【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于束流线消色散偏转磁铁，尤其涉及一种用于消色散偏转磁铁的调节块和消色散偏转磁铁调节方法。
技术介绍
1、束流从粒子加速器引出，束流传输线布设在粒子加速器束流引出口到粒子加速器以外的目标点之间。在粒子加速器的束流传输线中，各类大型偏转磁铁都有可能存在一定误差，消色散偏转磁铁也不例外，如图5所示，该误差包括磁场实际分布与理论分布的误差、以及机械安装的误差等，这些误差会导致偏转后的束流的出射角度与出射位置与理论值有一定的偏差。
2、如图5所示，常规技术对于束流传输线上偏转磁铁存在的误差，一般采用布设在消色散偏转磁铁以外的导向磁铁进行调节，通过多组导向磁铁的组合，对从消色散偏转磁铁引出的束流进行小角度偏转、或对从消色散偏转磁铁引出的束流进行位置调整。为了在束流线上通过导向磁铁的组合来调节束流的出射位置和出射角度，常规方法将多组导向磁铁布设在消色散偏转磁铁以外的上游进口前或布设在消色散偏转磁铁以外的下游出口后。
3、用导向磁铁调节束流传输线误差的难点在于：如果将导向磁铁置于消色散偏转磁铁的上游进口前，当下游出射束流的出射角度或位置变化时，通过上游调节下游的方法调节效果不佳。如果将导向磁铁置于消色散偏转磁铁的下游出口后，则将挤占下游束流线高度空间。如图1a所示，当束流是垂直向下出射时，由于束流线下方还设有辐照装置，使得整套设备层高相对比较高，如果再在垂直方向的下游出口后布设偏转磁铁，就势必还要再加高设备，并且厂房也随着加高。为了不再增高厂房，要求下游束流线应能尽可能短，从而使得设备层高不至于过高。
...【技术保护点】
1.一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，该局部调节块基于一种带有局部调节块的消色散偏转磁铁，该消色散偏转磁铁包括外铁轭、励磁线圈或永磁块、极头、以及局部调节块；外铁轭和极头连接在一起，外铁轭由上铁轭、下铁轭和侧面铁轭组合而成；励磁线圈或永磁块各分为两组，分别安装在上下极头周围，励磁线圈由常导铜线圈、超导线圈等构成；极头分为对称的上极头和下极头，上极头和下极头分别连接在上铁轭和下铁轭上；极头具有极面，两个极面之间为中心平面，励磁线圈或永磁块在上下极头之间的中心平面气隙内激励偏转磁场；
2.根据权利要求1所述一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，其特征在于：该局部调节块近似长方形，其上半部分和左半部分组成直角形磁屏蔽夹层；束流沿着水平方向从直角形磁屏蔽夹层右侧入射消色散偏转磁铁的束流入口，在消色散偏转磁铁内旋转270°以后，再从消色散偏转磁铁的束流出口流出、并沿着垂直方向从直角形磁屏蔽夹层的下边线出射。
3.根据权利要求1所述一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，其特征在于：所述不超过消色散偏转磁铁的垂向空间和横向空间，即
4.根据权利要求3所述一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，其特征在于：当消色散偏转磁铁的高度为1400mm、宽度为1400mm时，所述局部调节块的长度为540mm、高度为340mm。
5.根据权利要求4所述一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，其特征在于：当局部调节块的长度为540mm、高度为340mm时，该局部调节块的直角形磁屏蔽夹层的夹层内气隙宽度为60mm，气隙深度为180mm，夹层两侧的磁屏蔽厚度各为35mm。
6.根据权利要求1所述一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，其特征在于：所述局部调节块的上边线与消色散偏转磁铁束流出口上的束流轨迹点的初始距离为150mm。
7.根据权利要求1所述一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，其特征在于：所述局部调节块的左边线与消色散偏转磁铁束流入口上的束流轨迹点的初始距离为150mm。
8.一种基于权利要求1-7任意一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块的消色散偏转磁铁边缘场调节方法，其特征在于,包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，该局部调节块基于一种带有局部调节块的消色散偏转磁铁，该消色散偏转磁铁包括外铁轭、励磁线圈或永磁块、极头、以及局部调节块；外铁轭和极头连接在一起，外铁轭由上铁轭、下铁轭和侧面铁轭组合而成；励磁线圈或永磁块各分为两组，分别安装在上下极头周围，励磁线圈由常导铜线圈、超导线圈等构成；极头分为对称的上极头和下极头，上极头和下极头分别连接在上铁轭和下铁轭上；极头具有极面，两个极面之间为中心平面，励磁线圈或永磁块在上下极头之间的中心平面气隙内激励偏转磁场；
2.根据权利要求1所述一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，其特征在于：该局部调节块近似长方形，其上半部分和左半部分组成直角形磁屏蔽夹层；束流沿着水平方向从直角形磁屏蔽夹层右侧入射消色散偏转磁铁的束流入口，在消色散偏转磁铁内旋转270°以后，再从消色散偏转磁铁的束流出口流出、并沿着垂直方向从直角形磁屏蔽夹层的下边线出射。
3.根据权利要求1所述一种用于精确调整消色散偏转磁铁边缘场的局部调节块，其特征在于：所述不超过消色散偏转磁铁的垂向空间和横向空间，即为：局部调节块的高度和宽度不超过消...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢宗泰，李明，王胜龙，吕银龙，崔涛，符振辉，周平原，秦伟涛，王煜，
申请(专利权)人：国电投核力同创北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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