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【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体装置制造的进步及技术工艺节点尺寸的缩小,晶体管可能受到短通道效应(short channel effect,sce)的影响,例如热载子劣化、阻挡降低及量子限制等。此外,随着晶体管的栅极长度缩小来实现更小的技术节点,源极/漏极(s/d)电子穿隧效应增加,进而增加了晶体管的截止电流(当晶体管关闭时,流过晶体管通道的电流)。硅(si)/硅锗(sige)纳米结构晶体管,例如纳米线、纳米片及栅极全环(gate-all-around,gaa)装置,是在较小技术节点中,配置以克服短通道效应的潜在候选装置。纳米结构晶体管是高效的结构,相对于其他类型的晶体管,纳米结构晶体管可以降低sce并增强载子的迁移率。
技术实现思路
1、本揭露的一些实施例提供一种制造半导体装置的方法,该方法包括:在半导体基板上方,沿着垂直于半导体基板的方向形成多个纳米结构层,且纳米结构层包括与多个通道层交替的多个牺牲层;在纳米结构层上方形成虚拟栅极结构;去除纳米结构层的部分,以在邻近于虚拟栅极结构的一或多侧形成一或多个凹槽;在一或多个凹槽中形成一或多个源极/漏极区;在形成一或多个源极/漏极区之后,以一金属栅极结构取代虚拟栅极结构及位于虚拟栅极结构下方的牺牲层的多个部分,且金属栅极结构环绕通道层的至少三侧;在以金属栅极结构取代该虚拟栅极结构及位于虚拟栅极结构下方的牺牲层的部分之后,形成主动区隔离凹槽,且形成主动区隔离凹槽包括去除:金属栅极结构的一部分、被金属栅极结构
2、本揭露的一些实施例提供一种制造半导体装置的方法,该方法包括:在半导体基板上方,沿着垂直于半导体基板的方向形成多个纳米结构层,且多个纳米结构层包括与多个通道层交替的多个牺牲层;在多个纳米结构层上方形成多个虚拟栅极结构;去除多个纳米结构层的部分,以形成相邻于多个虚拟栅极结构中的一虚拟栅极结构的一或多侧的一或多个凹槽;在一或多个凹槽中形成一或多个源极/漏极区;在形成一或多个源极/漏极区之后,以多个金属栅极结构取代虚拟栅极结构及位于虚拟栅极结构下方的牺牲层的多个部分,且多个金属栅极结构环绕通道层的至少三侧;在以金属栅极结构取代虚拟栅极结构及虚拟栅极结构下方的牺牲层的部分之后,形成跨越金属栅极结构的多个栅极隔离结构;在栅极隔离结构之间去除多个金属栅极结构的一金属栅极结构的部分、被金属栅极结构环绕的通道层的多个部分及位于通道层的部分下方且延伸至半导体基板上方的平台区,以形成主动区隔离凹槽;以及在位于栅极隔离结构之间的主动区隔离凹槽中形成主动区隔离结构。
3、本揭露的一些实施例提供一种半导体装置,且该半导体装置包括第一平台区上方并在半导体基板上方延伸的多个第一纳米结构通道,且第一纳米结构通道沿着垂直于半导体基板的方向设置;包括设置于一第二平台区上方并在半导体基板上方延伸的多个第二纳米结构通道,且第二纳米结构通道沿着垂直于半导体基板的方向设置;包括环绕各个第一纳米结构通道的第一金属栅极结构;包括环绕各个第二纳米结构通道的第二金属栅极结构;包括设置于第一金属栅极结构与第二金属栅极结构之间的栅极隔离结构;以及包括设置于栅极隔离结构与第二金属栅极结构之间的主动区隔离结构,且主动区隔离结构的介电衬垫直接被包括在栅极隔离结构的侧壁上。
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1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
4.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,其中去除该金属栅极结构的该部分、被该金属栅极结构环绕的所述多个通道层的所述多个部分及该平台区包括:
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,其中去除该金属栅极结构的该部分、被该金属栅极结构环绕的所述多个通道层的所述多个部分及该平台区包括:
7.如权利要求4所述的方法,其特征在于,其中形成该主动区隔离结构包括:
8.一种半导体装置,其特征在于,包括:
9.如权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,其中该第一金属栅极结构与该栅极隔离结构的另一侧壁直接接触。
10.如权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,进一步包括:
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
4.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,其中去除该金属栅极结构的该部分、被该金属栅极结构环绕的所述多个通道层的所述多个部分及该平台区包括:
6.如权利要求4所述的方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:林子敬,戴振宇,赖俊良,吴昀铮,杨舜惠,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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