【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及一种微发光二极管基板及其制作方法。
技术介绍
1、液晶显示(liquid crystal display,lcd)是最早普及、技术最成熟的显示技术，有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)显示技术是继lcd后的新一代显示技术，技术已经很成熟。
2、近年来，随着微发光二极管(mled)产业的快速发展，微发光二极管的应用也越来越广泛，微发光二极管包括次毫米发光二极管(mini light emitting diode,mini led)和微型发光二极管(micro light emitting diode,micro led)，微发光二极管拥有更低功耗、更快反应、更长寿命、更高色彩饱和度对比度等优良性能，随着技术的突破，mini led和micro led显示将成为继lcd、oled之后的下一代显示技术。随着5g时代4k超高清的普及，预计mini led和micro led面板将加速对传统面板的取代，渗透率加速提升，市场潜力巨大。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种微发光二极管基板及其制作方法。该微发光二极管基板可以实现基板之间的无缝拼接，降低拼接处的拼接缝。在微发光二极管返修时，还可以提升良品率，并且基板的异物生长也不会影响微发光二极管的发光或显示。
2、本公开至少一实施例提供一种微发光二极管基板，包括：基板，驱动电路层，位于所述基板的第一侧；多个微发光二极管，位于所述基板的第二侧，所述第二侧与
3、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，各所述微发光二极管包括第一极和第二极，各所述第一导电结构的一端与所述驱动电路层相连，各所述第一导电结构的另一端在所述基板的所述第二侧露出以作为焊盘，所述焊盘被配置为与所述第一极或所述第二极相连。
4、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，至少一个所述第一连接过孔包括：第一子部；以及第二子部，位于所述第一子部靠近所述驱动电路层的一侧，所述第二子部的平均孔径大于所述第一子部的平均孔径。
5、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，沿所述基板指向所述驱动电路层的方向上，所述第一子部的孔径不变，且所述第二子部的孔径逐渐变小，所述第二子部的最大孔径大于所述第一子部的孔径。
6、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，所述第一子部沿垂直于所述基板的平面的截面包括矩形，所述第二子部沿垂直于所述基板的平面的截面包括梯形。
7、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，所述基板包括衬底基板和第一钝化层，所述第一子部位于所述衬底基板，所述第二子部位于所述第一钝化层。
8、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，至少一个所述第一导电结构包括：第一导电部，第二导电部，位于第一导电部靠近所述驱动电路层的一侧，所述第二导电部的平均径向尺寸大于所述第一导电部的平均径向尺寸。
9、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，沿所述基板指向所述驱动电路层的方向上，所述第一导电部的径向尺寸不变，且所述第二导电部的径向尺寸逐渐变小，所述第二导电部的最大径向尺寸大于所述第一导电部的径向尺寸。
10、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，所述第一导电部沿垂直于所述基板的平面的截面包括矩形，所述第二导电部沿垂直于所述基板的平面的截面包括梯形。
11、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，所述基板包括衬底基板和第一钝化层，所述第一导电部位于所述衬底基板，所述第二导电部位于所述第一钝化层。
12、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，所述驱动电路层包括多条信号线和多条连接线，所述微发光二极管通过所述第一导电结构和所述连接线与所述信号线相连。
13、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板还包括：多个发光单元，各所述发光单元包括多个微发光二极管；以及多个第一微驱动芯片，与所述多个发光单元对应设置，各所述第一微驱动芯片被配置为驱动对应的发光单元进行发光，所述多个连接过孔还包括多个第二连接过孔，所述多个导电结构还包括多个第二导电结构，所述多个第二导电结构位于所述多个第二连接过孔内，所述多个第一微驱动芯片通过所述多个第二导电结构与所述驱动电路层相连，所述多条信号线包括驱动电压线、接地线、工作电压线和源地址线，所述微发光二极管通过所述第一导电结构和所述连接线与所述驱动电压线相连，所述第一微驱动芯片通过所述第二导电结构和所述连接线分别与所述接地线、所述工作电压线和所述源地址线相连，或者，所述第一微驱动芯片通过所述第二导电结构分别与所述接地线、所述工作电压线和所述源地址线相连，所述第一微驱动芯片包括输出端，所述微发光二极管通过所述第一导电结构和所述连接线与所述输出端相连。
14、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板中，所述驱动电路层包括：第一导电层，第二钝化层，位于所述第一导电层远离所述基板的一侧；绝缘层，位于所述第二钝化层远离所述第一导电层的一侧；第三钝化层，位于所述绝缘层远离所述第二钝化层的一侧；第二导电层，位于所述第三钝化层远离所述绝缘层的一侧；以及多个第一过孔，贯穿所述第二钝化层、所述绝缘层和所述三钝化层，所述第一导电层包括多条连接线，所述第二导电层包括多条信号线，所述多个微发光二极管通过所述多个第一导电结构与所述第一导电层的多条连接线相连，所述第一导电层的多条连接线通过所述多个第一过孔与所述第二导电层的多条信号线相连。
15、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板还包括：多个发光单元，各所述发光单元包括多个微发光二极管；以及多个第一微驱动芯片，与所述多个发光单元对应设置，各所述微驱动芯片被配置为驱动对应的发光单元进行发光，所述多个连接过孔还包括多个第二连接过孔，所述多个导电结构还包括多个第二导电结构，所述多个第二导电结构位于所述多个第二连接过孔内，所述多个第一微驱动芯片通过所述第二导电结构与所述驱动电路层相连，所述多条信号线包括驱动电压线、接地线、工作电压线和源地址线，所述微发光二极管通过所述第一导电结构和所述第一导电层的连接线与所述驱动电压线相连，所述第一微驱动芯片通过所述第二导电结构和所述第一导电层的连接线分别与所述接地线、所述工作电压线和所述源地址线相连，所述第一微驱动芯片包括输出端，所述微发光二极管通过所述连接线与所述输出端相连。
16、例如，本公开一实施例提供的微发光二极管基板还包括多个像素单元；以及多个第二微驱动芯片，与所述多个像素单元对应设置，各所述第二微驱动芯片本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种微发光二极管基板，包括：
2.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其中，各所述微发光二极管包括第一极和第二极，各所述第一导电结构的一端与所述驱动电路层相连，各所述第一导电结构的另一端在所述基板的所述第二侧露出以作为焊盘，所述焊盘被配置为与所述第一极或所述第二极相连。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其中，至少一个所述第一连接过孔包括：
4.根据权利要求3所述的微发光二极管基板，其中，沿所述基板指向所述驱动电路层的方向上，所述第一子部的孔径不变，且所述第二子部的孔径逐渐变小，所述第二子部的最大孔径大于所述第一子部的孔径。
5.根据权利要求4所述的微发光二极管基板，其中，所述第一子部沿垂直于所述基板的平面的截面包括矩形，所述第二子部沿垂直于所述基板的平面的截面包括梯形。
6.根据权利要求3-5中任一项所述的微发光二极管基板，其中，所述基板包括衬底基板和第一钝化层，所述第一子部位于所述衬底基板，所述第二子部位于所述第一钝化层。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的微发光二极管基板，其中，至少一个
8.根据权利要求7所述的微发光二极管基板，其中，沿所述基板指向所述驱动电路层的方向上，所述第一导电部的径向尺寸不变，且所述第二导电部的径向尺寸逐渐变小，所述第二导电部的最大径向尺寸大于所述第一导电部的径向尺寸。
9.根据权利要求8所述的微发光二极管基板，其中，所述第一导电部沿垂直于所述基板的平面的截面包括矩形，所述第二导电部沿垂直于所述基板的平面的截面包括梯形。
10.根据权利要求7所述的微发光二极管基板，其中，所述基板包括衬底基板和第一钝化层，所述第一导电部位于所述衬底基板，所述第二导电部位于所述第一钝化层。
11.根据权利要求1-5中任一项所述的微发光二极管基板，其中，所述驱动电路层包括多条信号线和多条连接线，所述微发光二极管通过所述第一导电结构和所述连接线与所述信号线相连。
12.根据权利要求11所述的微发光二极管基板，还包括：
13.根据权利要求1-5中任一项所述的微发光二极管基板，其中，所述驱动电路层包括：
14.根据权利要求13所述的微发光二极管基板，还包括：
15.根据权利要求13所述的微发光二极管基板，还包括：
16.根据权利要求15所述的微发光二极管基板，其中，所述多条信号线包括第一信号线、第二信号线、接地线、工作电压线和数据线，
17.根据权利要求1-5所述的微发光二极管基板，还包括：
18.一种显示装置，包括根据权利要求1-17中任一项所述的微发光二极管基板。
19.一种微发光二极管基板的制作方法，包括：
20.根据权利要求19所述的制作方法，其中，提供一个基板包括：
21.根据权利要求20所述的制作方法，其中，在所述基板上形成多个连接过孔包括：
22.根据权利要求21所述的制作方法，其中，所述第二子部的平均孔径大于所述第一子部的平均孔径。
23.根据权利要求22所述的微发光二极管基板，其中，沿所述基板指向所述驱动电路层的方向上，所述第一子部的孔径不变，且所述第二子部的孔径逐渐变小，所述第二子部的最大孔径大于所述第一子部的孔径。
24.根据权利要求22所述的微发光二极管基板，其中，所述第一子部沿垂直于所述基板的平面的截面包括矩形，所述第二子部沿垂直于所述基板的平面的截面包括梯形。
25.根据权利要求21所述的制作方法，其中，所述衬底基板未打孔部分的厚度尺寸的取值范围为0.05-0.15mm。
...【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管基板，包括：
2.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其中，各所述微发光二极管包括第一极和第二极，各所述第一导电结构的一端与所述驱动电路层相连，各所述第一导电结构的另一端在所述基板的所述第二侧露出以作为焊盘，所述焊盘被配置为与所述第一极或所述第二极相连。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其中，至少一个所述第一连接过孔包括：
4.根据权利要求3所述的微发光二极管基板，其中，沿所述基板指向所述驱动电路层的方向上，所述第一子部的孔径不变，且所述第二子部的孔径逐渐变小，所述第二子部的最大孔径大于所述第一子部的孔径。
5.根据权利要求4所述的微发光二极管基板，其中，所述第一子部沿垂直于所述基板的平面的截面包括矩形，所述第二子部沿垂直于所述基板的平面的截面包括梯形。
6.根据权利要求3-5中任一项所述的微发光二极管基板，其中，所述基板包括衬底基板和第一钝化层，所述第一子部位于所述衬底基板，所述第二子部位于所述第一钝化层。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的微发光二极管基板，其中，至少一个所述第一导电结构包括：
8.根据权利要求7所述的微发光二极管基板，其中，沿所述基板指向所述驱动电路层的方向上，所述第一导电部的径向尺寸不变，且所述第二导电部的径向尺寸逐渐变小，所述第二导电部的最大径向尺寸大于所述第一导电部的径向尺寸。
9.根据权利要求8所述的微发光二极管基板，其中，所述第一导电部沿垂直于所述基板的平面的截面包括矩形，所述第二导电部沿垂直于所述基板的平面的截面包括梯形。
10.根据权利要求7所述的微发光二极管基板，其中，所述基板包括衬底基板和第一钝化层，所述第一导电部位于所述衬底基板，所述第二导电部位于所述第一钝化层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡海峰，曾亭，查鑫，
申请(专利权)人：合肥京东方瑞晟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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