【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体组件的方法，并且涉及一种半导体组件。
技术介绍
1、半导体组件(如晶体管)被制造为分层式组件，所述分层式组件包括如半导体管芯、管芯座、引线和包封体等部件。包封体提供保护功能，并且至少部分地环绕半导体管芯和形成半导体组件的部分的其他部件。包封体也可被称为外壳或壳体。
2、半导体组件的制造通常包括：使用光刻形成半导体管芯；然后将半导体管芯附接到管芯座。管芯座被形成为从引线框延伸的阵列。一旦半导体管芯已附接到管芯座，便在半导体管芯的与管芯座相对的侧上提供引线。然后在每个半导体管芯和其他部件之上形成包封体。管芯座的一部分和引线的一部分可从包封体延伸出来。半导体管芯、其他部件和包封体可被称为半导体组件。形成半导体组件阵列，每个半导体组件附接到引线框。最后，将半导体组件与引线框分离。这可被称为单体化。
3、上述方法的缺点在于：可能难以针对每个半导体管芯形成包封体。已提出：形成覆盖一排半导体管芯的单个包封体，并且然后切穿所述单个包封体以形成单独的包封体。这可使包封体的形成更容易。所提出的这种方法的缺点在于：用于切割包封体的锯将遭受相当大的磨损。另一个缺点在于：一旦包封体被切割，半导体组件将从引线框脱落，并且可能难以处理以这种方式形成的半导体组件。
4、需要克服与现有半导体组件及相关制造方法相关的缺点，无论是否在本文件中提及。
技术实现思路
1、根据本专利技术的第一方面，提供一种制造半导体组件的方法，所述方法包括：形成半导体组件阵列，
2、有利的是，半导体组件保持连接，直到脆弱连接部断开，由此使半导体组件的处理更容易。
3、所述包封体可被形成为不具有脆弱连接部，并且其中使用切割来切入所述包封体中并由此形成所述脆弱连接部。
4、可从半导体组件上方实行所述切割。可从半导体组件下方实行所述切割。
5、所述包封体可被形成为具有脆弱连接部。
6、所述脆弱连接部可为厚度至少0.1mm的突片。
7、所述脆弱连接部可为厚度高达3mm的突片。
8、可使用模具来形成所述包封体。
9、所述包封体的非引线承载侧可包括向内逐渐变细的上侧。
10、所述包封体的下表面可通过弯曲边缘或倒角边缘而连接到所述包封体的非引线承载侧。
11、所述包封体的非引线承载侧可包括从脆弱连接部延伸的垂直侧。
12、根据本专利技术的第二方面，提供一种半导体组件，所述半导体组件包括固定在包封体中的管芯，引线延伸出所述包封体，其中所述包封体的非引线承载侧包括已通过断开脆弱连接部而形成的部分。
13、有利的是，半导体组件的制造可能比使用常规方法更容易实行，而对半导体组件无不利影响。
14、通过断开脆弱连接部而形成的所述部分可具有比所述包封体的其他部分粗糙的表面。
15、通过断开脆弱连接部而形成的所述部分可包括从所述包封体的非引线承载侧突出的断开的脆弱突片。
16、通过断开脆弱连接部而形成的所述部分可包括断开的脆弱突片，所述断开的脆弱突片一般与所述包封体的非引线承载侧齐平。
17、所述包封体的上部非引线承载侧可包括向内逐渐变细的上侧。
18、本文阐述的本专利技术的每个方面的可选和/或优选特征也适用于本专利技术的任何其他方面(如适用)。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种制造半导体组件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述包封体被形成为不具有脆弱连接部，并且其中使用切割来切入所述包封体中并由此形成所述脆弱连接部。
3.根据权利要求2所述的方法，其中从所述半导体组件上方实行所述切割。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述包封体被形成为具有脆弱连接部。
5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述脆弱连接部是厚度至少0.1mm的突片。
6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述脆弱连接部是厚度高达3mm的突片。
7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中使用模具来形成所述包封体。
8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述包封体的非引线承载侧包括向内逐渐变细的上侧。
9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述包封体的下表面通过弯曲边缘或倒角边缘连接到所述包封体的非引线承载侧。
10.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述包封体的非引线承载侧包括从所述脆弱连接部延伸的垂直侧。
11.一种半导体组
12.根据权利要求11所述的半导体组件，其中通过断开所述脆弱连接部而形成的所述部分具有比所述包封体的其他部分粗糙的表面。
13.根据权利要求11或权利要求12所述的半导体组件，其中通过断开所述脆弱连接部而形成的所述部分包括从所述包封体的非引线承载侧突出的断开的脆弱突片。
14.根据权利要求11或权利要求12所述的半导体组件，其中通过断开所述脆弱连接部而形成的所述部分包括断开的脆弱突片，所述断开的脆弱突片一般与所述包封体的非引线承载侧齐平。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的半导体组件，其中所述包封体的上部非引线承载侧包括向内逐渐变细的上侧。
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体组件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述包封体被形成为不具有脆弱连接部，并且其中使用切割来切入所述包封体中并由此形成所述脆弱连接部。
3.根据权利要求2所述的方法，其中从所述半导体组件上方实行所述切割。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述包封体被形成为具有脆弱连接部。
5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述脆弱连接部是厚度至少0.1mm的突片。
6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述脆弱连接部是厚度高达3mm的突片。
7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中使用模具来形成所述包封体。
8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述包封体的非引线承载侧包括向内逐渐变细的上侧。
9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述包封体的下表面通过弯曲边缘或倒角边缘连接到所述包封体的非引线承载侧。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：林晓希，叶树明，梁志豪，杨顺迪，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：
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