【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新能源，特别是涉及一种n型硅片的硼浆清洗方法和太阳能电池。
技术介绍
1、晶硅太阳能电池按照掺杂元素类型可以分为p型原硅片和n型原硅片。其中，在n型原硅片制备pn结需要利用硼源进行硼扩散，，目前硼源包括三溴化硼、氯化硼、硼浆等，硼浆由于具有较低的物料成本而得到广泛应用，但是硼浆难以清洗的问题是限制硼浆大规模应用的重要原因。
2、目前，通常采用ch-99除硼离子交换树脂对n型硅片表面的硼进行吸附，ch-99树脂具有与硼结合能够生成络合物的功能基团多羟基胺(polyhydroxy amine)，多羟基胺能够与硼络合，达到选择性吸附硼的目的。
3、但是，通过ch-99树脂对n硅片表面的硼进行吸附的方法一般只适用于硼浓度较低的场景，在硼浓度较高的场景下吸附ch-99树脂的吸附效果有限，而且该方法的除硼效果还易受水中其他离子和树脂粒径的影响，从而导致该方法在实际应用过程中存在应用场景有限、清洗效果不稳定的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种n型硅片的硼浆清洗方法和太阳能电池，以解决相关技术中对n型硅片表面的硼浆进行清洗时存在应用场景有限、清洗效果不稳定的问题。
2、为了解决上述问题，本专利技术的技术方案是这样实现的：：
3、本专利技术实施例提供了一种n型硅片的硼浆清洗方法，所述方法包括：
4、将n型原硅片放入预清洗溶液中，对所述n型原硅片进行预清洗，得到预清洗后的n型硅片；
5、在所述预清洗后的n型
6、将高温退火处理后的n型硅片放入rac溶液中进行清洗；
7、将清洗后的n型硅片放入碱性腐蚀溶液中进行二次清洗；
8、将二次清洗后的n型硅片放入酸性腐蚀溶液中进行三次清洗，得到清洗硼浆后的n型硅片。
9、可选地，所述预清洗溶液包括双氧水和碱性溶液；所述双氧水的浓度为1wt.％至3wt.％；
10、所述预清洗的时长为3min至5min，所述预清洗的温度为25℃至30℃。
11、可选地，所述碱性溶液的浓度为0.5wt.％至1wt.％；所述碱性溶液包括氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。
12、可选地，所述在所述预清洗后的n型硅片表面印刷硼浆，包括：
13、采用丝网印刷技术在所述n型硅片的任一表面印刷硼浆；
14、其中，所述硼浆包括硼源、硅源和有机粘结剂；所述硼源在所述硼浆中的占比为0.5wt.％至40wt.％；所述硅源在所述硼浆中的占比为4.0wt.％至75wt.％；所述有机粘结剂在所述硼浆中的占比为15wt.％至85wt.％，所述硼源、所述硅源和所述有机溶剂在所述硼浆中的占比之和为100wt.％。
15、可选地，所述高温退火处理的温度为900℃至1200℃，所述高温退火处理的时长为1min至3min。
16、可选地，所述rac溶液包括rac一号溶液和rac二号溶液；
17、所述将高温退火处理后的n型硅片放入rac溶液中进行清洗，包括：
18、将高温退火处理后的n型硅片依次放入所述rac一号溶液和所述rac二号溶液中进行清洗；所述清洗的温度为20℃至30℃，所述清洗的时长为5min至10min。
19、可选地，所述二次清洗和/或所述三次清洗的时长为50min至60min，所述二次清洗和/或所述三次清洗的温度为50℃至60℃。
20、可选地，所述碱性腐蚀溶液包括氢氧化钠、氢氧化钾和双氧水；其中，所述氢氧化钠和/或所述氢氧化钾的浓度为10wt.％至15wt.％，所述双氧水的浓度为3wt.％至5wt.％。
21、可选地，所述酸性腐蚀溶液包括氢氟酸、硝酸和盐酸中的至少一种；其中，所述氢氟酸的浓度为15wt.％至20wt.％，所述硝酸的浓度为10wt.％至15wt.％。
22、本专利技术实施例还提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括采用如上任一项所述的n型硅片的硼浆清洗方法获得的n型硅片。
23、在本专利技术实施例中，通过预清洗溶液对n型原硅片进行预清洗；然后在预清洗后的n型硅片表面印刷硼浆，并通过对印刷有硼浆的n型硅片进行高温退火处理在n型硅片中制备pn结；之后将高温退火处理后的n型硅片依次放入rac溶液、碱性腐蚀溶液和酸性腐蚀溶液中进行清洗，得到清洗硼浆后的n型硅片。本专利技术实施例提供的n型硅片硼浆清洗方法，可以对具有不同硼浓度的n型硅片进行清洗，不受硼浓度的限制，应用场景更加广泛。此外，采用预清洗溶液、rac溶液、碱性腐蚀溶液和酸性腐蚀溶液分别对n型硅片的表面的硼浆进行清洗，清洗效果不受水中其他离子的影响，清洗效果更加稳定。
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1.一种N型硅片的硼浆清洗方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预清洗溶液包括双氧水和碱性溶液；所述双氧水的浓度为1wt.％至3wt.％；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为0.5wt.％至1wt.％；所述碱性溶液包括氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述预清洗后的N型硅片表面印刷硼浆，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温退火处理的温度为900℃至1200℃，所述高温退火处理的时长为1min至3min。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述RAC溶液包括RAC一号溶液和RAC二号溶液；
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二次清洗和/或所述三次清洗的时长为50min至60min，所述二次清洗和/或所述三次清洗的温度为50℃至60℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碱性腐蚀溶液包括氢氧化钠、氢氧化钾和双氧水；其中，所述氢氧化钠和/
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性腐蚀溶液包括氢氟酸、硝酸和盐酸中的至少一种；其中，所述氢氟酸的浓度为15wt.％至20wt.％，所述硝酸的浓度为10wt.％至15wt.％。
10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括采用权利要求1至9中任一项所述的N型硅片的硼浆清洗方法获得的N型硅片。
...【技术特征摘要】
1.一种n型硅片的硼浆清洗方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预清洗溶液包括双氧水和碱性溶液；所述双氧水的浓度为1wt.％至3wt.％；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述碱性溶液的浓度为0.5wt.％至1wt.％；所述碱性溶液包括氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述预清洗后的n型硅片表面印刷硼浆，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温退火处理的温度为900℃至1200℃，所述高温退火处理的时长为1min至3min。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述rac溶液包括rac一号溶液和rac二号溶液；
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【专利技术属性】
技术研发人员：张寻寻，王建明，章康平，刘凯，石剑，周锦凤，刘培培，介雷，金浩，李家栋，周小宝，刘汪利，胥星星，刘骏，孙亚楠，姚川朋，蔡敬国，周静，郑胜，冯维敏，沈杰，王芬，周雯，吴菲菲，
申请(专利权)人：一道新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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