【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、在电动传动系内，牵引逆变器控制电动机。牵引逆变器是电动车辆中的重要部件，因为逆变器决定驱动行为。无论电机是同步、异步还是无刷dc，牵引逆变器总是以类似的方式起作用，并且可以由包括功率半导体模块的系统控制。功率半导体模块应当被设计成使开关损耗减到最小并且使热效率达到最大。牵引逆变器驱动电动机并捕获通过再生制动释放的能量，并将该能量馈送回电池。结果，车辆的续航距离与牵引逆变器的效率直接相关。因此，功率半导体模块的电感应该尽可能低以减少开关损耗，特别是当在模块中使用诸如sic mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的快速开关功率晶体管管芯(芯片)时。
2、常规的功率半导体模块具有低至3.5nh的电感，这对于sic mosfet和其他类型的快速开关功率晶体管技术而言不够低。芯片嵌入技术产生低至约700ph的电感，但更低的电感将产生提高的效率。此外，杂散电感不能完全避免并且增加到功率半导体模块的总电感。
3、因此，需要一种具有低于700ph的超低电感的改进的功率半导体模块设计。
技术实现思路
1、根据功率半导体模块的实施例，功率半导体模块包括：第一衬底；第二衬底；ac汇流条，所述ac汇流条具有面对第一衬底的第一侧和面对第二衬底的第二侧；第一功率晶体管管芯，所述第一功率晶体管管芯具有连接到第一衬底的第一金属区域的漏极端子和连接到ac汇流条的第一侧的源极端子；第二功率晶体管管芯，所述第二功率晶体管管芯具有连接到ac汇流条的第二侧的漏极端子和连接到第二
2、根据制造功率半导体模块的方法的实施例，该方法包括：将第一功率晶体管管芯的漏极端子连接到第一衬底的第一金属区域；将ac汇流条的第一侧连接到第一功率晶体管管芯的源极端子；将第二功率晶体管管芯的漏极端子连接到ac汇流条的第二侧；将第二衬底的第一金属区域连接到第二功率晶体管管芯的源极端子；将第一dc汇流条连接到第一衬底的第一金属区域；将第二dc汇流条连接到第二衬底的第一金属区域；以及将第一功率晶体管管芯和第二功率晶体管管芯封装在模制体中，其中，第一dc汇流条从模制体的第一侧突出，
3、其中，第二dc汇流条与第一dc汇流条垂直重叠并从模制体的第一侧突出，其中，ac汇流条从模制体的与第一dc汇流条和第二dc汇流条不同的一侧突出。
4、本领域技术人员在阅读以下具体实施方式并查看附图时将认识到附加特征和优点。
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1.一种功率半导体模块，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述导热体包括附接到所述第一衬底的所述第二金属区域和所述AC汇流条的所述第一侧的金属或陶瓷间隔物。
4.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述导热体包括在所述第一衬底的所述第二金属区域与所述AC汇流条的所述第一侧之间的烧结接头。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
6.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其中，所述导热体包括附接到所述第二衬底的所述第二金属区域和所述AC汇流条的所述第二侧的金属或陶瓷间隔物。
7.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其中，所述导热体包括在所述第二衬底的所述第二金属区域与所述AC汇流条的所述第二侧之间的烧结接头。
8.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
9.根据权利要求8所述的功率半导体模块，其中，所述第一导热体包括附接到所述第一衬底的所述第二金属区域和所述AC汇流条的所述第一侧的第一金属或陶瓷间隔
10.根据权利要求8所述的功率半导体模块，其中，所述第一导热体包括在所述第一衬底的所述第二金属区域与所述AC汇流条的所述第一侧之间的第一烧结接头，并且其中，所述第二导热体包括在所述第二衬底的所述第二金属区域与所述AC汇流条的所述第二侧之间的第二烧结接头。
11.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一功率晶体管管芯的栅极端子通过穿过所述AC汇流条中的间隙的第一接合线电连接到所述第一衬底的第二金属区域，并且其中，所述第二功率晶体管管芯的栅极端子通过穿过所述AC汇流条中的相同或不同间隙的第二接合线电连接到所述第一衬底的第三金属区域。
12.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一功率晶体管管芯的栅极端子通过穿过所述第二衬底的所述第一金属区域中的间隙的第一接合线电连接到所述第一衬底的第二金属区域，并且其中，所述第二功率晶体管管芯的栅极端子通过穿过所述第二衬底的所述第一金属区域中的相同或不同间隙的第二接合线电连接到所述第一衬底的第三金属区域。
13.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一功率晶体管管芯和所述第二功率晶体管管芯是相同的，其中，所述第二功率晶体管管芯与所述第一功率晶体管管芯垂直重叠，并且其中，在水平平面中，所述第二功率晶体管管芯相对于所述第一功率晶体管管芯旋转90°，使得所述第一功率晶体管管芯的栅极端子不被所述第二功率晶体管管芯阻挡。
14.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
15.一种制造功率半导体模块的方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
17.根据权利要求15所述的方法，还包括：
18.根据权利要求15所述的方法，还包括：
19.根据权利要求15所述的方法，还包括：
20.根据权利要求15所述的方法，还包括：
21.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一功率晶体管管芯与所述第二功率晶体管管芯是相同的，其中，所述第二功率晶体管管芯与所述第一功率晶体管管芯垂直重叠，并且其中，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述导热体包括附接到所述第一衬底的所述第二金属区域和所述ac汇流条的所述第一侧的金属或陶瓷间隔物。
4.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述导热体包括在所述第一衬底的所述第二金属区域与所述ac汇流条的所述第一侧之间的烧结接头。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
6.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其中，所述导热体包括附接到所述第二衬底的所述第二金属区域和所述ac汇流条的所述第二侧的金属或陶瓷间隔物。
7.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其中，所述导热体包括在所述第二衬底的所述第二金属区域与所述ac汇流条的所述第二侧之间的烧结接头。
8.根据权利要求1所述的功率半导体模块，还包括：
9.根据权利要求8所述的功率半导体模块，其中，所述第一导热体包括附接到所述第一衬底的所述第二金属区域和所述ac汇流条的所述第一侧的第一金属或陶瓷间隔物，并且其中，所述第二导热体包括附接到所述第二衬底的所述第二金属区域和所述ac汇流条的所述第二侧的第二金属或陶瓷间隔物。
10.根据权利要求8所述的功率半导体模块，其中，所述第一导热体包括在所述第一衬底的所述第二金属区域与所述ac汇流条的所述第一侧之间的第一烧结接头，并且其中，所述第二导热体包括在所述第二衬底的所述第二金属区域与所述ac汇流条的所述第二侧之间的第二烧结接头。
11.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一功率晶体管管芯的栅极端子通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·阿尔特豪斯，A·格罗夫，C·利布尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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