【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种腔体结构及沉积设备。
技术介绍
1、沉积工艺是半导体制造工艺中常见的成膜工艺。沉积工艺主要包括化学气相沉积（cvd，chemical vapor deposition）、物理气相沉积（pvd，physical vapor deposition）以及原子层沉积工艺（ald，atomic layer deposition）。以化学气相沉积为例，化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在晶圆表面，制得薄膜的工艺技术。该工艺技术通过沉积设备得以实现，具体地，在沉积设备中腔体结构内制得薄膜。
2、相关技术中，沉积设备通常采用包含两个腔体的腔体结构进行薄膜的制备，如此，可以在相同时间内，在两个晶圆上制备目标薄膜，可以提高沉积设备的制备效率，然而，相关技术中的腔体结构因为进气总管路对两个腔体的气体分配不均匀，使两个腔体内制备的薄膜的膜厚和膜质存在较大的差异。因此，相关技术中的腔体结构的两腔体制备的薄膜的膜厚和膜质的差异有待减小。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种腔体结构和沉积设备，至少有利于减小腔体结构中两腔体制备的薄膜的膜厚和膜质的差异。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种腔体结构，包括：第一腔体、第二腔体以及位于所述第一腔体以及所述第二腔体之间的连通通道，所述连通通道用于连通所述第一腔体以及所述第二腔体，所述第一腔体内具有第一进气机构，所述第一进气机构用于向所述第一腔体内部提供
3、在一些实施例中，所述出气调控机构包括：遮挡部件，所述遮挡部件位于所述出气通道以及所述连通通道内；调节部件，所述调节部件用于控制所述遮挡部件的位置可调，使所述第一排气孔的开度可调，并使所述第二排气孔的开度可调。
4、在一些实施例中，所述遮挡部件顶部与所述连通通道顶部抵接，所述遮挡部件用于将所述连通通道分为与所述第一腔体连通的一部分和与所述第二腔体连通的另一部分。
5、在一些实施例中，所述出气通道包括：相连通的主出气通道和位于所述主出气通道两侧的分出气通道，其中一所述分出气通道与所述第一腔体的距离小于所述分出气通道与所述第二腔体的距离，另一所述分出气通道与所述第二腔体的距离小于所述分出气通道与所述第一腔体的距离；所述遮挡部件包括：遮挡部，所述遮挡部位于所述分出气通道与所述连通通道的连通处；活动部，所述活动部与所述遮挡部连接，所述活动部运动带动所述遮挡部的位置可调。
6、在一些实施例中，所述连通通道包括：第一连通出气通道和第二连通出气通道；所述出气通道包括：第一出气通道，所述第一出气通道与所述第一连通出气通道连通；第二出气通道，所述第二出气通道与所述第二连通出气通道连接；其中，所述遮挡部件位于所述第二出气通道以及所述第二连通出气通道内；所述遮挡部件包括：遮挡部，所述遮挡部位于所述第二出气通道与所述第二连通出气通道的连通处；活动部，所述活动部与所述遮挡部连接，所述活动部运动带动所述遮挡部的位置可调，以调整所述第一排气孔的开度以及所述第二排气孔的开度。
7、在一些实施例中，所述遮挡部朝向所述出气通道的一侧具有两卡槽板，两所述卡槽板用于形成卡槽，所述调节部件包括：转动连接部，所述转动连接部用于与所述活动部远离所述遮挡部的一端可转动连接；转动动力部和转轴，所述转轴一端与所述转动动力部可转动连接，另一端与所述活动部连接，所述转动动力部为所述转轴提供动力，使所述转轴绕所述转动动力部转动，所述转轴转动带动所述活动部绕所述转动连接部转动；滑块，所述滑块位于所述卡槽内，并与所述卡槽板滑动连接，所述滑块还与所述活动部远离所述转动连接部的一端可转动连接；其中，所述转轴绕所述转动动力部转动，带动所述活动部绕所述转动连接部转动，所述活动部转动带动所述滑块在所述卡槽内滑动并带动所述遮挡部的位置可调。
8、在一些实施例中，所述调节部件为连杆，所述连杆与所述遮挡部件连接，并贯穿所述出气通道侧壁，所述连杆的位置可调，以带动所述遮挡部件的位置可调；所述出气调控机构还包括：第一固定密封件，所述第一固定密封件套设于位于所述出气通道外侧部分的所述连杆外周并与所述出气通道侧壁抵接，用于固定所述连杆，并使所述出气通道内的气体不从所述出气通道与所述连杆的连接处泄露，所述第一固定密封件还与所述连杆可拆卸连接。
9、在一些实施例中，所述调节部件包括：螺纹杆，所述螺纹杆与所述遮挡部件螺纹连接，所述螺纹杆中至少一端贯穿所述出气通道侧壁；至少一个旋钮，所述旋钮与所述螺纹杆贯穿所述出气通道侧壁的一端连接，所述旋钮转动带动所述螺纹杆转动，以带动所述遮挡部件的位置可调。
10、在一些实施例中，所述遮挡部件内包含磁铁，所述调节部件为通电线圈，所述调节部件位于所述出气通道外，通过改变所述通电线圈的电流大小和电流方向使所述遮挡部件的位置可调。
11、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种沉积设备，包括上述任一实施例所述的腔体结构。
12、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
13、在本公开实施例提供的腔体结构中，腔体结构包括：第一腔体、第二腔体以及位于第一腔体以及第二腔体之间的连通通道，连通通道用于连通第一腔体以及第二腔体，第一腔体内具有第一进气机构，第一进气机构用于向第一腔体内部提供气体，第二腔体内具有第二进气机构，第二进气机构用于向第二腔体内部提供气体；进气总管路，进气总管路用于连通提供气体的进气管，并与第一进气机构和第二进气机构均连接，用于为第一腔体和第二腔体提供气体；第一基座以及第二基座，第一基座设置于第一腔体内，第二基座设置于第二腔体内，第一基座和第二基座均用于承载晶圆；出气通道，出气通道与连通通道相连通，且还用于与抽气泵连接，以经由出气通道抽取第一腔体内以及第二腔体内的气体；出气调控机构，至少部分出气调控机构位于出气通道以及连通通道内，出气调控机构用于将连通通道与出气通道相连通的部分分隔为第一排气孔以及第二排气孔，第一排气孔与第一腔体相本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种腔体结构，应用于沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的腔体结构，其特征在于，所述遮挡部件顶部与所述连通通道顶部抵接，所述遮挡部件用于将所述连通通道分为与所述第一腔体连通的一部分和与所述第二腔体连通的另一部分。
3.根据权利要求1所述的腔体结构，其特征在于，所述出气通道包括：
4.根据权利要求1所述的腔体结构，其特征在于，所述连通通道包括：
5.根据权利要求3或4所述的腔体结构，其特征在于，所述遮挡部朝向所述出气通道的一侧具有两卡槽板，两所述卡槽板用于形成卡槽，所述调节部件包括：
6.根据权利要求2~4中任一项所述的腔体结构，其特征在于，所述调节部件为连杆，所述连杆与所述遮挡部件连接，并贯穿所述出气通道侧壁，所述连杆的位置可调，以带动所述遮挡部件的位置可调；
7.根据权利要求2~4中任一项所述的腔体结构，其特征在于，所述调节部件包括：
8.根据权利要求2~4中任一项所述的腔体结构，其特征在于，所述遮挡部件内包含磁铁，所述调节部件为通电线圈，所述调节部件位于所述出气通道外，通过
9.一种沉积设备，其特征在于，包括如权利要求1~8中任一项所述的腔体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种腔体结构，应用于沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的腔体结构，其特征在于，所述遮挡部件顶部与所述连通通道顶部抵接，所述遮挡部件用于将所述连通通道分为与所述第一腔体连通的一部分和与所述第二腔体连通的另一部分。
3.根据权利要求1所述的腔体结构，其特征在于，所述出气通道包括：
4.根据权利要求1所述的腔体结构，其特征在于，所述连通通道包括：
5.根据权利要求3或4所述的腔体结构，其特征在于，所述遮挡部朝向所述出气通道的一侧具有两卡槽板，两所述卡槽板用于形成卡槽，所述调节部件包括：
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：周纬，李继刚，朱顺利，张俊，
申请(专利权)人：江苏首芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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