【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于新材料技术，特别是关于一种感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法、结构、部件及设备。
技术介绍
1、随着半导体封装密度的逐渐增加，pspi材料也逐渐向低温固化、高感度、高分辨率、低翘曲应力等方向发展。
2、wo2018225676a1公开了降低pi聚合物的玻璃化温度并辅以热碱产生剂的方式，这种方式可以实现200-230℃温度下的低温固化，获得优异密合性的负性pspi固化物，但是这种方式并不能实现高感度和高分辨率以及低翘曲应力的要求。
3、cn102575139a公开了采用化学亚胺化的带有酚羟基或羧基的pi聚合物，辅以合适的交联剂的方式，这种方式可以实现200-230℃温度下的低温固化，获得了优异耐化学性的正性pspi固化物，但是这种方式对耐化学性的提升也极为有限，而且这种组合物的感度普遍较低。
4、wo2008026406a1公开了采用带有酚羟基的聚合物，如聚对羟基苯乙烯或酚醛树脂，辅以交联剂，外加橡胶粒子增韧的方式，获得了200℃温度下的低温固化，感度较快分辨率较高，翘曲应力低的组合物，但是这种方式获得的固化物机械性能较差，韧性提升有限，可能会带来可靠性异常的问题。
5、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法、结构、部件及设
2、为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了感光性聚酰亚胺组合物，其原料包括如下组成，以重量份数计：
3、嵌段聚合物100份，其可溶于碱性水溶液，结构式为
4、其中，r为ar1选自四取代有机基团，ar2选自二取代有机基团；m+n＝5～200，n/(m+n)＝0.05～1，k＝2～10；
5、热交联剂5-30份，选自含有环氧基的交联剂、含有ch2or的交联剂；
6、光产酸剂0.5-5份，其结构式为其中，r’选自氢、碳数1～4的烷基或碳数1～4的烷氧基,x选自卤素,y为氧或硫；
7、硅烷偶联剂0.5-10份。
8、在本专利技术的一个或多个实施方式中，ar1的四取代有机基团选自：
9、
10、其中r1-r8均为单取代有机基团，x1为二取代基团。
11、在本专利技术的一个或多个实施方式中，r1-r8的所述单取代有机基团各自独立地选自：氢、卤素、c1-c5取代烷基(这里的取代指有被其他非烷基基团单取代或者多取代，下同)、c1-c5未取代烷基。
12、在本专利技术的一个或多个实施方式中，r1-r8的所述单取代有机基团选自：氢、氟、甲基和三氟甲基。
13、在本专利技术的一个或多个实施方式中，x1的二取代基团选自：氧、c1-c5取代或未取代亚烷基、硫、砜基和羰基。
14、在本专利技术的一个或多个实施方式中，x1的二取代基团选自：氧、亚甲基、硫、砜基、羰基、-c(ch3)2和-c(cf3)2。
15、在本专利技术的一个或多个实施方式中，ar2的所述二取代有机基团选自：
16、
17、其中，r9-r20均为单取代有机基团，y为二取代基团。
18、在本专利技术的一个或多个实施方式中，r9-r20的所述单取代基团各自独立地选自：氢、卤素、c1-c5取代烷基、c1-c5未取代烷基。
19、在本专利技术的一个或多个实施方式中，r9-r20的所述单取代基团各自独立地选自：氢、氟、甲基和三氟甲基。
20、在本专利技术的一个或多个实施方式中，y的二取代基团选自：氧、c1-c5取代亚烷基、c1-c5未取代亚烷基、硫、砜基和羰基。
21、在本专利技术的一个或多个实施方式中，y的二取代基团选自：氧、亚甲基、硫、砜基、羰基、-c(ch3)2-和-c(cf3)2-。
22、在本专利技术的一个或多个实施方式中，热交联剂选自如下式任一所示的化合物：
23、
24、其中，u选自含有脂环或芳香环的二取代有机基团；r21独立选自：氢、单取代有机基团，r22选自氢、单取代有机基团、具有取代基的环结构；r23选自氢、单取代有机基团；r24选自单取代有机基团，n为1-4的整数；x2选自单取代有机基团、二取代有机基团、三取代有机基团、四取代有机基团；a为1-4的整数，b为0-3的整数。优选的，当a为2、3或4时，r23相同或不同，当b为2或3时，r24相同或不同。
25、在本专利技术的一个或多个实施方式中，还包括100-200份溶剂和/或100-1000ppm流平剂。
26、在本专利技术的一个或多个实施方式中，图形的制造方法，将如前述的感光性聚酰亚胺组合物涂布在支撑基板，并进行干燥、曝光、显影以及加热处理得到。
27、在本专利技术的一个或多个实施方式中，曝光所采用的光源为i射线(i线光源)。
28、在本专利技术的一个或多个实施方式中，光固化结构，其由如前述的图形的制造方法得到。这里的图形包括平面结构如(表面保护膜或层间绝缘膜等)或图形结构(如压印结构、图案等)
29、在本专利技术的一个或多个实施方式中，电子部件，包括主体以及形成于主体的如前述的光固化结构。
30、在本专利技术的一个或多个实施方式中，设备，包括机体和设置到机体的如前述的电子部件。
31、与现有技术相比，根据本专利技术实施方式的感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法、结构、部件及设备，曝光于紫外光的部分易溶于碱性水溶液，而未曝光于紫外光的部分不溶于碱性水溶液，因而能够有效地复制精细的图案。且该感光性聚酰亚胺组合物碱溶性优异，分辨率高，低温固化(180-200℃)后具有低翘曲应力，高粘结性以及良好的化学耐受性。
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1.一种感光性聚酰亚胺组合物，其原料包括如下组成，以重量份数计：嵌段聚合物100份，其可溶于碱性水溶液，结构式为
2.如权利要求1所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，所述Ar1的四取代有机基团选自：
3.如权利要求2所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，R1-R8的所述单取代有机基团各自独立地选自：氢、卤素、C1-C5取代烷基、C1-C5未取代烷基。
4.如权利要求3所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，R1-R8的所述单取代有机基团选自：氢、氟、甲基和三氟甲基。
5.如权利要求2所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，X1的二取代基团选自：氧、C1-C5取代或未取代亚烷基、硫、砜基和羰基。
6.如权利要求5所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，X1的二取代基团选自：氧、亚甲基、硫、砜基、羰基、-C(CH3)2和-C(CF3)2。
7.如权利要求1所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，Ar2的所述二取代有机基团选自：
8.如权利要求7所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，R9-R20
9.如权利要求8所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，R9-R20的所述单取代基团各自独立地选自：氢、氟、甲基和三氟甲基。
10.如权利要求7所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，所述Y的二取代基团选自：氧、C1-C5取代亚烷基、C1-C5未取代亚烷基、硫、砜基和羰基。
11.如权利要求10所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，所述Y的二取代基团选自：氧、亚甲基、硫、砜基、羰基、-C(CH3)2-和-C(CF3)2-。
12.如权利要求1所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，所述热交联剂选自如下式任一所示的化合物：
13.如权利要求1-12任一所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，还包括100-200份溶剂和/或100-1000ppm流平剂。
14.图形的制造方法，将如权利要求1-13任一所述的感光性聚酰亚胺组合物涂布在支撑基板，并进行干燥、曝光、显影以及加热处理得到。
15.如权利要求14所述的图形的制造方法，其特征在于，所述曝光所采用的光源为i射线。
16.光固化结构，其由如权利要求14-15任一所述的图形的制造方法得到。
17.电子部件，包括主体以及形成于主体的如权利要求16所述的光固化结构。
18.设备，包括机体和设置到机体的如权利要求17所述的电子部件。
...【技术特征摘要】
1.一种感光性聚酰亚胺组合物，其原料包括如下组成，以重量份数计：嵌段聚合物100份，其可溶于碱性水溶液，结构式为
2.如权利要求1所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，所述ar1的四取代有机基团选自：
3.如权利要求2所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，r1-r8的所述单取代有机基团各自独立地选自：氢、卤素、c1-c5取代烷基、c1-c5未取代烷基。
4.如权利要求3所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，r1-r8的所述单取代有机基团选自：氢、氟、甲基和三氟甲基。
5.如权利要求2所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，x1的二取代基团选自：氧、c1-c5取代或未取代亚烷基、硫、砜基和羰基。
6.如权利要求5所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，x1的二取代基团选自：氧、亚甲基、硫、砜基、羰基、-c(ch3)2和-c(cf3)2。
7.如权利要求1所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，ar2的所述二取代有机基团选自：
8.如权利要求7所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于，r9-r20的所述单取代基团各自独立地选自：氢、卤素、c1-c5取代烷基、c1-c5未取代烷基。
9.如权利要求8所述的感光性聚酰亚胺组合物，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘斌，张兵，向文胜，赵建龙，胡泽明，洪勇波，刘壮，
申请(专利权)人：江苏艾森半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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