向阶梯式介电材料部分接触所述阵列间区域中的所述阶梯式表面。
4.根据权利要求3所述的多层存储器器件，其中：
5.根据权利要求4所述的多层存储器器件，其中：
6.根据权利要求4所述的多层存储器器件，其中：
7.根据权利要求6所述的多层存储器器件，其中：
8.根据权利要求4所述的多层存储器器件，其中所述一对第一后向阶梯式介电材料部分中的一个第一后向阶梯式介电材料部分沿着所述第二水平方向的宽度大于所述一对第二后向阶梯式介电材料部分中的一个第二后向阶梯式介电材料部分沿着所述第二水平方向的宽度。
9.根据权利要求4所述的多层存储器器件，其中所述后向阶梯式介电材料部分的一对第三后向阶梯式介电材料部分位于覆盖在所述第二层层级上面的第三层层级处，并且包括相应一对最底部表面，所述最底部表面与所述第一背侧沟槽填充结构直接接触。
10.根据权利要求3所述的多层存储器器件，所述多层存储器器件还包括层接触通孔结构，所述层接触通孔结构竖直延伸穿过所述后向阶梯式介电材料部分，...
【专利技术属性】
技术研发人员：时田博文，西明久，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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