【技术实现步骤摘要】
本申请涉及外延设备，尤其是涉及一种外延设备用连接结构。
技术介绍
1、半导体外延指的是在超高温环境下，通过化学气相沉积的方式，在以半导体作为衬底的表面生长出一层或者数层半导体薄膜，形成半导体晶片。
2、半导体外延设备一般包括供半导体晶体反应的反应腔，以及内置有机械手臂的传送腔。反应腔和传送腔之间设置有外延设备用连接结构，外延设备用连接结构上开设有用于传送晶片的传片口，机械手臂能够穿过传片口伸入到反应腔内拾取和放置晶片。传送腔内设置闸板阀，能够与传片口配合形成密封，同时闸板阀能够控制传片口的启闭和反应腔与传送腔之间的连通。
3、在晶体反应的过程中，传片口内会堆积颗粒物，当传片口处的插板阀打开时，反应腔和传送腔会相互连通，此时由于反应腔和传送腔之间存在压差，压差会造成传片口处的气流紊乱，从而会导致堆积在传片口内的颗粒物扬起弥漫，导致颗粒物附着到晶片上，造成晶片污染。
技术实现思路
1、为了解决现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种外延设备用连接结构，其传片口的清洁度较高。
2、一种外延设备用连接结构，该外延设备用连接结构用于外延设备的第一腔体和第二腔体之间的连接，外延设备用连接结构上开设有用于输送晶片的传片口，传片口连通第一腔体和第二腔体；外延设备用连接结构包括连接本体和清理机构；连接本体连接第一腔体和第二腔体，传片口开设于连接本体上；清理机构包括能够提供和抽取气体的气源组件以及至少部分设置在连接本体上的通气管道，通气管道的一端连通传片口，通气管道
3、进一步地，外延设备用连接结构还包括相互连通的第一管路、第二管路和第三管路，第一管路与通气管道连通，第二管路与气源组件连通，第三管路与第二腔体连通；第二管路和第三管路上均设置有控制阀。
4、进一步地，多个通孔均匀分布于传片口的内侧壁上。
5、进一步地，连接本体内部形成有冷却腔，冷却腔内充有冷却液，连接本体上设置有进液接口和出液接口，进液接口和出液接口均连通至冷却腔。
6、进一步地，外延设备用连接结构还包括第一防护板、第二防护板和驱动机构；第一防护板固定连接至连接本体的一侧，第一防护板上开设有与传片口连通的第一连接口；第二防护板位于连接本体连接有第一防护板的一侧，第二防护板开设有与第一连接口相适配的第二连接口；驱动机构固定连接至连接本体，驱动机构传动连接至第二防护板，以使驱动机构能够驱动第二防护板相对第一防护板移动，第二防护板相对第一防护板移动以打开第一连接口或关闭第一连接口。
7、进一步地，驱动机构包括驱动件和偏心轴，驱动件至少部分与连接本体连接；偏心轴的一端与驱动件传动连接，偏心轴远离驱动件的一端与第二防护板连接；偏心轴包括第一连接轴、第二连接轴和连杆，驱动件与第一连接轴传动连接，第一连接轴的一端与连杆固定连接，连杆远离第一连接轴的一端与第二连接轴固定连接，第一连接轴和第二连接轴的延伸方向一致，连杆的延伸方向垂直于所述第二连接轴的延伸方向。
8、进一步地，外延设备用连接结构还包括观察窗以及用于检测第一腔体温度的检测机构，观察窗开设于连接本体上，观察窗与第一腔体连通，检测机构至少部分连接至连接本体远离第一防护板的一侧，检测机构朝向观察窗设置。
9、进一步地，外延设备用连接结构还包括连接件和定位件；连接件固定连接至连接本体，连接件上开设有用于连接第一腔体和第二腔体的固定孔；定位件至少部分连接至连接件，定位件开设有用于定位外延设备用连接结构和第一腔体的定位孔。
10、进一步地，连接件的数量为两个，定义晶片的输送方向为传片方向，两个连接件沿垂直于传片方向分布于连接本体的两侧。
11、在本申请中气源组件能够通过与传片口连通的通气管路对传片口内先进行充气，在充气的过程中能够将传片口内的颗粒物吹起。之后气源组件切换为抽气，抽气的同时能够将传片口内的颗粒物一起吸附清理，实现对传片口的清洁，从而提高传片口内的清洁度，进而在打开插板阀时，不会扬起传片口的颗粒物，进而提高晶片的清洁性。
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1.一种外延设备用连接结构，用于外延设备的第一腔体(200)和第二腔体(300)之间的连接，所述外延设备用连接结构(100)上开设有用于输送晶片的传片口(111)，所述传片口(111)连通所述第一腔体(200)和所述第二腔体(300)；
2.根据权利要求1所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述外延设备用连接结构(100)还包括相互连通的第一管路(123)、第二管路(124)和第三管路(125)，所述第一管路(123)与所述通气管道(122)连通，所述第二管路(124)与所述气源组件(121)连通，所述第三管路(125)与所述第二腔体(300)连通；
3.根据权利要求2所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述传片口(111)设置为至少一个，每个所述传片口(111)的内侧壁上开设有多个通孔(1111)，多个所述通孔(1111)与所述通气管道(122)连通；
4.根据权利要求3所述的外延设备用连接结构，其特征在于，多个所述通孔(1111)均匀分布于所述传片口(111)的内侧壁上。
5.根据权利要求1所述的外延设备用连接结构，其特征在
6.根据权利要求1所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述外延设备用连接结构(100)还包括：
7.根据权利要求6所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述驱动机构(15)包括：
8.根据权利要求6所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述外延设备用连接结构(100)还包括观察窗(16)以及用于检测所述第一腔体(200)温度的检测机构(19)，所述观察窗(16)开设于所述连接本体(11)上，所述观察窗(16)与所述第一腔体(200)连通，所述检测机构(19)至少部分连接至所述连接本体(11)远离所述第一防护板(13)的一侧，所述检测机构(19)朝向所述观察窗(16)设置。
9.根据权利要求1所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述外延设备用连接结构(100)还包括：
10.根据权利要求9所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述连接件(17)的数量为两个，定义晶片的输送方向为传片方向，两个所述连接件(17)沿垂直于所述传片方向分布于所述连接本体(11)的两侧。
...【技术特征摘要】
1.一种外延设备用连接结构，用于外延设备的第一腔体(200)和第二腔体(300)之间的连接，所述外延设备用连接结构(100)上开设有用于输送晶片的传片口(111)，所述传片口(111)连通所述第一腔体(200)和所述第二腔体(300)；
2.根据权利要求1所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述外延设备用连接结构(100)还包括相互连通的第一管路(123)、第二管路(124)和第三管路(125)，所述第一管路(123)与所述通气管道(122)连通，所述第二管路(124)与所述气源组件(121)连通，所述第三管路(125)与所述第二腔体(300)连通；
3.根据权利要求2所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述传片口(111)设置为至少一个，每个所述传片口(111)的内侧壁上开设有多个通孔(1111)，多个所述通孔(1111)与所述通气管道(122)连通；
4.根据权利要求3所述的外延设备用连接结构，其特征在于，多个所述通孔(1111)均匀分布于所述传片口(111)的内侧壁上。
5.根据权利要求1所述的外延设备用连接结构，其特征在于，所述连接本体(11)内部形成有冷却腔，所述冷却腔内充有冷却液，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，刘毅，傅林坚，朱亮，谢文，陈文杰，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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