【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶硅生产，尤其涉及一种硅料加料装置及方法。
技术介绍
1、晶硅作为半导体行业和光伏行业的基础材料，主要采用直拉法通过单晶炉制备得到。单晶炉在拉制硅棒之前硅料处理流程主要包括加料桶装料、挂料、加料、抽真空和化料。然而受加料桶容积的限制，每次单晶炉抽真空前，需要重复多次加料桶装料、挂料以及向单晶炉中加料的工序。多次加料导致了人力和时间的浪费。另外，加料后的抽真空工序和化料工序(将硅料从常温加热至熔点温度，以使硅料熔化)，也需要消耗较长时间。因此，目前亟需一种可以减少晶硅生产时间的装置及方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种硅料加料装置及方法，可以实现一次性大量加料，缩短晶硅生产时间，提高生产效率。
2、为实现上述目的，根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种硅料加料装置，包括：包含中空腔的承载结构、硅料存放桶、提拉结构及对接结构；
3、上述硅料存放桶设置于上述承载结构的中空腔内；
4、上述硅料存放桶包括筒体以及阻隔板；
5、上述筒体用于存放硅料；
6、上述阻隔板与上述筒体底部活动连接，且上述阻隔板与上述提拉结构连接；
7、上述提拉结构驱动上述阻隔板，以改变上述阻隔板与上述筒体底部相对关系，使上述筒体底部在密封状态与非密封状态之间切换；
8、上述对接结构设置于上述承载结构的下端，用于与单晶炉的主室密封盖或副室密封盖对接，以在上述筒体底部为非密封状态下，将上述筒体内存放
9、为实现上述目的，根据本专利技术实施例的又一方面，提供了一种硅料加料方法，采用如上任一所述的硅料加料装置，包括：
10、将硅料投入上述硅料加料装置；
11、将上述硅料加料装置与单晶炉的主室密封盖或副室密封盖对接；
12、将上述硅料加料装置中存放的硅料投入上述单晶炉中。
13、上述专利技术中的一个实施例具有如下优点或有益效果：可以通过将其与单晶炉的主室密封盖或副室密封盖对接进行加料，外置于单晶炉的硅料加料装置容积不受限制，可以实现一次性大量加料，无需采用需要深入单晶炉内部进行加料、容积较小的加料桶，改善了采用加料桶加料导致加料次数多、耗费大量人力和时间的问题，大大缩短了晶硅生产时间，提高了生产效率。
14、上述的非惯用的可选方式所具有的进一步效果将在下文中结合具体实施方式加以说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硅料加料装置，其特征在于，包括：包含中空腔(101)的承载结构(1)、硅料存放桶(2)、提拉结构(3)及对接结构(4)；
2.根据权利要求1所述的硅料加料装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的硅料加料装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的硅料加料装置，其特征在于，还包括：可伸缩引料筒(9)，其中，
5.根据权利要求4所述的硅料加料装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的硅料加料装置，其特征在于，
7.根据权利要求1至6任一所述的硅料加料装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的硅料加料装置，其特征在于，对接挡板402包括相匹配的两个对接门；
9.根据权利要求4-6任一所述的硅料加料装置，其特征在于，还包括：存放桶固定部(10)；
10.一种硅料加料方法，其特征在于，采用如权利要求1-9任一所述的硅料加料装置进行加料，包括：
【技术特征摘要】
1.一种硅料加料装置，其特征在于，包括：包含中空腔(101)的承载结构(1)、硅料存放桶(2)、提拉结构(3)及对接结构(4)；
2.根据权利要求1所述的硅料加料装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的硅料加料装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的硅料加料装置，其特征在于，还包括：可伸缩引料筒(9)，其中，
5.根据权利要求4所述的硅料加料装置，其特征在于，
6...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。