本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置，所述光电器件包括相对设置的阳极和阴极，还包括设置在所述阳极和所述阴极之间的电子传输层，所述光电器件还包括界面层，所述界面层位于所述阴极和所述电子传输层之间，所述界面层中包括氟化锌。本申请所述的光电器件包括所述界面层，所述界面层的材料包括氟化锌，所述氟化锌可以有效降低电子的注入势垒，从而提高光电器件的电子迁移率。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电器件，尤其涉及一种光电器件、光电器件的制备方法和显示装置。
技术介绍
1、目前广泛使用的光电器件为有机发光器件(oled)和量子点发光器件(qled)。oled由于其具有自发光、结构简单、超轻薄、相应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示
中的主流技术。qled具有出射光颜色饱、波长可调、启亮电压低、溶液加工性好、量子点易于精细控制等优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了oled的有力竞争着。
2、传统的oled和qled器件结构一般包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
3、现有的光电器件的效率较低，有待进一步提高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种光电器件的制备方法，旨在改善现有的制备方法制备得到的光电器件的效率较低的问题。
2、本申请实施例是这样实现的，一种光电器件，包括相对设置的阳极和阴极，还包括设置在所述阳极和所述阴极之间的电子传输层，所述光电器件还包括界面层，所述界面层位于所述阴极和所述电子传输层之间，所述界面层中包括氟化锌。
3、可选的，在一些实施例中，所述界面层的厚度为5～15nm，优选的，所述界面层的厚度为8～12nm；和/或
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p>4、所述氟化锌为氟化锌颗粒，所述氟化锌颗粒的平均粒径为3～6nm。5、可选的，在一些实施例中，所述电子传输层的材料包括无机半导体粒子，其中，
6、所述无机半导体粒子的平均粒径的范围为3～5nm；和/或
7、所述无机半导体粒子包括掺杂型金属氧化物颗粒、非掺杂型金属氧化物颗粒、iib-via族半导体材料、iiia-va族半导体材料及ib-iiia-via族半导体材料中的一种或多种，所述非掺杂型金属氧化物颗粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一种或多种，所述掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一种或多种，所述掺杂型金属氧化物颗粒中的掺杂元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一种或几种，所述iib-via族半导体材料包括zns、znse、cds中的一种或多种，所述iiia-va族半导体材料包括inp、gap中的一种或多种，所述ib-iiia-via族半导体材料包括cuins、cugas中的一种或多种。
8、可选的，在一些实施例中，所述掺杂型金属氧化物颗粒中，所述掺杂型金属氧化物颗粒中的掺杂元素的质量分数为1～20％。
9、可选的，在一些实施例中，所述界面层由所述氟化锌组成。
10、可选的，在一些实施例中，所述光电器件还包括发光层，所述发光层位于所述阳极与所述电子传输层之间。
11、可选的，在一些实施例中，所述阳极包括掺杂金属氧化物电极、第一复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、第一金属单质电极或第一合金电极，所述掺杂金属氧化物电极的材料包括铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化镁、镉掺杂氧化锌中的一种或多种，所述第一复合电极包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns或zns/al/zns，所述第一金属单质电极的材料包括ni、pt、au、ir、cu、mo、中的一种或多种；和/或
12、所述阴极包括第二金属单质电极、第二合金电极或第二复合电极，所述第二金属单质电极的材料包括ag、ca、ba、al或mg；所述第二合金电极包括au:mg和ag:mg中的一种或多种；所述第二复合电极包括ca/al、lif/ca、lif/al、baf2/al、csf/al、caco3/al或baf2/ca/al；和/或
13、所述发光层的材料包括有机发光材料及量子点发光材料中的一种或多种，所述有机发光材料包括4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料、dbp荧光材料、延迟荧光材料、tta材料、热活化延迟材料、含有b-n共价键合的聚合物、杂化局域电荷转移激发态材料、激基复合物发光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的一种或多种；所述量子点发光材料包括单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的一种或多种，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别独立选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的一种或多种，所述ii-vi族化合物包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的一种或多种，所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的一种或多种，所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的一种或多种，所述i-iii-vi族化合物包括cuins2、cuinse2及agins2中的一种或多种；所述钙钛矿型半导体材料包括掺杂或非掺杂的无机钙本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种光电器件，包括相对设置的阳极和阴极，还包括设置在所述阳极和所述阴极之间的电子传输层，其特征在于，所述光电器件还包括界面层，所述界面层位于所述阴极和所述电子传输层之间，所述界面层中包括氟化锌。
2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，
3.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括无机半导体粒子，其中，
4.如权利要求3所述的光电器件，其特征在于，
5.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述界面层由所述氟化锌组成。
6.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括发光层，所述发光层位于所述阳极与所述电子传输层之间。
7.如权利要求6所述的光电器件，其特征在于，
8.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
11.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述将所述氟化锌设置在所述电子传输层上的方法或者所述将所述氟化锌设置在所述阴极上的方法为蒸镀，其中，
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1～7任意一项所述的光电器件，或者，所述显示装置包括权利要求8～11任意一项所述的制备方法制备得到的光电器件。
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【技术特征摘要】
1.一种光电器件，包括相对设置的阳极和阴极，还包括设置在所述阳极和所述阴极之间的电子传输层，其特征在于，所述光电器件还包括界面层，所述界面层位于所述阴极和所述电子传输层之间，所述界面层中包括氟化锌。
2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，
3.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括无机半导体粒子，其中，
4.如权利要求3所述的光电器件，其特征在于，
5.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述界面层由所述氟化锌组成。
6.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括发光层，所述发光层位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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