【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、目前广泛使用的光电器件为有机发光二极管(oled)和量子点发光二极管(qled)。oled由于具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示
中的主流技术。qled具有出射光颜色饱和以及波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了oled的有力竞争者。但现有光电器件的发光效率较低，有待进一步改善。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种光电器件，旨在改善现有的光电器件的发光效率较低的问题。
2、本申请实施例是这样实现的，一种光电器件，包括依次层叠设置的第一电极、光电功能层、第一载流子功能层和第二电极，所述第一载流子功能层包括含有oh-的纳米粒子。
3、可选地，在本申请的一些实施例中，所述含有oh-的纳米粒子与所述第二电极通过化学键连接。
4、可选地，在本申请的一些实施例中，所述光电器件还包括吸附层，所述吸附层设置在所述第二电极远离所述第一载流子功能层的一侧。
5、可选地，在本申请的一些实施例中，所述吸附层的材料包括胺类化合物，所述胺类化合物包括己内酰胺、n,n′-二(1-萘基)-n,n′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺中的一种或几种；和/或
6、所述吸附层的厚度为30nm～60nm。
7、可选地，在本申请的一些实施例中，所述光电功能层包括第二载流子功能层
8、所述第一载流子功能层为电子功能层，所述第二载流子功能层为空穴功能层，或者，所述第一载流子功能层为空穴功能层，所述第二载流子功能层为电子功能层。
9、可选地，在本申请的一些实施例中，所述第二电极的材料包括金属，所述金属包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一种或几种；和/或
10、所述第一载流子功能层为电子功能层时，所述纳米粒子包括第一掺杂型金属氧化物颗粒、第一非掺杂型金属氧化物颗粒、iib-via族半导体材料、iiia-va族半导体材料及ib-iiia-via族半导体材料中的一种或几种，所述第一非掺杂型金属氧化物颗粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一种或几种，所述第一掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一种或几种，所述第一掺杂型金属氧化物颗粒中的掺杂元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一种或几种，所述iib-via族半导体材料包括zns、znse、cds中的一种或几种，所述iiia-va族半导体材料包括inp、gap中的一种或几种，所述ib-iiia-via族半导体材料包括cuins、cugas中的一种或几种；所述第一载流子功能层为空穴功能层时，所述纳米粒子包括第二掺杂型金属氧化物颗粒、第二非掺杂型金属氧化物颗粒、金属硫化物、金属硒化物和金属氮化物中的一种或几种，所述第二掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物和所述第二非掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物各自独立地包括moo3、wo3、nio、cro3、cuo、cu2o、v2o5中的一种或几种，所述第二掺杂型金属氧化物颗粒中的掺杂元素包括mo、w、ni、cr、cu、v中的一种或几种，所述金属硫化物包括cus、mos3、ws3中的一种或几种，所述金属硒化物包括mose3、wse3中的一种或几种，所述金属氮化物包括p型氮化镓；和/或
11、所述第二载流子功能层为电子功能层时，所述第二载流子功能层的材料包括第一掺杂型金属氧化物颗粒、第一非掺杂型金属氧化物颗粒、iib-via族半导体材料、iiia-va族半导体材料及ib-iiia-via族半导体材料中的一种或几种，所述第一非掺杂型金属氧化物颗粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一种或几种，所述第一掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一种或几种，所述第一掺杂型金属氧化物颗粒中的掺杂元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一种或几种，所述iib-via族半导体材料包括zns、znse、cds中的一种或几种，所述iiia-va族半导体材料包括inp、gap中的一种或几种，所述ib-iiia-via族半导体材料包括cuins、cugas中的一种或几种；所述第二载流子功能层为空穴功能层时，所述第二载流子功能层的材料包括4,4'-n,n'-二咔唑基-联苯、n,n'-二苯基-n,n'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基联苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(咔唑-9-基)三苯胺、三氯异氰尿酸、掺铽的磷酸盐基绿色发光材料、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、n,n,n',n'-四芳基联苯胺、pedot、pedot:pss及其衍生物、pedot:pss掺有s-moo3的衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺、螺npb、纳米多晶金刚石、微晶纤维素及四氰基醌二甲烷、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、第二掺杂型金属氧化物颗粒、第二非掺杂型金属氧化物颗粒、金属硫化物、金属硒化物和金属氮化物中的一种或几种，所述第二掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物和所述第二非掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物各自独立地包括moo3、wo3、nio、cro3、cuo、cu2o、v2o5中的一种或几种，所述第二掺杂型金属氧化物颗粒中的掺杂元素包括mo、w、ni、cr、cu、v中的一种或几种，所述金属硫化物包括cus、mos3、ws3中的一种或几种，所述金属硒化物包括mose3、wse3中的一种或几种本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光电器件，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极、光电功能层、第一载流子功能层和第二电极，所述第一载流子功能层包括含有OH-的纳米粒子。
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述含有OH-的纳米粒子与所述第二电极通过化学键连接。
3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括吸附层，所述吸附层设置在所述第二电极远离所述第一载流子功能层的一侧。
4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电功能层包括第二载流子功能层、发光层中的一种或几种，所述发光层设置在所述第一电极和所述第一载流子功能层之间，所述第二载流子功能层设置在所述第一电极和所述发光层之间；
6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，
8.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于
11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，
13.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一载流子功能层为电子功能层或空穴功能层；
14.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述光电器件预制体还包括第二载流子功能层，所述第二载流子功能层设置在所述第一电极和所述发光层之间；
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的光电器件，或者包括如权利要求8至14任一项所述的制备方法制备得到的光电器件。
...【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极、光电功能层、第一载流子功能层和第二电极，所述第一载流子功能层包括含有oh-的纳米粒子。
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述含有oh-的纳米粒子与所述第二电极通过化学键连接。
3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括吸附层，所述吸附层设置在所述第二电极远离所述第一载流子功能层的一侧。
4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电功能层包括第二载流子功能层、发光层中的一种或几种，所述发光层设置在所述第一电极和所述第一载流子功能层之间，所述第二载流子功能层设置在所述第一电极和所述发光层之间；
6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，
7....
【专利技术属性】
技术研发人员：谢仕昭，陈亚文，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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