【技术实现步骤摘要】
本技术属于电气绝缘,具体涉及一种整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构。
技术介绍
1、高压电机定子绕组通常需采用防晕结构,低阻防晕是其重要组成部分。目前整浸电机定子绕组通常采用单层低阻防晕结构。对于频繁启停的整浸机组,现有单层低阻防晕结构在频繁启停过程中铁心槽口易受集中应力影响而产生破损,破损区域露出的主绝缘表面易在高压下产生放电从而产生电腐蚀,长时间的电腐蚀会导致主绝缘性能下降严重时导致绝缘失效,从而产生表面放电进一步危害主绝缘性能。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题是现有的低阻防晕结构容易出现电腐蚀,导致绝缘失效,从而产生表面放电进一步危害主绝缘性能的问题。
2、为了解决上述技术问题,本技术的技术方案是提供一种整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,包括导线和主绝缘层,所述主绝缘层设在导线外侧,所述主绝缘层外侧设有第一层低阻半导体层,所述第一层低阻半导体层外侧设有第二层保护层,第二层保护层为可脱离材料,所述第二层保护层外侧设有第三层低阻半导体层。
3、通过采用上述技术方案,第二层保护层采用可脱离材料,在低阻结构受到集中应力导致第三层低阻破损时,使第一层低阻半导体层与第三层低阻半导体层及时脱离,保护第一层低阻的完整性,从而抑制表面放电。
4、可选的,所述第二层保护层长度短于第一层低阻半导体层长度,第三层低阻半导体层长度与第一层低阻半导体层相同。
5、可选的,所述第一层低阻半导体层半叠包于主绝缘层外侧,所述第三层低阻半导体层半叠包于
6、可选的,所述第二层保护层疏包于第一层低阻半导体层外侧。
7、可选的,所述第二层保护层为导电的可脱离材料。
8、可选的,所述第二层保护层为聚四氟乙烯导电带。
9、可选的,所述第二层保护层为绝缘的可脱离材料,且第一层低阻半导体层与第二层保护层之间设有第四半导体低阻层,第四半导体低阻层与第一层低阻半导体层材料相同。
10、可选的,所述第二层保护层为聚四氟乙烯带。
11、综上所述,本技术至少具有以下一种有益效果:
12、1、本技术将第二层保护层采用可脱离材料,在低阻结构受到集中应力导致第三层低阻破损时,使第一层低阻半导体层与第三层低阻半导体层及时脱离,保护第一层低阻的完整性,从而抑制表面放电。
13、2、本技术第二层保护层的导电性能保证了即使第三层低阻发生破损的情况下第一层低阻半导体层仍与导线存在有效电连接从而消除槽内放电。
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1.一种整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,包括导线(1)和主绝缘层(2),所述主绝缘层(2)设在导线(1)外侧,所述主绝缘层(2)外侧设有第一层低阻半导体层(3),所述第一层低阻半导体层(3)外侧设有第二层保护层(4),第二层保护层(4)为可脱离材料,所述第二层保护层(4)外侧设有第三层低阻半导体层(5)。
2.根据权利要求1所述的整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,所述第二层保护层(4)长度短于第一层低阻半导体层(3)长度,第三层低阻半导体层(5)长度与第一层低阻半导体层(3)相同。
3.根据权利要求1所述的整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,所述第一层低阻半导体层(3)半叠包于主绝缘层(2)外侧,所述第三层低阻半导体层(5)半叠包于第二层保护层(4)外侧。
4.根据权利要求3所述的整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,所述第二层保护层(4)疏包于第一层低阻半导体层(3)外侧。
5.根据权利要求1所述的整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,所述第二层保护层(4)为导电的可脱
6.根据权利要求5所述的整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,所述第二层保护层(4)为聚四氟乙烯导电带。
7.根据权利要求1所述的整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,所述第二层保护层(4)为绝缘的可脱离材料,且第一层低阻半导体层(3)与第二层保护层(4)之间设有第四半导体低阻层,第四半导体低阻层与第一层低阻半导体层(3)材料相同。
8.根据权利要求7所述的整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,所述第二层保护层(4)为聚四氟乙烯带。
...【技术特征摘要】
1.一种整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,包括导线(1)和主绝缘层(2),所述主绝缘层(2)设在导线(1)外侧,所述主绝缘层(2)外侧设有第一层低阻半导体层(3),所述第一层低阻半导体层(3)外侧设有第二层保护层(4),第二层保护层(4)为可脱离材料,所述第二层保护层(4)外侧设有第三层低阻半导体层(5)。
2.根据权利要求1所述的整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,所述第二层保护层(4)长度短于第一层低阻半导体层(3)长度,第三层低阻半导体层(5)长度与第一层低阻半导体层(3)相同。
3.根据权利要求1所述的整浸电机定子绕组的低阻复合防晕结构,其特征在于,所述第一层低阻半导体层(3)半叠包于主绝缘层(2)外侧,所述第三层低阻半导体层(5)半叠包于第二层保护层(4)外侧。
4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:张益中,咸哲龙,张燕,郑刚,沈愉斐,徐建国,余双敏,应鹤天,傅斌,
申请(专利权)人:上海电气电站设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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