【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件领域，特别涉及表面声波器件。
技术介绍
1、通常，接收滤波器对插入损耗和阻带抑制等指标有严格的要求，并且为了降低成本，对芯片尺寸的最小化有持续的需求。由于上述原因，接收滤波器通常使用双模表面声波滤波器（称为“双模saw（surface acoustic wave）滤波器”或“dms（double-mode saw）滤波器”）或由dms滤波器和串联/并联单端口谐振器组成的混合型滤波器。在这种结构中，dms部件叉指电极参数的合理设计对滤波器的整体性能至关重要，特别是对于插入损耗和阻带抑制。
2、以band66接收滤波器（2110 mhz至2200 mhz）为例，通常预计相邻频带band3（1710mhz至1785 mhz）和band1（1920 mhz至1980 mhz）的阻带抑制水平应低于-40db。这确保了终端设备根据工作要求达到最佳性能。
技术实现思路
1、一种双模表面声波（saw）滤波器，包括压电基板、设置在压电基板上的一对反射器、以及设置在压电器基板上和一对反射器之间并沿横向交替排列的n个输入和输出叉指换能器（idt，interdigital transducer）。每个idt包括一对带有多个电极指的梳状电极，相邻的电极指指向相反的方向。每个idt中的电极指总数是大于或等于3的奇数。
2、本申请的双模saw滤波器通过配置上述idt电极的参数，可有效改善带外抑制，抑制相邻信道的干扰信号。作为较好的选择，其可作为双工器以及通信设备的滤波器件。
【技术保护点】
1.一种双模SAW滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双模SAW滤波器，其中，N是大于或等于5的奇数。
3.根据权利要求2所述的双模SAW滤波器，其中，在N个IDT中，第X个IDT和第（N+1-X）个IDT相对于中心IDT具有镜像对称关系，其中X是大于或等于1且小于或等于N的整数，并且中心IDT是第（N+1）/2个IDT。
4.根据权利要求1至3任一项所述的双模SAW滤波器，其中，在包括中心IDT和布置在中心IDT和反射器之一之间的IDT区域内，IDT中的电极指总数不同于区域中另一个IDT中的电极指总数。
5.根据权利要求1至3任一项所述的双模SAW滤波器，其中，每个IDT至少包括谐振部件和调制部件。
6.根据权利要求5所述的双模SAW滤波器，其中，在每个IDT内，在横向方向上测量的谐振部件中的每个电极指的宽度大于在横向方向下测量的调制部件中的各个电极指。
7.根据权利要求5所述的双模SAW滤波器，其中，在每个IDT内，谐振部件中每个电极指的宽度是调制部件中每个电极指宽度的1.05至1.15倍
8.根据权利要求5所述的双模SAW滤波器，其中，在每个IDT内，谐振部件中的电极指的数量大于调制部件中的电极指的数量。
9.根据权利要求5所述的双模SAW滤波器，其中，在包括中心IDT和中心IDT与反射器之一之间的IDT的区域内，IDT的谐振部件中的每个电极指的宽度不同于区域中的另一个IDT的谐振部件中的每个电极指的宽度。
10.根据权利要求5所述的双模SAW滤波器，其中，在包括中心IDT和中心IDT与反射器之一之间的IDT的区域内，IDT的谐振部件中的电极指的数量不同于区域中的另一个IDT的谐振部件中的电极指的数量。
11.根据权利要求5所述的双模SAW滤波器，其中，每个反射器包括多个反射器电极指，并且每个反射器电极指的宽度大于设置在反射器之间的至少一个IDT的谐振部件中的每个电极指的宽度。
12.根据权利要求5所述的双模SAW滤波器，其中，第一IDT和第N IDT中的每一个都包括与反射器之一相邻布置的谐振部件和与相邻IDT相邻布置的调制部件。
13.根据权利要求5所述的双模SAW滤波器，其中，第二至第（N-1）个IDT中的每一个都包括两个调制部件和两个调制部件之间的谐振部件。
14.一种接收滤波器，其特征在于，包括：
15.一种双工器，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种双模saw滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双模saw滤波器，其中，n是大于或等于5的奇数。
3.根据权利要求2所述的双模saw滤波器，其中，在n个idt中，第x个idt和第（n+1-x）个idt相对于中心idt具有镜像对称关系，其中x是大于或等于1且小于或等于n的整数，并且中心idt是第（n+1）/2个idt。
4.根据权利要求1至3任一项所述的双模saw滤波器，其中，在包括中心idt和布置在中心idt和反射器之一之间的idt区域内，idt中的电极指总数不同于区域中另一个idt中的电极指总数。
5.根据权利要求1至3任一项所述的双模saw滤波器，其中，每个idt至少包括谐振部件和调制部件。
6.根据权利要求5所述的双模saw滤波器，其中，在每个idt内，在横向方向上测量的谐振部件中的每个电极指的宽度大于在横向方向下测量的调制部件中的各个电极指。
7.根据权利要求5所述的双模saw滤波器，其中，在每个idt内，谐振部件中每个电极指的宽度是调制部件中每个电极指宽度的1.05至1.15倍。
8.根据权利要求5所述的双模saw滤波器，其中，在每个idt内，谐振部件中...
【专利技术属性】
技术研发人员：何鑫，冯端，高海婷，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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