【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及电磁屏蔽，尤其涉及一种电磁屏蔽罩及线路板。
技术介绍
1、目前移动终端往小型化发展，例如麦克风、无线耳机等，需要用到极小型或者微型电路。在小型线路板的制作中，传统的贴片电阻、电容无法满足小体积的线路制作需求，片式电子元器件目前已在电子产品中得到广泛应用。
2、现有的薄膜电阻产品在线路制作过程中，应用端使用时电阻层容易开裂，导致电阻失效，影响线路板制作效率和品质。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种复合金属箔、覆金属层叠板、芯片及电路板，实现提高功能层的致密性，提高复合金属箔的韧性，避免线路板压合过程功能层开裂。
2、第一方面，本专利技术实施例提供一种复合金属箔，包括：层叠设置的基底层和功能层；所述基底层的导热系数大于400w/m.k。
3、可选的，所述基底层的导热系数在400w/m.k-450w/m.k之间。
4、可选的，所述基底层靠近和/或远离所述功能层的一侧设置隔热层。
5、可选的，单位面积内，所述基底层中晶粒与晶界的数量比例为0.1～2。
6、可选的，单位面积内所述基底层的所有所述晶粒中，单晶取向的晶粒占比为70～100％。
7、可选的，所述复合金属箔还包括缓冲层，所述缓冲层、所述基底层及所述功能层分别层叠设置。
8、可选的，所述基底层的材质包括铜、金、银、铁、铝、石墨、导电聚合物和碳纤维复合材料中的一种或两种以上材料；和/或，所述功能层包括镍、铬、锌、铝、铁
9、可选的，所述功能层中铬的含量范围为10％～40％，镍的含量范围为60％～90％。
10、可选的，所述基底层的厚度为5～50μm；和/或，所述基底层靠近所述功能层的一侧表面的粗糙度rz范围为0.5～10μm。
11、可选的，所述的复合金属箔，还包括调节层，所述调节层设置在所述功能层远离所述基底层的一侧，所述调节层用于作用提升压合时所述基底层与基板的结合力。
12、第二方面，本专利技术实施例提供一种覆金属层叠板，所述覆金属层叠板包括本专利技术任意实施例所述的复合金属箔。
13、第三方面，本专利技术实施例提供一种芯片，所述芯片包括本专利技术任意实施例所述的复合金属箔。
14、第四方面，本专利技术实施例提供一种电路板，所述电路板包括本专利技术任意实施例所述的复合金属箔。
15、本专利技术实施例提供的技术方案，复合金属箔包括层叠设置的基底层和功能层；基底层的导热系数大于400w/m.k。通过限定基底层材料导热系数，从而影响薄膜材料的沉积速度，提高功能层溅射时的致密性，提高复合金属箔的韧性，可以避免线路板压合过程中功能层开裂情况发生，满足使用需求，有利于提升线路加工精度。
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1.一种复合金属箔，其特征在于，包括：层叠设置的基底层和功能层；所述基底层的导热系数大于400W/m.K。
2.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述基底层的导热系数在400W/m.K-450W/m.K之间。
3.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述基底层靠近和/或远离所述功能层的一侧设置隔热层。
4.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，单位面积内，所述基底层中晶粒与晶界的数量比例为0.1～2。
5.根据权利要求4所述的复合金属箔，其特征在于，单位面积内所述基底层的所有所述晶粒中，单晶取向的晶粒占比为70～100％。
6.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述复合金属箔还包括缓冲层，所述缓冲层、所述基底层及所述功能层分别层叠设置。
7.根据权利要求3所述的复合金属箔，其特征在于，所述基底层的材质包括铜、金、银、铁、铝、石墨、导电聚合物和碳纤维复合材料中的一种或两种以上材料；和/或，所述功能层包括镍、铬、锌、铝、铁、钛、磷、锡、氧、氮和铜中的至少一种元素。
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9.根据权利要求1-8任一所述的复合金属箔，其特征在于，所述基底层的厚度为5～50μm；和/或，所述基底层靠近所述功能层的一侧表面的粗糙度Rz范围为0.5～10μm。
10.根据权利要求1-8任一所述的复合金属箔，其特征在于，还包括调节层，所述调节层设置在所述功能层远离所述基底层的一侧，所述调节层用于作用提升压合时所述基底层与基板的结合力。
11.一种覆金属层叠板，其特征在于，所述覆金属层叠板包括权利要求1-10中任一项所述的复合金属箔。
12.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括权利要求1-10中任一项所述的复合金属箔。
13.一种电路板，其特征在于，所述电路板包括权利要求1-10中任一项所述的复合金属箔。
...【技术特征摘要】
1.一种复合金属箔，其特征在于，包括：层叠设置的基底层和功能层；所述基底层的导热系数大于400w/m.k。
2.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述基底层的导热系数在400w/m.k-450w/m.k之间。
3.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述基底层靠近和/或远离所述功能层的一侧设置隔热层。
4.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，单位面积内，所述基底层中晶粒与晶界的数量比例为0.1～2。
5.根据权利要求4所述的复合金属箔，其特征在于，单位面积内所述基底层的所有所述晶粒中，单晶取向的晶粒占比为70～100％。
6.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述复合金属箔还包括缓冲层，所述缓冲层、所述基底层及所述功能层分别层叠设置。
7.根据权利要求3所述的复合金属箔，其特征在于，所述基底层的材质包括铜、金、银、铁、铝、石墨、导电聚合物和碳纤维复合材料中的一种或两种以上材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐煦源，何高霞，李冬梅，
申请(专利权)人：广州方邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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