【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请是如下申请：以2022年6月3日在日本提出申请的jp2022－090905(申请号)为基础申请，主张该基础申请的优选权。jp2022－090905所记载的所有内容通过被参照并入到本申请中。本专利技术的一个方式涉及多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法，例如，涉及减小因多射束描绘而引起的图案的尺寸偏移的方法。
技术介绍
1、担负半导体设备的微细化的进展的光刻技术是在半导体制造工序中唯一生成图案的极其重要的工艺。近年来，随着lsi的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年微细化。此处，电子线(电子束)描绘技术在本质上具有优异的析像度，使用电子线向掩模坯描绘掩模图案。
2、例如，有使用了多射束的描绘装置。与用一个电子束描绘的情况相比，通过使用多射束，能够一次照射较多的射束，因此能够大幅度提高生产率。在这种多射束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪发射的电子束通过具有多个孔的掩模而形成多射束，分别进行消隐控制，未被遮挡的各射束由光学系统缩小，由此，掩模像被缩小，由偏转器偏转，从而向试样上的所希望的位置照射。
3、在多射束描绘中，通过照射时间控制从各射束照射的剂量。然而，由于消隐控制机构的故障等而难以进行照射时间控制，可能产生成为不照射射束的始终截止射束的缺陷射束。在未将必要的剂量照射到试样的情况下，存在产生形成在试样上的图案的形状误差的问题。针对这种问题，提出了运算与想要描绘的描绘图案相应的各像素的剂量、将始终截止缺陷射束所负责的像素中不足的量的剂量分配给周围的射束从而进行校正(例如参照专利文献1)。然
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2019－033117号公报
技术实现思路
1、专利技术将要解决的技术问题
2、本专利技术的一个方式提供能够在多射束描绘中避免缺陷射束校正的数据处理赶不上描绘处理速度的装置以及方法。
3、用于解决技术问题的手段
4、本专利技术的一方式的多带电粒子束描绘装置的特征在于，具备：
5、射束形成机构，形成多带电粒子束；
6、缺陷校正数据制作电路，与用于描绘的描绘图案无关地使用剂量分布来制作缺陷校正数据，该剂量分布以同样的剂量定义与多带电粒子束整体的照射区域对应的试样面上的单位区域的各位置，该缺陷校正数据定义剂量调制率，该剂量调制率用于将多带电粒子束中的成为始终射束截止的缺陷射束所负责的位置的剂量向其他一个以上的像素分配从而进行校正；
7、存储装置，存储缺陷校正数据；
8、剂量运算电路，针对每个描绘图案，对与该描绘图案相应的试样上的各位置的单独的剂量进行运算；
9、剂量校正电路，针对每个描绘图案，从存储装置读出缺陷校正数据，通过剂量分配来校正与该描绘图案相应的试样上的各位置的单独的剂量，获得校正后的剂量，剂量分配使用了对所读出的缺陷校正数据中定义的剂量调制率乘以试样上的各位置的单独的剂量而得的值；以及
10、描绘机构，使用以校正后的所述剂量照射的所述多带电粒子束，在所述试样上描绘所述描绘图案。
11、本专利技术的一方式的多带电粒子束描绘方法的特征在于，包括如下步骤：
12、形成多带电粒子束，
13、与用于描绘的描绘图案无关地使用剂量分布来制作缺陷校正数据，该剂量分布以同样的剂量定义与多带电粒子束整体的照射区域对应的试样面上的单位区域的各位置，该缺陷校正数据定义剂量调制率，该剂量调制率用于将多带电粒子束中的成为始终射束截止的缺陷射束所负责的位置的剂量向其他一个以上的像素分配从而进行校正，
14、将缺陷校正数据存储于存储装置，
15、针对每个描绘图案，对与该描绘图案相应的试样上的各位置的单独的剂量进行运算，
16、针对每个描绘图案，从存储装置读出缺陷校正数据，通过剂量分配来校正与该描绘图案相应的试样上的各位置的单独的剂量，获得校正后的剂量，剂量分配使用了对所读出的缺陷校正数据中定义的剂量调制率乘以试样上的各位置的单独的剂量而得到的值，
17、使用以校正后的剂量照射的多带电粒子束，在试样上描绘描绘图案。
18、专利技术效果
19、根据本专利技术的一个方式，在多射束描绘中，能够避免缺陷射束校正的数据处理赶不上描绘处理速度的情况。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种多带电粒子束描绘装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
8.一种多带电粒子束描绘方法，其特征在于，包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的多带电粒子束描绘方法，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的多带电粒子束描绘方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种多带电粒子束描绘装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤靖雄，川名亮，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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