【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别涉及一种衬底及其制备方法、发光二极管芯片。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于背光、照明、景观等各个光源领域。led芯片通常包括衬底和位于衬底的表面的发光结构。
2、相关技术中，衬底包括蓝宝石衬底本体和位于蓝宝石衬底本体的表面的多个凸起，其中，凸起的底部为蓝宝石层。
3、然而，发光结构发出的光线中，发光结构和凸起的底部位置的蓝宝石层的侧壁的交界面的全反射角较大，该底部位置的侧壁的交界面仅有少部分入射角较大光线才会产生全反射，从而影响衬底对光线的反射率，影响led芯片的发光效率。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种衬底及其制备方法、发光二极管芯片，能提高led芯片的发光效率。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种衬底，包括第一蓝宝石层和位于所述第一蓝宝石层的第一表面的多个凸起，所述凸起包括主体和二氧化硅层，所述主体和所述二氧化硅层沿远离所述第一蓝宝石层的方向依次层叠，所述二氧化硅层覆盖所述主体的顶面以及至少部分侧壁，所述顶面为所述主体的远离所述第一表面的表面，所述至少部分侧壁与所述顶面连接。
3、可选地，所述主体包括沿远离所述第一蓝宝石层的方向依次层叠的第二蓝宝石层和第一分布式布拉格反射(distributed bragg reflection，dbr)层，所述二氧化硅层包覆所述第一dbr层
4、可选地，所述第一dbr层包覆所述第二蓝宝石层且与所述第一表面连接，所述二氧化硅层与所述第一表面连接。
5、可选地，所述二氧化硅层与所述第二蓝宝石层连接，并且所述二氧化硅层在所述第一表面的正投影位于所述第二蓝宝石层在所述第一表面的正投影的内部。
6、可选地，所述第二蓝宝石层在所述第一表面的正投影的外轮廓上的任意点到所述第一dbr层在所述第一表面的正投影的外轮廓之间的最小距离为0.1μm至0.5μm。
7、可选地，所述第一dbr层在所述第一表面的正投影的外轮廓上的任意点到所述二氧化硅层在所述第一表面的正投影的外轮廓之间的最小距离为0.1μm至0.5μm。
8、可选地，所述主体为第二蓝宝石层，所述二氧化硅层包覆所述第二蓝宝石层且与所述第一表面连接。
9、可选地，所述第二蓝宝石层在所述第一表面的正投影的外轮廓上的任意点到所述二氧化硅层在所述第一表面的正投影的外轮廓之间的最小距离为0.1μm至0.5μm。
10、另一方面，提供了一种衬底的制备方法，包括：提供一第一蓝宝石层；在所述第一蓝宝石层的第一表面上形成多个凸起，所述凸起包括主体和二氧化硅层，所述主体和所述二氧化硅层沿远离所述第一蓝宝石层的方向依次层叠，所述二氧化硅层覆盖所述主体的顶面以及至少部分侧壁，所述顶面为所述主体的远离所述第一表面的表面，所述至少部分侧壁与所述顶面连接。
11、又一方面，提供了一种发光二极管芯片，包括衬底和发光结构，所述衬底为前述任一种衬底，所述发光结构位于所述多个凸起的表面。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
13、本公开实施例中，凸起包括主体和二氧化硅层，主体和二氧化硅层沿远离第一蓝宝石层的方向依次层叠，二氧化硅层覆盖主体的顶面以及至少部分侧壁，顶面为主体的远离第一表面的表面，至少部分侧壁与顶面连接，这样，后续在多个凸起的表面形成发光结构后，发光结构与凸起的底部位置的部分侧壁的交界面为发光结构与二氧化硅层的交界面。与蓝宝石材料相比，发光结构的折射率较大，二氧化硅层的折射率较小，也即是，发光结构与二氧化硅层的折射率差值更大，由于光线从较高折射率的膜层进入较低折射率的膜层时，膜层的折射率差值越大，全反射角越小，因此发光结构和二氧化硅层交界面的全反射角更小，发光结构发出的光线从发光结构射向凸起时，在凸起的底部位置的侧壁会有更多的入射角小的光线发生全反射，从而可以提高衬底对光线的反射率，提高led芯片的发光效率。
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1.一种衬底，其特征在于，包括第一蓝宝石层(10)和位于所述第一蓝宝石层(10)的第一表面(11)的多个凸起(20)，
2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述主体包括沿远离所述第一蓝宝石层(10)的方向依次层叠的第二蓝宝石层(21)和第一分布式布拉格反射层(22)，所述二氧化硅层(23)包覆所述第一分布式布拉格反射层(22)。
3.根据权利要求2所述的衬底，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射层(22)包覆所述第二蓝宝石层(21)且与所述第一表面(11)连接，所述二氧化硅层(23)与所述第一表面(11)连接。
4.根据权利要求2所述的衬底，其特征在于，所述二氧化硅层(23)与所述第二蓝宝石层(21)连接，并且所述二氧化硅层(23)在所述第一表面(11)的正投影位于所述第二蓝宝石层(21)在所述第一表面(11)的正投影的内部。
5.根据权利要求3所述的衬底，其特征在于，所述第二蓝宝石层(21)在所述第一表面(11)的正投影的外轮廓上的任意点到所述第一分布式布拉格反射层(22)在所述第一表面(11)的正投影的外轮廓之间的最小距离
6.根据权利要求2至5任一项所述衬底，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射层(22)在所述第一表面(11)的正投影的外轮廓上的任意点到所述二氧化硅层(23)在所述第一表面(11)的正投影的外轮廓之间的最小距离为0.1μm至0.5μm。
7.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述主体为第二蓝宝石层(21)，所述二氧化硅层(23)包覆所述第二蓝宝石层(21)且与所述第一表面(11)连接。
8.根据权利要求7所述的衬底，其特征在于，所述第二蓝宝石层(21)在所述第一表面(11)的正投影的外轮廓上的任意点到所述二氧化硅层(23)在所述第一表面(11)的正投影的外轮廓之间的最小距离为0.1μm至0.5μm。
9.一种衬底的制备方法，其特征在于，包括：
10.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括衬底和发光结构，所述衬底为权利要求1至8任一项所述的衬底，所述发光结构位于所述多个凸起(20)的表面。
...【技术特征摘要】
1.一种衬底，其特征在于，包括第一蓝宝石层(10)和位于所述第一蓝宝石层(10)的第一表面(11)的多个凸起(20)，
2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述主体包括沿远离所述第一蓝宝石层(10)的方向依次层叠的第二蓝宝石层(21)和第一分布式布拉格反射层(22)，所述二氧化硅层(23)包覆所述第一分布式布拉格反射层(22)。
3.根据权利要求2所述的衬底，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射层(22)包覆所述第二蓝宝石层(21)且与所述第一表面(11)连接，所述二氧化硅层(23)与所述第一表面(11)连接。
4.根据权利要求2所述的衬底，其特征在于，所述二氧化硅层(23)与所述第二蓝宝石层(21)连接，并且所述二氧化硅层(23)在所述第一表面(11)的正投影位于所述第二蓝宝石层(21)在所述第一表面(11)的正投影的内部。
5.根据权利要求3所述的衬底，其特征在于，所述第二蓝宝石层(21)在所述第一表面(11)的正投影的外轮廓上的任意点到所述第一分布式布拉格反射层(22...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝亚磊，张旭东，韩艺蕃，王绘凝，王江波，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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