【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种特别是用于电机的整流器、具有电机和整流器的电机单元以及通过使用这种整流器整流的方法。
技术介绍
1、在电机中，特别是用作马达和/或发电机的电机中，并且特别是当在车辆中使用时，逆变器(整流器)用于对所产生的交流电进行整流或对存在的直流电进行逆变。然而，整流器还可以用于许多其他领域，例如电气设备。
技术实现思路
1、根据本专利技术，提出了具有独立专利权利要求的特征的整流器、电机单元以及用于整流的方法。有利的改进是从属权利要求和以下描述的主题。
2、本专利技术一般涉及整流器或逆变器，并且具体地涉及用于电机的整流器或逆变器及其操作。在本专利技术的范围内，电机和相关联的整流器的组合也被称为电机单元。通常，整流器在这种情况下安装或附接至电机。电机单元在此可以是车辆的一部分，特别是也用作牵引驱动装置。可以考虑的电机的示例是同步电机、同步磁阻电机、感应电机、永磁电机等。
3、例如，典型的电机具有三相或多相；虽然本专利技术的解释主要针对具有三相的电机进行，但这也适用于不同数量的相，例如六相、九相、十二相或十五相。原则上，电机也可以仅具有一相或两相。
4、此外，电机具有可以是永久的和/或外部励磁的转子。优选的用途还在于所谓的高电压应用中，其中电机以例如48v、60v或更高的电压操作。
5、如所提到的，整流器还可以用在其他领域中，例如在电气设备中或者当操作电气设备时，例如如果要将直流电转换成交流电(例如单相或三相)或者反之亦然。
<...【技术保护点】
1.一种具有两个直流电压连接部(B+、B-)和多个交流电压连接部(122U、122V、122W)的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，
2.根据权利要求1所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第一半导体开关元件和第二半导体开关元件彼此不同，特别是不同类型。
3.根据权利要求2所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第一半导体开关元件(TU1_H、TV1_H、TW1_H、TU1_L、TV1_L、TW1_L)具有IGBT或者是IGBT。
4.根据权利要求2或3所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第二半导体开关元件(TU2_H、TV2_H、TW2_H、TU2_L、TV2_L、TW2_L)具有或者是MOSFET，特别是SiC-MOSFET和/或GaN-HEMT。
5.根据前述权利要求中任一项所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第一子
6.根据前述权利要求中任一项所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第二子整流器具有多个第二半桥(112.2U、112.2V、112.2W)，每个第二半桥具有多个第二半导体开关元件(TU2_H、TV2_H、TW2_H、TU2_L、TV2_L、TW2_L)中的两个。
7.根据前述权利要求中任一项所述的整流器(110a、310a、410a)，其中，第一子整流器(110.1a、310.1a)和第二子整流器(110.2a、310.2a)彼此并联连接并且是彼此分开设计的。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的整流器(110b、310b、410b)，其中，第一子整流器和第二子整流器彼此集成。
9.一种电机单元(100a、100b、300a、300b、400a、400b)，电机单元包括具有一个或多个相的电机(130)以及根据前述权利要求中任一项所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，一个或多个相分别连接至多个交流电压连接部中的相应一个。
10.根据权利要求9所述的电机单元(100a、100b、300a、300b、400a、400b)，电机单元被设计为车辆的牵引驱动装置。
11.一种用于通过使用根据权利要求1至8中任一项所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)或根据权利要求9或10所述的电机单元(100a、100b、300a、300b、400a、400b)进行整流的方法。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在子操作模式(510、520)中，第一子整流器和第二子整流器中仅一个用于整流，并且其中第一子整流器和第二子整流器中的另一个不激活。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，在第一子操作模式(510)中，当所需负载低于预定阈值时，第二子整流器用于整流，和/或其中，在第二子操作模式(520)中，当所需负载高于预定阈值时，第一子整流器用于整流。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法，其中，在混合操作模式(530、540)中，第一子整流器和第二子整流器用于整流。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，在第一混合操作模式(530)中，首先激活第一子整流器，然后激活第二子整流器。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其中，在第二混合操作模式(540)中，并且如果第一子整流器和第二子整流器具有在预定容差内的相同标称功率，则首先激活第一子整流器和第二子整流器中具有较低开关损耗的那个，然后激活第一子整流器和第二子整流器中的另一个。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的方法，其中，在能量传输模式(550)中，能量存储装置与电网之间的能量传输经由整流器进行，第二子整流器用于整流。
18.根据权利要求11至17中任一项所述的方法，其中，在有源短路模式(560)中，所有低侧或高侧半导体开关元件闭合，其中第一子整流器的低侧或高侧半导体开关元件首先闭合，然后第二子整流器的低侧或高侧半导体开关元件闭合。
...【技术特征摘要】
1.一种具有两个直流电压连接部(b+、b-)和多个交流电压连接部(122u、122v、122w)的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，
2.根据权利要求1所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第一半导体开关元件和第二半导体开关元件彼此不同，特别是不同类型。
3.根据权利要求2所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第一半导体开关元件(tu1_h、tv1_h、tw1_h、tu1_l、tv1_l、tw1_l)具有igbt或者是igbt。
4.根据权利要求2或3所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第二半导体开关元件(tu2_h、tv2_h、tw2_h、tu2_l、tv2_l、tw2_l)具有或者是mosfet，特别是sic-mosfet和/或gan-hemt。
5.根据前述权利要求中任一项所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第一子整流器被设计为t型、npc型或飞跨电容器型的三电平整流器。
6.根据前述权利要求中任一项所述的整流器(110a、110b、310a、310b、410a、410b)，其中，第二子整流器具有多个第二半桥(112.2u、112.2v、112.2w)，每个第二半桥具有多个第二半导体开关元件(tu2_h、tv2_h、tw2_h、tu2_l、tv2_l、tw2_l)中的两个。
7.根据前述权利要求中任一项所述的整流器(110a、310a、410a)，其中，第一子整流器(110.1a、310.1a)和第二子整流器(110.2a、310.2a)彼此并联连接并且是彼此分开设计的。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的整流器(110b、310b、410b)，其中，第一子整流器和第二子整流器彼此集成。
9.一种电机单元(100a、100b、300a、300b、400a、400b)，电机单元包括具有一个或多个相的电机(130)以及根据前述权利要求中...
【专利技术属性】
技术研发人员：妮玛·萨达特，
申请(专利权)人：SEG汽车德国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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