NAND中的X方向划分子块模式制造技术

技术编号：43876669 阅读：30 留言：0更新日期：2024-12-31 18:59

描述了一种存储器系统，该存储器系统具有x方向(位线方向)划分子块模式。每个块在y方向上和x方向上被划分为被称为XY子块的多个邻接NAND串群组。该存储器系统在块中的多个XY子块中并行地执行存储器操作，同时禁止该块中的其他XY子块中的该存储器操作。对其执行该存储器操作的每个XY子块使其NAND串连接到不同组的邻接位线。在一方面，该存储器操作是编程操作，其中在该多个XY子块中的每个XY子块中并行地编程选定存储器单元，同时禁止对该块中的所有其他XY子块中的所有存储器单元进行编程。在一方面，该存储器操作是擦除操作。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、本公开涉及非易失性存储器。

2、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。

3、存储器系统中的存储器结构通常含有许多存储器单元及各种控制线。存储器结构可以是三维的。一种类型的三维结构具有布置为垂直nand串的非易失性存储器单元。存储器结构可布置成通常被称为块的单元。例如，nand存储器系统中的块含有许多nand串。nand串包含串联连接的存储器单元晶体管、在一端的漏极侧选择栅极和在另一端的源极侧选择栅极。每个nand串与位线相关联。块通常具有许多字线，该字线向存储器单元晶体管的控制栅极提供电压。在一些架构中，每个字线连接到块中的每个相应nand串上的一个存储器单元的控制栅极。

技术实现思路

【技术保护点】

1.一种装置，所述装置包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器操作包括编程操作，并且所述一个或多个控制电路被配置为：

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被配置为：

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

5.根据权利要求4所述的装置，其中：

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器操作包括擦除操作，并且所述一个或多个控制电路被配置为：

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述一个或多个控制电路被配置为：

8.根据权利要求1所述的装置，其中每个块的所述一个或多个源极线包括：

9.根据权利要求1所述的装置，其中每个块的所述一个或多个源极线包括：

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述存储器操作包括编程操作，并且所述一个或多个控制电路被配置为：

11.根据权利要求9所述的装置，其中所述存储器操作包括擦除操作，并且所述一个或多个控制电路被配置为：

12.根据权利要求9所述的装置，其中所述存储器操作包括擦除操作，并且所述一个或多个控制电路被配置为：

13.一种用于对NAND存储器编程的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

15.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

16.一种非易失性存储系统，所述非易失性存储系统包括：

17.根据权利要求16所述的非易失性存储系统，其中：

18.根据权利要求17所述的非易失性存储系统，其中所述一个或多个控制电路被配置为：

19.根据权利要求16所述的非易失性存储系统，其中：

20.根据权利要求19所述的非易失性存储系统，其中所述一个或多个控制电路被配置为：

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】