【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及集成电路制造及滤波器，特别是涉及一种双层堆叠式微带带通滤波器。
技术介绍
1、滤波器是雷达、通信及测量系统中的关键器件之一，其功能在于允许某一段频率的信号顺利通过，而让另外一部分频率的信号受到较大的抑制，其性能对于整个系统性能具有重要的影响。滤波器技术指标包括通带带宽、回波损耗、带外抑制等。微带滤波器具有体积小、重量轻、使用频段宽、可靠性高和制造成本低等优点，是应用广泛的一类传输线滤波器。
2、随着小型化要求和集成化要求的不断提高，三维集成技术将传统的二维集成电路垂直堆叠起来，硅通孔（tsv）作为三维集成电路中的关键结构。传统微带滤波器由于硅基基板介电常数较低导致尺寸较大难以集成在三维系统的芯片之中，并且硅具有半导体的物理特性，对滤波器性能产生影响。目前，如何制作小型化尺寸和便于集成封装的微带滤波器是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种双层堆叠式微带带通滤波器，通过采用双层堆叠的方法，显著减小滤波器的尺寸、降低无源器件的高频损耗，并获得更好的带外抑制功能。
2、为达到上述目的，本专利技术提供了一种双层堆叠式微带带通滤波器，包括从上至下依次设置的上层金属层、上层基板、中间金属层、下层基板和下层金属层；
3、上层基板上设置有多个通孔，对通孔的侧壁进行金属化；
4、中间金属层包括位于上层基板下表面的第一金属层和位于下层基板上表面的第二金属层，下层基板上表面的第二金属层上设置有输入端口和输出端口；
5、下层基板上设置有多个通孔，对通孔的侧壁进行金属化。
6、进一步的，上层金属层的尺寸、上层基板的尺寸、中间金属层的尺寸、下层基板的尺寸和下层金属层的尺寸都包括第一方向上的尺寸、第二方向上的尺寸和第三方向上的尺寸；
7、在第一方向和第二方向上，上层金属层和上层基板的尺寸相同，下层基板和下层金属层的尺寸相同；
8、在第一方向上，下层基板的尺寸大于上层基板的尺寸；
9、在第二方向和第三方向上，下层基板的尺寸和上层基板的尺寸相同，上层金属层和下层金属层的尺寸相同；
10、上层基板和下层基板通过金属键合进行连接，金属键合连接后，上层基板位于下层基板的正中上方。
11、进一步的，输入端口和输出端口设置在第二金属层位于第二方向上短边的中心位置，除第二金属层的输入端口和输出端口的位置不设置通孔，上层基板的外围、中间金属层的外围和下层基板的外围在第一方向和第二方向上都设置等距对应的通孔。
12、进一步的，第一金属层的通孔第二金属层的通孔之间还设置等距、大小相同的键合金属体。
13、进一步的，上层基板的外围、中间金属层中的外围和下层基板的外围的通孔关于通过输入端口和输出端口第一方向上的直线呈轴对称。
14、进一步的，在第二金属层通孔构成的范围内，沿第一方向排列设置输入端口、数阶谐振器、输出端口；
15、第一金属层通过侧壁金属化的通孔与上层金属层连通，通过键合金属体与第二金属层连通；
16、第二金属层通过侧壁金属化的通孔与下层金属层连通，通过键合金属体与第一金属层连通。
17、进一步的，所述数阶谐振器为阶跃阻抗谐振器，键合金属体位键合金属球。
18、进一步的，上层金属层、中间金属层和下层金属层所用的金属均相同。
19、进一步的，上层基板和下层基板的材质为陶瓷或玻璃。
20、进一步的，上层金属层、中间金属层和下层金属层所用的金属均为金。
21、有益效果：本专利技术提供一种双层堆叠式微带带通滤波器，采用双层堆叠的方法，将数阶谐振器放置于下玻璃基板上，上层金属层、侧壁金属化通孔和下层金属层形成金属腔结构，显著减小了滤波器尺寸；数阶谐振器采用阶跃阻抗谐振器结构，能够有效地使用高次模电耦合产生的低频端零点，从而获得更好的带外抑制；选用介电常数较大的陶瓷基板或玻璃基板，显著降低无源器件的高频损耗，提高品质因子。
22、
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1.一种双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，包括从上至下依次设置的上层金属层、上层基板、中间金属层、下层基板和下层金属层；
2.根据权利要求1所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，上层金属层的尺寸、上层基板的尺寸、中间金属层的尺寸、下层基板的尺寸和下层金属层的尺寸都包括第一方向上的尺寸、第二方向上的尺寸和第三方向上的尺寸；
3.根据权利要求2所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，输入端口和输出端口设置在第二金属层位于第二方向上短边的中心位置，除第二金属层的输入端口和输出端口的位置不设置通孔，上层基板的外围、中间金属层的外围和下层基板的外围在第一方向和第二方向上都设置等距对应的通孔。
4.根据权利要求3所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，第一金属层的通孔第二金属层的通孔之间还设置等距、大小相同的键合金属体。
5.根据权利要求3所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，上层基板的外围、中间金属层中的外围和下层基板的外围的通孔关于通过输入端口和输出端口第一方向上的直线呈轴对称。
6.根据权利要求4所示的
7.根据权利要求6所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，所述数阶谐振器为阶跃阻抗谐振器，键合金属体位键合金属球。
8.根据权利要求1所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，上层金属层、中间金属层和下层金属层所用的金属均相同。
9.根据权利要求1所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，上层基板和下层基板的材质为陶瓷或玻璃。
10.根据权利要求8所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，上层金属层、中间金属层和下层金属层所用的金属均为金。
...【技术特征摘要】
1.一种双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，包括从上至下依次设置的上层金属层、上层基板、中间金属层、下层基板和下层金属层；
2.根据权利要求1所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，上层金属层的尺寸、上层基板的尺寸、中间金属层的尺寸、下层基板的尺寸和下层金属层的尺寸都包括第一方向上的尺寸、第二方向上的尺寸和第三方向上的尺寸；
3.根据权利要求2所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，输入端口和输出端口设置在第二金属层位于第二方向上短边的中心位置，除第二金属层的输入端口和输出端口的位置不设置通孔，上层基板的外围、中间金属层的外围和下层基板的外围在第一方向和第二方向上都设置等距对应的通孔。
4.根据权利要求3所示的双层堆叠式微带带通滤波器，其特征在于，第一金属层的通孔第二金属层的通孔之间还设置等距、大小相同的键合金属体。
5.根据权利要求3所示...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅迪，陈沈华，吴睿杰，张薇，
申请(专利权)人：南京国睿微波器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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