【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体处理领域，更具体地，涉及导电结构的沉积，例如金属栅电极，包括晶体管中栅叠层中的金属栅电极。
技术介绍
1、诸如互补金属氧化物半导体(cmos)器件的半导体器件的尺寸缩小已经导致集成电路的速度和密度的显著提高。然而，传统的器件缩放技术面临着未来技术节点的重大挑战。
2、由于在先进技术节点上处理的复杂性不断增加，在大规模缩小的半导体器件中一个长期存在的问题是产量的降低。成核延迟是降低产量的主要原因。因此，需要减少成核延迟的方法、系统、设备和材料。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在必要地标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
2、本文公开了半导体处理方法、系统和设备的示例，用于在第一反应室中支撑包括设置在衬底上的一个或多个氧化物层的衬底，使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触，在第二反应室中支撑衬底，以及在顶表面与受激物质接触之后在顶表面上沉积过渡金属层。在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备还包括在衬底的表面上沉积一个或多个氧化物层。半导体处理方法、系统和设备可以包括其中沉积过渡金属层包括将衬底暴露于一种或多种过渡金属层前体，其中过渡金属层是过渡金属氮化物，和/或其中过渡金属氮化物是氮化钼(mon)或氮化钨(wn)。
3、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备还包
4、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备包括其中在衬底的顶表面上沉积一个或多个氧化物层包括使衬底与第一前体接触以沉积包含第一金属氧化物的第一氧化物层，以及使衬底与第二前体接触以沉积包含第二金属氧化物的第二氧化物层。
5、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备还包括其中第一金属氧化物不同于第二金属氧化物，其中第一金属氧化物直接沉积在衬底的表面上以形成第一金属氧化物层，第二金属氧化物直接沉积在第一金属氧化物层的顶表面上以形成第二金属氧化物层，其中第一金属氧化物层比第二金属氧化物层厚，和/或其中第一金属氧化物层为约15埃厚，第二金属氧化物层为约10埃厚。
6、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备可以包括其中第一金属氧化物层包括氧化铪(hfo2)，第二金属氧化物层包括氧化镧(la2o3)或氧化铝(al2o3)，或其组合。
7、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备可以包括其中受激物质在远程等离子体单元(rpu)中产生，其中受激物质是氩(ar)、氢(h2)或氮(n2)的自由基，或其组合，和/或其中h2和n2以预定比率组合。
8、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备可以包括其中受激物质是h2。
9、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备可以包括其中接触衬底的一个或多个氧化物层的顶表面还包括加热衬底支撑件以调节衬底的温度和/或其中衬底支撑件被加热到约360℃。
10、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备可以包括其中在衬底上沉积一个或多个氧化物层和使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触在同一反应室中进行。
11、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备可以包括其中在衬底上沉积一个或多个氧化物层、使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触以及在衬底表面上沉积过渡金属层在同一反应室中进行。
12、在一些示例中，半导体处理方法、系统和设备可以包括其中在衬底上沉积一个或多个氧化物层、使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触以及在衬底表面上沉积过渡金属层在两个或更多个反应室中进行和/或其中第一反应室和第二反应室是同一个室。
13、所有这些示例都在本公开的范围内。从下面参考附图对某些示例的详细描述中，这些和其他实施例对于本领域技术人员将变得显而易见，本公开不限于所讨论的任何特定示例。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理方法，还包括在衬底的表面上沉积所述一个或多个氧化物层。
3.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中，沉积过渡金属层包括将衬底暴露于一种或多种过渡金属层前体。
4.根据权利要求3所述的半导体处理方法，其中，所述过渡金属层是过渡金属氮化物。
5.根据权利要求4所述的半导体处理方法，其中，所述过渡金属氮化物是氮化钼(MoN)或氮化钨(WN)。
6.根据权利要求5所述的半导体处理方法，其中，所述一种或多种过渡金属层前体选自包括以下的组：双(叔丁基亚氨基)双(叔丁氧基)Mo、双(叔丁基亚氨基)双(二甲基氨基)Mo、双(叔丁基亚氨基)双(二甲基氨基)Mo、六羰基钼、五氯化钼、Mo(NtBu)2(StBu)2、Mo(NMe2)4、Mo(NEt2)4、Mo2(NMe2)6、Mo(tBuN)2(NMe2)2、Mo(tBuN)2(NEt2)2、Mo(NEtMe)4、Mo(NtBu)2(StBu)2、Mo(NtBu)2(iPr2AMD)2、Mo(thd)3、MoO2(acac
7.根据权利要求2所述的半导体处理方法，其中，在衬底的表面上沉积一个或多个氧化物层包括：
8.根据权利要求7所述的半导体处理方法，其中，所述第一金属氧化物不同于所述第二金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的半导体处理方法，其中，所述第一金属氧化物直接沉积在所述衬底的表面上以形成第一金属氧化物层，并且所述第二金属氧化物直接沉积在第一金属氧化物层的顶表面上以形成第二金属氧化物层，其中第一金属氧化物层比第二金属氧化物层厚。
10.根据权利要求9所述的半导体处理方法，其中，所述第一金属氧化物层为约15埃厚，所述第二金属氧化物层为约10埃厚。
11.根据权利要求10所述的半导体处理方法，其中，所述第一金属氧化物层包括氧化铪(HfO2)，所述第二金属氧化物层包括氧化镧(La2O3)或氧化铝(Al2O3)，或其组合。
12.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中，所述受激物质在远程等离子体单元(RPU)中产生。
13.根据权利要求12所述的半导体处理方法，其中，所述受激物质是氩(Ar)、氢(H2)或氮(N2)的自由基，或其组合。
14.根据权利要求13所述的半导体处理方法，其中，H2和N2以预定比率组合。
15.根据权利要求13所述的半导体处理方法，其中，所述受激物质是H2。
16.根据权利要求13所述的半导体处理方法，其中，接触所述衬底的一个或多个氧化物层的顶表面还包括加热所述衬底支撑件以调节衬底的温度。
17.根据权利要求16所述的半导体处理方法，其中，所述衬底支撑件被加热到约360℃。
18.根据权利要求2所述的半导体处理方法，其中，在衬底上沉积一个或多个氧化物层和使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触在同一反应室中进行。
19.根据权利要求2所述的半导体处理方法，其中，在衬底上沉积一个或多个氧化物层、使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触以及在衬底表面上沉积过渡金属层在同一反应室中进行。
20.根据权利要求2所述的半导体处理方法，其中，在衬底上沉积一个或多个氧化物层、使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触以及在衬底表面上沉积过渡金属层在两个或更多个反应室中进行。
21.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中，所述第一反应室和所述第二反应室是同一个室。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理方法，还包括在衬底的表面上沉积所述一个或多个氧化物层。
3.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中，沉积过渡金属层包括将衬底暴露于一种或多种过渡金属层前体。
4.根据权利要求3所述的半导体处理方法，其中，所述过渡金属层是过渡金属氮化物。
5.根据权利要求4所述的半导体处理方法，其中，所述过渡金属氮化物是氮化钼(mon)或氮化钨(wn)。
6.根据权利要求5所述的半导体处理方法，其中，所述一种或多种过渡金属层前体选自包括以下的组：双(叔丁基亚氨基)双(叔丁氧基)mo、双(叔丁基亚氨基)双(二甲基氨基)mo、双(叔丁基亚氨基)双(二甲基氨基)mo、六羰基钼、五氯化钼、mo(ntbu)2(stbu)2、mo(nme2)4、mo(net2)4、mo2(nme2)6、mo(tbun)2(nme2)2、mo(tbun)2(net2)2、mo(netme)4、mo(ntbu)2(stbu)2、mo(ntbu)2(ipr2amd)2、mo(thd)3、moo2(acac)、moo2(thd)2、moo2(ipr2amd)2、双(叔丁基亚氨基)-双(二甲基氨基)钨、双(叔丁基亚氨基)-双(叔丁基酰氨基)钨或其组合。
7.根据权利要求2所述的半导体处理方法，其中，在衬底的表面上沉积一个或多个氧化物层包括：
8.根据权利要求7所述的半导体处理方法，其中，所述第一金属氧化物不同于所述第二金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的半导体处理方法，其中，所述第一金属氧化物直接沉积在所述衬底的表面上以形成第一金属氧化物层，并且所述第二金属氧化物直接沉积在第一金属氧化物层的顶表面上以形成第二金属氧化物层，其中第一金属氧化物层比第二金属氧化物层厚。
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【专利技术属性】
技术研发人员：V·S·N·R·查瓦，E·H·索洛夫，R·B·米利根，M·萨米伊，B·坎南，D·李，R·贾卡拉朱，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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