【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置等。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition ofmatter)。因此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。
技术介绍
1、近年来，对三维层叠设置包括sram单元或dram单元等的具有不同功能的电路的多个裸片(例如硅裸片)的结构的研究开发非常活跃(例如非专利文献1及非专利文献2)。
2、层叠的多个裸片通过利用tsv(through silicon via：硅通孔)等使用贯通电极的技术或者cu-cu(铜-铜)直接接合技术等使布线负荷降低，由此实现低功耗化及高速化(低延迟)。在层叠具有不同的功能电路的裸片而形成的半导体装置中，在z方向(层叠裸片的方向)上的时钟信号的管理及电源管理是很重要的。
3、[先行技术文献]
4、[非专利文献]
5、[非专利文献1]w.gomes etal.，issccdig.tech.papers、pp.42-43、2022.
6、[非专利文献2]m.parketal.，issccdig.tech.papers、pp.444-445、2022.
技术实现思路>
1、专利技术所要解决的技术问题
2、在基础裸片(以层叠的方式设置有多个裸片的裸片)上设置电源电路时，在将电源电压供应到离基础裸片较远的上层的裸片的结构中，电压下降的影响很大。因此，在z方向上的电源管理中，有不能保持电源电路供应的电压的均匀性的担忧。
3、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种在基础裸片上以三维的方式层叠多个裸片的结构中，供应到多个裸片所具有的功能电路的电压的均匀性优异的具有新颖结构的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种在基础裸片上以三维的方式层叠多个裸片的结构中，实现电源电路中的低功耗化的具有新颖结构的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种在基础裸片上以三维的方式层叠多个裸片的结构中，可以降低电源电路中的发热的影响的具有新颖结构的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖结构的半导体装置。
4、注意，本专利技术的一个方式的目的不局限于上述目的。上述列举的目的并不妨碍其他目的的存在。其他目的是指将在下面的记载中描述的上述以外的目的。本领域技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出上面没有提到的目的。注意，本专利技术的一个方式实现上述目的及/或其他目的中的至少一个目的。
5、解决技术问题的手段
6、本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括：具有生成第一电压的第一电源电路的基础裸片；具有通过被供应第一电压而生成第二电压的第二电源电路的第一裸片；以及具有通过被供应第二电压而工作的功能电路的第二裸片，其中，第一裸片及第二裸片包括第一贯通电极及第二贯通电极，第一裸片设置在基础裸片上，第二裸片以接触于第一裸片的上层或下层的方式设置，基础裸片与第一裸片通过第一贯通电极电连接，第一裸片与第二裸片通过第二贯通电极电连接。
7、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，第一电源电路为开关调节器。
8、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，第二电源电路为串联调节器。
9、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，功能电路为具有运算电路、外围电路、存储电路和驱动电路中的一个或多个功能的电路。
10、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，包括散热层，该散热层设置在第一裸片与第二裸片之间。
11、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，设置在不同的裸片上的第一贯通电极与第二贯通电极通过金属凸块电连接。
12、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，第二裸片包括具有在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管的层，具有晶体管的层以层叠的方式设置。
13、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，氧化物半导体包含in、ga及zn。
14、本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括：具有生成第一电压的第一电源电路的基础裸片；具有通过被供应第一电压而生成第二电压的第二电源电路的第一裸片；以及具有通过被供应第二电压而工作的功能电路的第二裸片及第三裸片，其中，第一裸片、第二裸片及第三裸片包括贯通电极，第一裸片设置在基础裸片上，第二裸片以接触于第一裸片的下层的方式设置，第三裸片以接触于第一裸片的上层的方式设置，基础裸片与第一裸片通过第一贯通电极电连接，第一裸片、第二裸片及第三裸片通过第二贯通电极电连接。
15、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，第一电源电路为开关调节器。
16、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，第二电源电路为串联调节器。
17、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，功能电路为具有运算电路、外围电路、存储电路和驱动电路中的一个或多个功能的电路。
18、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，包括散热层，该散热层设置在第一裸片与第二裸片之间以及第一裸片与第三裸片之间。
19、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，设置在不同的裸片上的第一贯通电极与第二贯通电极通过金属凸块电连接。
20、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，第二裸片及第三裸片包括具有在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管的层，具有晶体管的层以层叠的方式设置。
21、在本专利技术的一个方式的半导体装置中，优选的是，氧化物半导体包含in、ga及zn。
22、注意，本专利技术的其他方式记载于下面所述的实施方式中的说明及附图中。
23、专利技术效果
24、本专利技术的一个方式可以提供一种在基础裸片上以三维的方式层叠多个裸片的结构中，供应到多个裸片所具有的功能电路的电压的均匀性优异的具有新颖结构的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式可以提供一种在基础裸片上以三维的方式层叠多个裸片的结构中，实现电源电路中的低功耗化的具有新颖结构的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式可以提供一种在基础裸片上以三维的方式层叠多个裸片的结构中，可以降低电源电路中的发热的影响的具有新颖结构的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式可以提供一种具有新颖结构的半导体装置。
25、注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
9.一种半导体装置，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，
11.根据权利要求9所述的半导体装置，
12.根据权利要求9所述的半导体装置，
13.根据权利要求9所述的半导体装置，还包括：
14.根据权利要求9所述的半导体装置，
15.根据权利要求9所述的半导体装置，
16.根据权利要求15所述的半导体装置，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
9...
【专利技术属性】
技术研发人员：八洼裕人，黑川义元，乡户宏充，大下智，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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