本发明专利技术涉及半导体器件检测技术领域，且公开了一种对半导体器件的检测方法，包括：将待检测样品中焊接引脚的面记为焊接面；对检测组和研磨面执行预处理策略，得到研磨面上的所有研磨线；记焊接面和研磨面的连接线段记为参照线段；在研磨面上与参照线段垂直的两条侧边分别记为起始侧边和终止侧边；获取参照线段中点，过中点作与起始侧边平行的直线，记为平分直线；获取检测组中需要进行检测的引脚，记为待检测引脚；将平分直线和起始侧边在研磨面上围成的面记为第一面；将平分直线和终止侧边在研磨面上围成的面记为第二面；执行判定研磨策略，获取待检测样品的研磨方向。在研磨时，不断更换研磨方向，提高研磨效率，节省时间。
1、半导体器件是现代电子设备中不可或缺的组成部分，随着集成电路的功能日益复杂化，器件尺寸的微缩化和生产过程的复杂性也在不断增加。传统的视觉和手动测试方法已经不能满足高精度和高效率的需求，因而自动化和高精度的检测技术应运而生。现代半导体器件检测技术包括但不限于光学检测、x射线成像、电子束检测以及各种电性能测试。芯片金相检测是一种使用显微镜技术来分析半导体或金属材料微观结构的方法。这种检测技术关键在于对芯片的晶体结构、缺陷、相界等进行详细观察，从而评估材料的质量和性能。在半导体制造过程中，金相检测用于识别材料加工中可能出现的问题，如晶格错位、杂质聚集或裂纹等，这些因素都可能影响芯片的电子特性。通过金相分析，可以优化制造过程，提高产出效率，并确保最终产品的可靠性和性能。此技术是确保半导体设备在高性能要求下可靠运行的关键步骤之一。
2、现有技术在对芯片进行抽样检测时，需要进行金相切片，获取芯片中需要进行检测的引脚，将芯片研磨至引脚所在的截面，往往研磨的方向是不变的，当有多个需要进行检测的引脚时，只按照一个方向研磨芯片而不考虑研磨过程中方向的优化，造成研磨效率低。
>2、本专利技术提供如下技术方案：一种对半导体器件的检测方法，包括：3、获取需要进行检测的芯片，记为待检测样品；
4、将待检测样品中焊接引脚的面记为焊接面；
5、获取待检测样品中任意两个相互平行的焊接面，记为检测组；
6、获取待检测样品中任意一个没有焊接引脚的面，记为研磨面；
7、记焊接面和研磨面的连接线段记为参照线段；
8、对检测组和研磨面执行预处理策略，得到研磨面上的所有研磨线；
9、在研磨面上与参照线段垂直的两条侧边分别记为起始侧边和终止侧边；
10、获取参照线段的中点，过中点作与起始侧边平行的直线，记为平分直线；
11、获取检测组中需要进行检测的引脚，记为待检测引脚；
12、将平分直线和起始侧边在研磨面上围成的面记为第一面；
13、将平分直线和终止侧边在研磨面上围成的面记为第二面；
14、将待检测引脚在研磨面上对应的研磨线，记为执行线；
15、执行判定研磨策略，获取待检测样品的研磨方向。
16、可选的，所述对检测组和研磨面执行预处理策略，包括：
17、对检测组中的任意一个焊接面：
18、获取每个引脚的位置点；
19、在焊接面上分别过每个位置点作垂直于参照线段的直线，与参照线段的交点记为参照点；
20、在研磨面上分别过每个参照点作垂直于参照线段的直线，记为研磨线。
21、可选的，所述对检测组和研磨面执行预处理策略，包括：
22、将检测组中的两个焊接面分别记为第一焊接面和第二焊接面；
23、获取第一焊接面在研磨面上对应的研磨线，组成第一研磨线集；
24、获取第二焊接面在研磨面上对应的研磨线，组成第二研磨线集；
25、遍历第一研磨线集和第二研磨线集中的元素；
26、获取第一研磨线集和第二研磨线集的并集中的所有元素，得到研磨面上的所有研磨线。
27、可选的，所述执行判定研磨策略，包括：
28、获取距离平分直线最近的执行线，记为执行结束线；
29、当只有第一面存在执行线时：
30、将待检测样品从起始侧边开始研磨至执行结束线停止；
31、研磨经过每条执行线时，对执行线上的待检测引脚进行检测；
32、当只有第二面存在执行线时：
33、将待检测样品从终止侧边开始研磨至执行结束线停止；
34、研磨经过每条执行线时，对执行线上的待检测引脚进行检测。
35、可选的，所述执行判定研磨策略，包括：
36、当第一面和第二面同时存在执行线时：
37、在第一面中获取距离平分直线最近的执行线，记为第一标记执行线；
38、测量第一标记执行线距离起始侧边的距离，记为第一起始距离；
39、在第二面中获取距离平分直线最近的执行线，记为第二标记执行线；
40、测量第二标记执行线距离终止侧边的距离，记为第二起始距离。
41、可选的，所述执行判定研磨策略，包括：
42、将第一起始距离和第二起始距离作比较：
43、当第一起始距离小于第二起始距离时：
44、将待检测样品从起始侧边研磨至第一标记执行线；
45、研磨经过每条执行线时，对执行线上的待检测引脚进行检测；
46、测量第一标记执行线距离第二标记执行线的距离，记为判断距离；
47、将判断距离和第二起始距离做比较：
48、当判断距离大于等于第二起始距离；
49、则，将待检测样品从终止侧边研磨至第二标记执行线；
50、研磨经过每条执行线时，对执行线上的待检测引脚进行检测；
51、当判断距离小于第二起始距离；
52、则，执行第一定向策略。
53、可选的，所述执行判定研磨策略，包括：
54、当第二起始距离小于第一起始距离时：
55、将待检测样品从终止侧边研磨至第二标记执行线；
56、研磨经过每条执行线时，对执行线上的待检测引脚进行检测；
57、将判断距离和第一起始距离做比较：
58、当判断距离大于等于第一起始距离；
59、则，将待检测样品从起始侧边研磨至第一标记执行线；
60、研磨经过每条执行线时，对执行线上的待检测引脚进行检测；
61、当判断距离小于第一起始距离；
62、则，执行第二定向策略。
63、可选的，所述执行第一定向策略，包括：
64、将待检测引脚中未被检测的引脚对应的执行线记为待检测执行线；
65、s1、获取距离第一标记执行线最近的待检测执行线，记为第一起始执行线；
66、s2、测量第一标记执行线距离第一起始执行线的距离，记为第一定向起始距离；
67、s3、获取距离终止侧边最近的待检测执行线，记为第一终止执行线；
68、s4、测量终止侧边距离第一终止执行线的距离，记为第一定向终止距离；
69、s5、当第一定向起始距离小于等于第一定向终止距离时；
70、将待检测样品从第一标记执行线研磨至第一起始执行线，研磨经过每条执行线时，对执行本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种对半导体器件的检测方法，包括：
2.根据权利要求1所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述对检测组和研磨面执行预处理策略，包括：
3.根据权利要求2所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述对检测组和研磨面执行预处理策略，包括：
4.根据权利要求3所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述执行判定研磨策略，包括：
5.根据权利要求4所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述执行判定研磨策略，包括：
6.根据权利要求5所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述执行判定研磨策略，包括：
7.根据权利要求5所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述执行判定研磨策略，包括：
8.根据权利要求6所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述执行第一定向策略，包括：
9.根据权利要求7所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述执行第二定向策略，包括：
【技术特征摘要】
1.一种对半导体器件的检测方法，包括：
2.根据权利要求1所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述对检测组和研磨面执行预处理策略，包括：
3.根据权利要求2所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述对检测组和研磨面执行预处理策略，包括：
4.根据权利要求3所述的对半导体器件的检测方法，其特征在于：所述执行判定研磨策略，包括：
5.根据权利要求4所述的对半导体器件的检测方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：万峰，
申请(专利权)人：江苏美东半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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