System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一类含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料及其制备方法和应用技术_技高网
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一类含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料及其制备方法和应用技术

技术编号:43880076 阅读:9 留言:0更新日期:2024-12-31 19:03
本发明专利技术属于有机光电材料技术领域,具体为一类含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料及其制备方法和应用。该类材料结构如式1)、式2)、式3)、式4)或式5)所示,其中R<subgt;1</subgt;基团为C<subgt;1</subgt;‑C<subgt;30</subgt;烷烃基,苯基、C<subgt;1</subgt;‑C<subgt;30</subgt;烷基或烷氧基取代苯基,其中噻吩及其衍生物结构可以起到调节U型共轭稠合材料的拓扑结构、吸收光谱和荧光光谱的作用。本发明专利技术原料结构简单,价廉易得,易于纯化,具有成本低,易于制备等优点。此外,此类U型共轭稠合材料的同分异构特点使得其具有独特的电子结构和空腔结构,是一类优良的有机光电材料。进一步测试E3作为有机半导体层的薄膜有机场效应晶体管的载流子迁移率为0.1cm<supgt;2</supgt;V<supgt;‑1</supgt;s<supgt;‑1</supgt;。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机光电材料,具体涉及一类含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料及其制备方法和应用。


技术介绍

1、作为目前微电子学中应用最广泛的有源器件之一的场效应晶体管,由于它具有输入功耗低、噪声小、拥有宽的安全工作区域、阻抗高、没有二次击穿现象等优点,现已成为双极型晶体管的强大竞争者,成为微电子行业的重要元件之一。自其诞生以来,其制备所用的材料一直以硅、锗和其他无机半导体材料为主,而无机场效应晶体管存在着诸如制造成本高、单晶难于制备、需要高温工艺、衬底只能用硬性材料以及难于实现大表面积制备等缺点,并且无机场效应晶体管已经接近小型化的自然极限。相比于无机半导体材料,有机半导体材料具有生产成本低、材料来源广泛、工艺简单、无需高温以及可采用柔性衬底等优点。

2、线性稠合小分子有机半导体是一类重要的有机半导体材料,因其优越的电学性能和可调控的物理化学性质,在有机电子学领域有广泛的应用。在π共轭骨架中引入杂原子被认为是调节半导体材料稳定性、分子堆积和迁移率的有效途径,这为新材料的发展提供了机会,噻吩及其衍生物因其独特的电子结构和良好的稳定性、可调性等,一直以来在线性稠合小分子有机半导体中受到了广泛的关注与研究(a highlyπ-stacked organicsemiconductor for field-effect transistors based on linearly condensedpentathienoacene,j.am.chem.soc.2005,127,38,13281–13286),(synthesis,characterization,and field-effect transistor performance of thieno[3,2-b]thieno[2′,3′:4,5]thieno[2,3-d]thiophene derivatives,synthesis,characterization,and field-effect transistor performance of thieno[3,2-b]thieno[2′,3′:4,5]thieno[2,3-d]thiophene derivatives,adv.funct.mater.2009,19,772-778)。而u型稠合小分子有机半导体是线性稠合小分子有机半导体的一类重要变种,具有独特的分子结构和优异的电学性能。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一类含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料及其制备方法和应用。本专利技术的一类含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料中通过调节噻吩衍生物的稠合位点,改变了分子的构型和堆积方式,使得此类u型共轭稠合材料具有独特的电子结构和空腔结构,可以作为一类优良的有机光电材料;本专利技术的材料具有原料价廉易得、成本低,易于制备、易于纯化等优点。进一步测试其薄膜有机场效应晶体管的载流子迁移率为0.1cm2 v-1s-1。

2、本专利技术提供一类含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料,其结构通式如式1)、式2)、式3)、式4)或式5)所示:

3、

4、式中,r1为c1-c30烷基、苯基、c1-c30烷基或者c1-c30烷氧基取代苯基。

5、本专利技术中,r1为c10-c30烷基、或者选自如式6)-式8)所示化学基团中的任一种:

6、

7、式中,r2、r3、r4独立的为c1-c10烷烃基或者c1-c10烷氧基。

8、本专利技术还提供一种上述的含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料的制备方法,包括以下步骤:首先以化合物a与化合物b1、b2、b3、b4或b5为起始原料,经suzuki偶联反应制得相应产物c1、c2、c3、c4或c5;然后将化合物c1、c2、c3、c4或c5和甲基甲氧基三苯基氯化磷在碱作用下发生wittig反应生成产物d1、d2、d3、d4或d5;最后将化合物d1、d2、d3、d4或d5在催化剂作用下发生friedel-crafts反应制得如式1)、式2)、式3)、式4)或式5)所示含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料,其合成路线如下:

9、

10、

11、其中,r1为c1-c30烷基、苯基、c1-c30烷基或者c1-c30烷氧基取代苯基。

12、本专利技术中,suzuki偶联反应条件具体如下:在溶剂中,在碱、催化剂以及配体存在的情况下,将化合物a与化合物b1、b2、b3、b4或b5进行suzuki偶联反应,得到相应的化合物c1、c2、c3、c4或c5。

13、优选的,溶剂为水、苯、甲苯、二甲苯、十氢化萘、二乙醚、二异丙基醚、甲基叔丁基醚、甲基叔戌基醚、二噁烷、四氢呋喃、2-甲基四氢呋喃、1,2-二甲氧基乙烷、1,2-二乙氧基乙烷、1,1-二乙氧基甲烷、三氯甲烷、1,2-二氯乙烷和苯甲醚中的一种或多种;

14、优选的,所述的碱为叔丁醇钠(t-buona)、叔丁醇钾(t-buok)、碳酸钾(k2co3)、碳酸钠(na2co3)和磷酸钾(k3po4)中的一种或多种;

15、优选的,所述的催化剂为四(三苯基膦)钯(pd(pph3)4)、双二亚苄基丙酮钯(pd(dba)2)、三(二亚苄基丙酮)二钯合三氯甲烷(pd2(dba)3·chcl3)、三(二亚苄基丙酮)二钯(pd2(dba)3)、醋酸钯(pd(oac)2)、二氯化钯(pdcl2)和氯(2-二环己基膦基-2′,4′,6′-三异丙基-1,1′-联苯基)[2-(2′-氨基-1,1′-联苯)]钯(ii)(xphospd g2)中的一种或多种;

16、优选的,所述的配体为三苯基膦(pph3)、三叔丁基膦(p(t-bu)3)、四氟硼酸三叔丁基膦、2,2′-双(二苯基膦)-1,1′-联萘(binap)、2-双环己基膦-2',6'-二甲氧基联苯(sphos)、2-二环己基膦-2,4,6-三异丙基联苯(xphos)、1,2,3,4,5-戊苯基-1'-(二叔丁基磷基)二茂铁(qphos)、2-二环己基膦-2'-甲基联苯(mephos)、2-(二叔丁基膦)联苯(johnphos)和4,5-双二苯基膦-9,9-二甲基氧杂蒽(xantphos)中的一种或多种;

17、优选的,溶剂与所述的化合物a的体积物质的量比为2:1~50:1ml/mmol;化合物a与所述的化合物b的摩尔比值为0.1:1~0.5:1;反应温度为25℃~100℃,反应时间为6-48h。

18、本专利技术中,wittig反应条件具体如下:在冰浴条件下进行反应,碱为叔丁醇钾,反应溶剂为四氢呋喃,反应时间为1-3h。

19、本专利技术中,friedel-crafts反应条件具体如下室温条件下反应,催化剂为三氟甲基磺酸铋(bi(otf)3),反应溶剂为1,2-二氯乙烷,反应时间为1-3h。

20、进一步的,本专利技术还提供上述的含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料在有机场效应晶体管器件中的应用。

21、与现有技术相比,本专利技术的有益效果本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一类含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料,其特征在于,其结构通式如式1)、式2)、式3)、式4)或式5)所示:

2.如权利要求1所述的含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料,其特征在于,R1为C10-C30烷基、或者选自如式6)-式8)所示化学基团中的任一种:

3.一种如权利要求1所述的含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:首先以化合物A与化合物B1、B2、B3、B4或B5为起始原料,经Suzuki偶联反应制得相应产物C1、C2、C3、C4或C5;然后将化合物C1、C2、C3、C4或C5和甲基甲氧基三苯基氯化磷在碱作用下发生Wittig反应生成产物D1、D2、D3、D4或D5;最后将化合物D1、D2、D3、D4或D5在催化剂作用下发生Friedel-Crafts反应制得如式1)、式2)、式3)、式4)或式5)所示含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料,其合成路线如下:

4.如权利要求3所述的含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料的制备方法,其特征在于,Suzuki偶联反应条件具体如下:在溶剂中,在碱、催化剂以及配体存在的情况下,将化合物A与化合物B1、B2、B3、B4或B5进行Suzuki偶联反应,得到相应的化合物C1、C2、C3、C4或C5。

5.如权利要求4所述的含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料的制备方法,其特征在于,所述的溶剂选自水、苯、甲苯、二甲苯、十氢化萘、二乙醚、二异丙基醚、甲基叔丁基醚、甲基叔戌基醚、二噁烷、四氢呋喃、2-甲基四氢呋喃、1,2-二甲氧基乙烷、1,2-二乙氧基乙烷、1,1-二乙氧基甲烷、三氯甲烷、1,2-二氯乙烷或苯甲醚中的一种或多种;

6.如权利要求4所述的含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料的制备方法,其特征在于,所述的溶剂与所述的化合物A的体积物质的量比为2:1~50:1mL/mmol;所述的化合物A与所述的化合物B1、B2、B3、B4或B5的摩尔比值为0.1:1~0.5:1;反应温度为25℃~100℃,反应时间为6h-48h。

7.如权利要求3所述的含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料的制备方法,其特征在于,Wittig反应条件如下:在冰浴条件下进行反应,碱为叔丁醇钾,反应溶剂为四氢呋喃,反应时间为1-3h。

8.如权利要求3所述的含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料的制备方法,其特征在于,Friedel-Crafts反应条件如下:室温条件下反应,催化剂为三氟甲基磺酸铋(Bi(OTf)3),反应溶剂为1,2-二氯乙烷,反应时间为1-3h。

9.一种如权利要求1-2中任一项所述的含有噻吩衍生物的U型共轭稠合材料在有机场效应晶体管中的应用。

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【技术特征摘要】

1.一类含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料,其特征在于,其结构通式如式1)、式2)、式3)、式4)或式5)所示:

2.如权利要求1所述的含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料,其特征在于,r1为c10-c30烷基、或者选自如式6)-式8)所示化学基团中的任一种:

3.一种如权利要求1所述的含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:首先以化合物a与化合物b1、b2、b3、b4或b5为起始原料,经suzuki偶联反应制得相应产物c1、c2、c3、c4或c5;然后将化合物c1、c2、c3、c4或c5和甲基甲氧基三苯基氯化磷在碱作用下发生wittig反应生成产物d1、d2、d3、d4或d5;最后将化合物d1、d2、d3、d4或d5在催化剂作用下发生friedel-crafts反应制得如式1)、式2)、式3)、式4)或式5)所示含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料,其合成路线如下:

4.如权利要求3所述的含有噻吩衍生物的u型共轭稠合材料的制备方法,其特征在于,suzuki偶联反应条件具体如下:在溶剂中,在碱、催化剂以及配体存在的情况下,将化合物a与化合物b1、b2、b3、b4或b5进行suzuki偶联反应,得到相应的化合物c1、c2、c3、c4或c5。

5.如权利要求4所述的含有噻吩...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆雪峰张佳喜张容刘云圻
申请(专利权)人:复旦大学
类型:发明
国别省市:

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