【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及防护膜，尤其涉及一种中红外基底防护膜及其制备方法和应用。
技术介绍
1、中红外玻璃是具有红外透过性能的特种玻璃材料，其不仅具有优良的透红外性能，还具有光学均匀性好、制造成本低廉、易于加工成大尺寸或复杂形状制品的优点，一直以来都是红外材料研究应用的重点。目前已经实用化的中红外玻璃包括铝酸盐玻璃、镓酸盐玻璃、重金属氟化物玻璃等。
2、随着科学技术的快速发展，对光学成像系统的需求日益增加，尤其是对中红外窗口材料提出了更广泛的应用环境的要求，这就要求窗口材料具备较高的稳定性。然而，中波红外玻璃系统整体的稳定性往往较差，在实际应用环境中，其表面易潮解、发霉，影响其作为窗口材料透过性能和使用性能。
3、为了满足新一代红外光电系统领域对高稳定中红外窗口材料的需求，提高中波红外玻璃的稳定性具有重要意义。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于，提供一种中红外基底防护膜及其制备方法和应用，所要解决的技术问题是如何提供一种中红外基底防护膜，将其设置在中红外基底表面后，能提高中红外基底的化学稳定性和耐腐蚀性，改善中红外基底对复杂使役环境如潮湿、盐雾等的适应性能，从而更加适于实用。
2、本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种中红外基底防护膜，前述的中红外基底防护膜由ta2o5膜层与sio2膜层交叠构成，前述的中红外基底防护膜设置在中红外基底表面。
3、本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下
4、在一些实施例中，在前述的中红外基底防护膜中，前述的中红外基底防护膜的厚度为900～1100nm。
5、在一些实施例中，在前述的中红外基底防护膜中，前述的中红外基底防护膜中，ta2o5膜层的总厚度为150～250nm，sio2膜层的总厚度为750～850nm。
6、在一些实施例中，在前述的中红外基底防护膜中，前述的中红外基底防护膜的堆叠方式为：
7、空气/sio2/ta2o5/sio2/ta2o5/sio2/ta2o5/sio2/ta2o5/前述的中红外基底。
8、在一些实施例中，在前述的中红外基底防护膜中，前述的中红外基底防护膜的各膜层厚度为：
9、空气/237～238nm/21～22nm/392～394nm/18～19nm/146～147nm/73～74nm/55～56nm/88～89nm/所述中红外基底。
10、在一些实施例中，在前述的中红外基底防护膜中，前述的中红外基底为镓酸盐玻璃。
11、在一些实施例中，在前述的中红外基底防护膜中，前述的中红外基底按氧化物质量百分比计，其组分包括：氧化镓29％～33％；氧化钙43％～46％；氧化钡5％～7％；氧化铝3.5％～6％；氧化钇2％～10％，以及，碱金属氧化物与除氧化钡以外的碱土金属氧化物的和为8％～11％。
12、本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种中红外基底防护膜的制备方法，其步骤包括：根据膜系设计方案，在中红外基底上逐层交叠镀制ta2o5膜层与sio2膜层，得到前述的中红外基底防护膜。
13、本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
14、在一些实施例中，在前述的中红外基底防护膜的制备方法中，采用离子束溅射法制备前述的中红外基底防护膜，工作条件如下：溅射功率为100～1500w，辅助源功率为100～300w；温度为120～200℃；镀膜转速为5～15rpm；氧气和氩气混合物流量为20～40sccm，氧气和氩气混合比例为8～10：1；靶基距为10～20cm；工作真空度为1～6×10-4pa。
15、本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。本专利技术提出任一种前述的中红外基底防护膜在红外光电系统领域的应用。
16、通过上述技术方案，本专利技术一种中红外基底防护膜及其制备方法和应用至少具有下列优点：
17、本专利技术提供一种中红外基底防护膜，其设置在中红外基底表面，由ta2o5膜层与sio2膜层交叠构成。该中红外基底防护膜为硬质防护膜层，膜层致密，设置在中红外基底表面，单面增透能提高中红外基底3.7μm～4.8μm透过率9％以上，提高中红外基底900～1700nm透过率9％以上，改善中红外基底对复杂使役环境适应性能，通过国军标gjb150-2009中关于潮湿、盐雾考核评价。
18、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
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1.一种中红外基底防护膜，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底防护膜的厚度为900～1100nm。
3.根据权利要求2所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底防护膜中，Ta2O5膜层的总厚度为150～250nm，SiO2膜层的总厚度为750～850nm。
4.根据权利要求2所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底防护膜的堆叠方式为：
5.根据权利要求4所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底防护膜的各膜层厚度为：
6.根据权利要求1所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底为镓酸盐玻璃。
7.根据权利要求6所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底按氧化物质量百分比计，其组分包括：氧化镓29％～33％；氧化钙43％～46％；氧化钡5％～7％；氧化铝3.5％～6％；氧化钇2％～10％，以及，碱金属氧化物与除氧化钡以外的碱土金属氧化物的和为8％～11％。
8.一种中红外基底防护膜的制备方法，其特征在于，其步骤包
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用离子束溅射法制备所述中红外基底防护膜，工作条件如下：溅射功率为100～1500W，辅助源功率为100～300W；温度为120～200℃；镀膜转速为5～15rpm；氧气和氩气混合物流量为20～40sccm，氧气和氩气混合比例为8～10：1；靶基距为10～20cm；工作真空度为1×10-4～6×10-4Pa。
10.权利要求1-7任一项所述的中红外基底防护膜在红外光电系统领域的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种中红外基底防护膜，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底防护膜的厚度为900～1100nm。
3.根据权利要求2所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底防护膜中，ta2o5膜层的总厚度为150～250nm，sio2膜层的总厚度为750～850nm。
4.根据权利要求2所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底防护膜的堆叠方式为：
5.根据权利要求4所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底防护膜的各膜层厚度为：
6.根据权利要求1所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底为镓酸盐玻璃。
7.根据权利要求6所述的中红外基底防护膜，其特征在于，所述中红外基底按氧化物质量百分比计，其组分包括：氧化镓29％～33％；氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵华，韩滨，刘永华，金扬利，韩彤钰，张宝东，周鹏，祖成奎，何坤，赵凡，
申请(专利权)人：中国建筑材料科学研究总院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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