本技术提供一种喷淋盘和CVD设备，该喷淋盘包括主体，所述主体内设置有腔体，所述主体上可拆卸地连接有至少一个喷淋头，喷淋头内设置有喷淋孔，喷淋孔与腔体连通；该CVD设备包括一反应腔室和喷淋盘，喷淋盘设置在反应腔室内；当喷淋盘中的某一或某些喷喷造成晶圆表面膜厚的均匀性差或杂质颗粒数偏高时可单独更换对应喷淋头，具有节约成本、省时省力的优点。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体生产设备领域，具体是涉及一种喷淋盘和cvd设备。
技术介绍
1、cvd即化学气相沉积，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。cvd设备具有一反应腔室，反应腔室内设置有喷淋盘。
2、如图1所示，现有的喷淋盘10一般设为圆盘状，喷淋盘10上开设有众多喷淋孔101。沉积制程中气体从各个喷淋孔101喷出到达晶圆方上并发生化学气相沉积反应，以在晶圆表面生成薄膜。由于喷淋孔101与喷淋盘10为一体成型，当喷淋盘10的某一或某些喷淋孔101造成晶圆表面膜厚的均匀性差或杂质颗粒数偏高时，需要整体更换整个喷淋盘10，不仅成本高，而且费时费财费力。
技术实现思路
1、本技术的第一目的是提供一种可更换喷淋头的喷淋盘。
2、本技术的第二目的是提供一种包含上述喷淋盘的cvd设备。
3、为了实现上述的第一目的，本技术提供的一种喷淋盘，包括主体，主体内设置有腔体，主体上可拆卸地连接有至少一个喷淋头，喷淋头内设置有喷淋孔，喷淋孔与腔体连通。
4、由上述方案可见，通过设置喷淋头与主体可拆卸连接，当某一或某些喷淋头造成晶圆表面膜厚的均匀性差或杂质颗粒数偏高时，可单独拆卸该喷淋头并更换其它喷淋头，与现有技术相比，具有成本低、省时省力的优点。
5、进一步的方案是，喷淋头的连接端与主体螺纹连接，或者，喷淋头的连接端与主体卡接，或者，喷淋头的连接端与主体磁吸连接。
>6、进一步的方案是，喷淋头的自由端到主体之间具有预设距离。7、由上述方案可见，通过设置该预设距离，方便在安装或拆卸喷淋头时，工作人员可握持喷淋头，方便操作。
8、进一步的方案是，喷淋头内设置有一个或两个以上的喷淋孔。
9、进一步的方案是，喷淋头的数量设为多个，多个喷淋头均匀地分布在腔体的一侧腔壁上。
10、更进一步的方案是，多个喷淋头包括中心喷淋头和多个边缘喷淋头，中心喷淋头设置在主体的中心处，多个边缘喷淋头排列设置在中心喷淋头的周向上。
11、又进一步的方案是，多个边缘喷淋头沿一圆圈排列布置，或者，多个边缘喷淋头沿两个以上的圆圈排列布置，且所有圆圈同轴设置。
12、进一步的方案是，喷淋盘还包括多个备用喷淋头，备用喷淋头能与主体可拆卸连接，备用喷淋头内设置有至少一个备用喷淋孔，备用喷淋孔与腔体连通，备用喷淋孔的孔径与喷淋孔的孔径相等，或者，备用喷淋孔的孔径与喷淋孔的孔径不相等。
13、由上述方案可见，通过设置备用喷淋头，方便替换主体上坏了的喷淋头，确保喷淋盘能均匀喷淋；通过设置不同孔径的备用喷淋孔，方便根据生成膜厚的均匀性实际需求选择合适规格的孔径的备用喷淋头。
14、进一步的方案是，主体上开设有至少一个一体喷淋孔，一体喷淋孔与主体一体成型，一体喷淋孔与腔体连通，一体喷淋孔与喷淋头错位设置。
15、由上述方案可见，通过设置一体喷淋孔与喷淋头错位设置，喷淋头设置在喷淋过程中容易出现问题的区域，一体喷淋孔设置在喷淋过程中不易出现问题的区域，既能及时更换喷淋头，又能提高喷淋盘的喷淋均匀性。
16、为了实现上述的第二目的，本技术提供的一种cvd设备，包括一反应腔室和上述的喷淋盘，喷淋盘设置在反应腔室内。
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【技术保护点】
1.一种喷淋盘，包括主体，所述主体内设置有腔体，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的喷淋盘，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的喷淋盘，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的喷淋盘，其特征在于：
5.根据权利要求1至4任一项所述的喷淋盘，其特征在于：
6.根据权利要求1至4任一项所述的喷淋盘，其特征在于：
7.根据权利要求1至4任一项所述的喷淋盘，其特征在于：
8.根据权利要求1至4任一项所述的喷淋盘，其特征在于：
9.根据权利要求1至4任一项所述的喷淋盘，其特征在于：
10. CVD设备，其特征在于：包括一反应腔室和上述权利要求1至9任一项所述的喷淋盘，所述喷淋盘设置在所述反应腔室内。
【技术特征摘要】
1.一种喷淋盘，包括主体，所述主体内设置有腔体，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的喷淋盘，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的喷淋盘，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的喷淋盘，其特征在于：
5.根据权利要求1至4任一项所述的喷淋盘，其特征在于：
6.根据权利要求1至4任一项所述的喷淋...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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