【技术实现步骤摘要】
本申请大体上涉及半导体技术，且更具体地说，涉及具有多种类型焊球的半导体封装。
技术介绍
1、半导体芯片内部的互连用引线非常细，其宽度在几微米或更小的数量级上。这种引线的形成使得可以制造包含数百万个或更多互连组件的半导体芯片。然而，在某些时候，需要在芯片和外部世界之间建立连接，这时难以采用如此小的引线容差。
2、为了将半导体芯片连接到外部设备或系统，印刷电路板(pcb)、中间层或其他类似基板被广泛使用来安装芯片，从而形成具有较大尺寸的半导体封装。pcb上的引线比芯片上的引线粗得多，通常以毫米为单位。将芯片引线直接连接到pcb引线是不切实际的。因此，需要一种中间结构，其能够处理这种引线宽度范围的变化。
3、这种结构的一个实施例是球栅阵列(bga)。bga封装技术是一种应用于集成电路的表面贴装技术，常用于永久固定如微处理器等器件。bga封装是封装基板底部的一个阵列，其中焊球被用作电路的输入/输出(i/o)端子，并连接到pcb。
4、焊球具有信号传导、电气连接和热传导的功能。在现有的bga封装中，封装基板背面的焊球通常是相同的。焊球越大，热传导能力越强。然而与此同时，焊球越大，占据的基板面积也越大，这与bga的高密度和高引脚输出相冲突。
5、因此，有必要对半导体封装进行进一步改进。
技术实现思路
1、本申请的目标是提供一种具有改进的散热效率的封装结构。
2、根据本申请的一个方面，提供了一种半导体封装。所述半导体封装包括：具有正面和
3、应理解，以上一般描述和以下详细描述两者仅是示例性和解释性的并且并不限制本专利技术。此外，并入在本说明书中且构成本说明书的一部分的附图说明了本专利技术的实施例，并且与描述一起用以解释本专利技术的原理。
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1.一种半导体封装，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一类型焊球具有比所述第二类型焊球更高的热导率和电导率。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述第一类型焊球包括金属核芯和包覆在所述金属核芯外部的焊料。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，在从垂直于所述封装基板所述正面的方向观察时，所述一组背面焊球中的每一个第一类型焊球与所述一组正面焊球中的一个第一类型焊球垂直对齐。
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，所述一组背面焊球中的每一个第一类型焊球与所述一组正面焊球中的一个第一类型焊球通过与所述封装基板基本垂直的互连路径电耦接。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述一组背面焊球中的每一个第一类型焊球与所述一组正面焊球中的一个第一类型焊球通过长度等于或短于其他互连路径的一个互连路径电耦接，其中所述其他互连路径分别将所述一组正面焊球中的一个第二类型焊球与所述一组背面焊球中的一个焊球电耦接，或者分别将所述一组背面焊球中的一个第二类型焊球与
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述一组背面焊球中的每一个第一类型焊球与所述一组正面焊球中的一个第一类型焊球通过导电率和导热率等于或高于其他互连路径的一个互连路径电耦接，其中所述其他互连路径分别将所述一组正面焊球中的一个第二类型焊球与所述一组背面焊球中的一个焊球电耦接，或者分别将所述一组背面焊球中的一个第二类型焊球与所述一组正面焊球中的一个焊球电耦接。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述一组正面焊球还包括一个或多个第三类型焊球，其热膨胀系数小于所述第一类型焊球和所述第二类型焊球的热膨胀系数。
9.根据权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述一组正面焊球中的所述一个或多个第三类型焊球位于所述一组正面焊球中的所述一个或多个第二类型焊球的外侧。
10.根据权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述一个或多个第三类型焊球位于所述电子元件下方的区域，该区域在所述半导体封装使用过程中产生最大机械应力。
11.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述一组背面焊球还包括一个或多个第三类型焊球，其热膨胀系数小于所述第一类型焊球和所述第二类型焊球。
12.根据权利要求11所述的半导体封装，其特征在于，所述一组背面焊球中的所述一个或多个第三类型焊球位于所述一组背面焊球中的所述一个或多个第一类型焊球的外侧。
13.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述一组正面焊球中的所述一个或多个第一类型焊球位于所述电子元件下方的区域，该区域比所述电子元件的其他区域产生更多的功耗。
14.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述电子元件为半导体芯片。
15.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述电子元件为至少包含两个半导体芯片的半导体封装。
16.根据权利要求15所述的半导体封装，其特征在于，所述半导体封装为Chiplet封装。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一类型焊球具有比所述第二类型焊球更高的热导率和电导率。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其特征在于，所述第一类型焊球包括金属核芯和包覆在所述金属核芯外部的焊料。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，在从垂直于所述封装基板所述正面的方向观察时，所述一组背面焊球中的每一个第一类型焊球与所述一组正面焊球中的一个第一类型焊球垂直对齐。
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其特征在于，所述一组背面焊球中的每一个第一类型焊球与所述一组正面焊球中的一个第一类型焊球通过与所述封装基板基本垂直的互连路径电耦接。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述一组背面焊球中的每一个第一类型焊球与所述一组正面焊球中的一个第一类型焊球通过长度等于或短于其他互连路径的一个互连路径电耦接，其中所述其他互连路径分别将所述一组正面焊球中的一个第二类型焊球与所述一组背面焊球中的一个焊球电耦接，或者分别将所述一组背面焊球中的一个第二类型焊球与所述一组正面焊球中的一个焊球电耦接。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述一组背面焊球中的每一个第一类型焊球与所述一组正面焊球中的一个第一类型焊球通过导电率和导热率等于或高于其他互连路径的一个互连路径电耦接，其中所述其他互连路径分别将所述一组正面焊球中的一个第二类型焊球与所述一组背面焊球中的一个焊球电耦接，或者分别将所述一组背面焊球中的一个第二类型...
【专利技术属性】
技术研发人员：应战，刘恺，王亚琴，
申请(专利权)人：长电科技管理有限公司，
类型：发明
国别省市：
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