System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 磁性元件制造技术_技高网

磁性元件制造技术

技术编号:43879571 阅读:6 留言:0更新日期:2024-12-31 19:02
一种磁性元件,包含一磁芯、一第一绕组、一第二绕组以及至少一磁性填料。磁芯包含一内柱。第一绕组设置于磁芯中且缠绕于内柱。第二绕组设置于磁芯中且环绕第一绕组。第一绕组与第二绕组之间形成有至少一填充区以及至少一非填充区。至少一磁性填料填充于至少一填充区的至少一部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种磁性元件,尤指一种可有效增加漏感的磁性元件。


技术介绍

1、配置有多相跨电感器(multi-phase trans-inductor)的电路架构可实现快速动态响应。由于多相跨电感器的漏感(leakage inductance)不足,多相跨电感器需要串联一个额外的电感器,以增加漏感。然而,额外的电感器会增加制造成本,且会占用主机板上额外的空间。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种可有效增加漏感的磁性元件,以解决上述问题。

2、根据一实施例,本专利技术的磁性元件包含一磁芯、一第一绕组、一第二绕组以及至少一磁性填料。磁芯包含一内柱。第一绕组设置于磁芯中且缠绕于内柱。第二绕组设置于磁芯中且环绕第一绕组。第一绕组与第二绕组之间形成有至少一填充区以及至少一非填充区。至少一磁性填料填充于至少一填充区的至少一部分。

3、在一实施例中,至少一填充区的间隙大于至少一非填充区的间隙。

4、在一实施例中,至少一填充区的间隙大于或等于至少一非填充区的间隙的三倍。

5、在一实施例中,至少一填充区的间隙大于或等于0.5毫米。

6、在一实施例中,磁芯包含一第一芯体以及一第二芯体,第一绕组与第二绕组位于第一芯体与第二芯体之间,且至少一磁性填料不同时接触第一芯体与第二芯体。

7、在一实施例中,至少一磁性填料由磁胶制成。

8、在一实施例中,至少一磁性填料为磁块。

9、在一实施例中,至少一磁性填料与磁芯一体成型。

10、在一实施例中,磁芯包含一第一芯体以及一第二芯体,第一绕组与第二绕组位于第一芯体与第二芯体之间,至少一磁性填料包含彼此相对的一第一突出件以及一第二突出件,第一突出件自第一芯体突出,且第二突出件自第二芯体突出。

11、在一实施例中,磁芯包含至少一气隙,磁性元件另包含至少一气隙填料,且至少一气隙填料填充于至少一气隙。

12、在一实施例中,至少一气隙填料由磁性材料制成。

13、在一实施例中,至少一气隙填料由非磁性材料制成。

14、在一实施例中,第一绕组包含一第一顶部以及二第一侧部,第一顶部连接于二第一侧部之间,第二绕组包含一第二顶部以及二第二侧部,第二顶部连接于二第二侧部之间,第一顶部对应第二顶部,且二第一侧部对应二第二侧部。

15、在一实施例中,至少一填充区位于第一顶部与第二顶部之间,且至少一非填充区位于二第一侧部与二第二侧部之间。

16、在一实施例中,至少一填充区位于二第一侧部与二第二侧部之间,且至少一非填充区位于第一顶部与第二顶部之间。

17、在一实施例中,第一绕组与第二绕组定义至少一填充区的边界。

18、在一实施例中,至少一磁性填料填充至至少一填充区的边界。

19、在一实施例中,至少一磁性填料接触第一绕组与第二绕组。

20、综上所述,本专利技术将磁性填料填充于第一绕组与第二绕组之间的填充区,无需过度增加磁性元件的高度即可有效增加磁性元件的漏感。借此,磁性元件即可应用于直流-直流转换器(dc-to-dc converter)中,以提供足够的漏感,而无需串联额外的电感器。因此,可以降低制造成本,并且不会因为额外的电感器而占用主机板上的空间。

21、关于本专利技术的优点与精神可以借由以下的专利技术详述及所附图式得到进一步的了解。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁性元件,包含:

2.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一填充区的间隙大于该至少一非填充区的间隙。

3.如权利要求2所述的磁性元件,其中该至少一填充区的间隙大于或等于该至少一非填充区的间隙的三倍。

4.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一填充区的间隙大于或等于0.5毫米。

5.如权利要求1所述的磁性元件,其中该磁芯包含一第一芯体以及一第二芯体,该第一绕组与该第二绕组位于该第一芯体与该第二芯体之间,且该至少一磁性填料不同时接触该第一芯体与该第二芯体。

6.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一磁性填料由磁胶制成。

7.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一磁性填料为磁块。

8.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一磁性填料与该磁芯一体成型。

9.如权利要求1所述的磁性元件,其中该磁芯包含一第一芯体以及一第二芯体,该第一绕组与该第二绕组位于该第一芯体与该第二芯体之间,该至少一磁性填料包含彼此相对的一第一突出件以及一第二突出件,该第一突出件自该第一芯体突出,且该第二突出件自该第二芯体突出。

10.如权利要求1所述的磁性元件,其中该磁芯包含至少一气隙,该磁性元件另包含至少一气隙填料,且该至少一气隙填料填充于该至少一气隙。

11.如权利要求10所述的磁性元件,其中该至少一气隙填料由磁性材料制成。

12.如权利要求10所述的磁性元件,其中该至少一气隙填料由非磁性材料制成。

13.如权利要求1所述的磁性元件,其中该第一绕组包含一第一顶部以及二个第一侧部,该第一顶部连接于该二个第一侧部之间,该第二绕组包含一第二顶部以及二个第二侧部,该第二顶部连接于该二个第二侧部之间,该第一顶部对应该第二顶部,且该二个第一侧部对应该二个第二侧部。

14.如权利要求13所述的磁性元件,其中该至少一填充区位于该第一顶部与该第二顶部之间,且该至少一非填充区位于该二个第一侧部与该二个第二侧部之间。

15.如权利要求13所述的磁性元件,其中该至少一填充区位于该二个第一侧部与该二个第二侧部之间,且该至少一非填充区位于该第一顶部与该第二顶部之间。

16.如权利要求1所述的磁性元件,其中该第一绕组与该第二绕组定义该至少一填充区的边界。

17.如权利要求16所述的磁性元件,其中该至少一磁性填料填充至该至少一填充区的边界。

18.如权利要求17所述的磁性元件,其中该至少一磁性填料接触该第一绕组与该第二绕组。

...

【技术特征摘要】

1.一种磁性元件,包含:

2.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一填充区的间隙大于该至少一非填充区的间隙。

3.如权利要求2所述的磁性元件,其中该至少一填充区的间隙大于或等于该至少一非填充区的间隙的三倍。

4.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一填充区的间隙大于或等于0.5毫米。

5.如权利要求1所述的磁性元件,其中该磁芯包含一第一芯体以及一第二芯体,该第一绕组与该第二绕组位于该第一芯体与该第二芯体之间,且该至少一磁性填料不同时接触该第一芯体与该第二芯体。

6.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一磁性填料由磁胶制成。

7.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一磁性填料为磁块。

8.如权利要求1所述的磁性元件,其中该至少一磁性填料与该磁芯一体成型。

9.如权利要求1所述的磁性元件,其中该磁芯包含一第一芯体以及一第二芯体,该第一绕组与该第二绕组位于该第一芯体与该第二芯体之间,该至少一磁性填料包含彼此相对的一第一突出件以及一第二突出件,该第一突出件自该第一芯体突出,且该第二突出件自该第二芯体突出。

10.如权利要求1所述的磁性元件,其中该磁芯包含至少一气隙,该磁性元件另包含至少...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢其轩周佳行
申请(专利权)人:乾坤科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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