【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于一种用于应力松弛(stress relaxation)的轮廓(profile)控制的装置及方法。
技术介绍
1、在现今的电子产业中，对于更小、更快的电子装置的需求在不断地增长，这些电子装置能同时支援更多日益复杂且精密的功能。因此，在半导体产业中随之兴起制造低成本、高效能和低功率集成电路(integrated circuit；ic)的持续趋势。到目前为止，这些目标已大幅地通过缩小半导体集成电路尺寸(例如，最小特征尺寸)以提高生产效率和降低相关成本来实现。然而，这种集成电路尺寸的改变也相应地增加了半导体工艺的复杂性。因此，半导体集成电路和装置的持续优化需要仰赖半导体工艺和技术的共同进步来实现。
技术实现思路
1、本揭露的一方面描述了一种半导体装置，包含第一保护层及重布层。第一保护层位于基板上方，且含有内嵌的金属-绝缘体-金属电容器。重布层形成在第一保护层之上，重布层包含第一重布层结构和第二重布层结构，第一重布层结构通过介电质填充开口与第二重布层结构分隔开，其中介电质填充开口位于部分的金属-绝缘体-金属电容器之上。其中第一重布层结构和第二重布层结构中的每一者的侧壁具有凸形轮廓，凸形轮廓定义出分隔第一重布层结构与第二重布层结构的介电质填充开口。
2、本揭露的另一方面描述了一种半导体结构，包含第一保护层及重布层。第一保护层位于基板上方，第一保护层含有内嵌的金属-绝缘体-金属电容器。重布层包含第一重布层结构和第二重布层结构，位于第一保护层上方，其中第一重布层结构和第二重
3、本揭露的又一方面描述了一种半导体结构，包含基板及重布层。基板具有位于其上方的介电层中的互连结构，且具有位于介电层上方的第一保护层，第一保护层具有第一子层、位于第一子层上方的第二子层、及位于第一子层与第二子层之间的金属-绝缘体-金属电容器。重布层位于第一保护层上方，且位于互连结构中的顶部金属结构之上的第一保护层中，其中重布层具有第一重布层结构和第二重布层结构，第一重布层结构未连接至顶部金属结构，第二重布层结构连接至顶部金属结构，第一重布层结构和第二重布层结构中的每一者的侧壁具有凸形轮廓。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，由所述第一重布层结构或所述第二重布层结构的一端部的所述第一保护层至所述重布层水平边界与一向上延伸边缘所定义的一底部轮廓夹角介于90度与120度之间。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述介电质填充开口具有：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述重布层具有介于2微米与3微米之间的厚度。
7.一种半导体结构，其特征在于，包含：
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，由所述第一重布层结构或所述第二重布层结构的一端部的所述第一保护层至所述重布层的水平边界与一向上延伸边缘所定义的一底部轮廓夹角介于90度与120度之间。
9.一种半导体结构，其特征在于，包含：
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，由所述第一重布层结构或所述第二重布层结构的一端部的所述第一保
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，由所述第一重布层结构或所述第二重布层结构的一端部的所述第一保护层至所述重布层水平边界与一向上延伸边缘所定义的一底部轮廓夹角介于90度与120度之间。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述介电质填充开口具有：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述重布层具有介于2微米与3...
【专利技术属性】
技术研发人员：林嘉男，林彥呈，林建宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。