【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶炉，具体涉及一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置。
技术介绍
1、单晶硅晶体是半导体材料中非常重要的一个，广泛应用在太阳能电池、集成电路、传感器等领域。目前，生产单晶硅晶体主要采用直拉法，而直拉法需要使用到石英坩埚，在石英坩埚外套设有埚邦，通过对石英坩埚的加热来生成单晶硅晶体。但是，所述石英坩埚受热软化后会紧贴于埚邦内壁，不利于石英坩埚与埚邦之间的气体排出，使气体持续增加，导致石英坩埚出现鼓包，影响正常拉晶。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，在埚邦本体的内壁中设置有相互连通的横向排气通道和竖向排气通道，且竖向排气通道的一端朝向埚邦本体的顶部，使石英坩埚和埚邦本体的内壁之间的气体可以随着相互导通的排气通道朝向埚邦本体的顶部进行排出，降低石英坩埚鼓包率。
2、为解决上述技术问题，本技术采用了以下方案：
3、一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，应用于石英坩埚外侧，其特征在于，包括埚邦本体，所述埚邦本体的内壁上设置有第一排气阵列和第二排气阵列，所述第一排气阵列包括若干个在竖直方向上依次排列的横向排气通道，且所述横向排气通道在水平方向上沿埚邦本体的内壁进行延伸，所述第二排气阵列包括若干个在横向方向上依次排列的竖向排气通道，且所述竖向排气通道在竖直方向上沿埚邦本体的内壁进行延伸，所述横向排气通道与竖向排气通道对应，使横向排气通道与对应的竖向排气通道相连通。
4、进一步的，所述横向排气通道和竖向排气通道的截面均为半
5、进一步的，所述竖向排气通道的一端朝向埚邦本体的底部且与对应的横向排气通道连接，所述竖向排气通道的另一端朝向埚邦本体的顶部且与顶部连接。
6、进一步的，所述横向排气通道在埚邦本体的内壁上为环形设置，所述竖向排气通道从埚邦本体的顶部向下延伸并贯穿横向排气通道，使所述竖向排气通道与横向排气通道相连接。
7、进一步的，所述横向排气通道的数量大于3个，且所述横向排气通道在竖直方向上沿相同间隔进行依次排列。
8、进一步的，所述竖向排气通道的数量大于3个，且所述竖向排气通道在横向方向上沿相同间隔进行依次排列。
9、进一步的，所述第一排气阵列包括密集排气阵列和稀疏排气阵列，所述密集排气阵列靠近埚邦本体的顶部设置，所述稀疏排气阵列靠近埚邦本体的底部设置，
10、所述密集排气阵列中包括若干个在竖直方向上沿相同的第一间隔距离进行依次排列的横向排气通道，所述稀疏排气阵列中包括若干个在竖直方向上沿相同的第二间隔距离进行依次排列的横向排气通道，所述第一间隔距离小于第二间隔距离。
11、进一步的，所述密集排气阵列中横向排气通道的数量大于所述稀疏排气阵列中横向排气通道的数量。
12、本技术的有益效果：
13、本技术提供了一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，在埚邦本体的内壁中设置有相互连通的横向排气通道和竖向排气通道，且竖向排气通道的一端朝向埚邦本体的顶部，使石英坩埚和埚邦本体的内壁之间的气体可以随着相互导通的排气通道朝向埚邦本体的顶部进行排出，降低石英坩埚鼓包率。
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1.一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，应用于石英坩埚外侧，其特征在于，包括埚邦本体(1)，所述埚邦本体(1)的内壁上设置有第一排气阵列和第二排气阵列，所述第一排气阵列包括若干个在竖直方向上依次排列的横向排气通道(2)，且所述横向排气通道(2)在水平方向上沿埚邦本体(1)的内壁进行延伸，所述第二排气阵列包括若干个在横向方向上依次排列的竖向排气通道(3)，且所述竖向排气通道(3)在竖直方向上沿埚邦本体(1)的内壁进行延伸，所述横向排气通道(2)与竖向排气通道(3)对应，使横向排气通道(2)与对应的竖向排气通道(3)相连通。
2.根据权利要求1所述的一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，其特征在于，所述横向排气通道(2)和竖向排气通道(3)的截面均为半圆形，且半圆形的半径大小小于埚邦本体(1)的内壁壁厚大小。
3.根据权利要求1所述的一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，其特征在于，所述竖向排气通道(3)的一端朝向埚邦本体(1)的底部且与对应的横向排气通道(2)连接，所述竖向排气通道(3)的另一端朝向埚邦本体(1)的顶部且与顶部连接。
4.根据权利要求2所述
5.根据权利要求1所述的一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，其特征在于，所述横向排气通道(2)的数量大于3个，且所述横向排气通道(2)在竖直方向上沿相同间隔进行依次排列。
6.根据权利要求1所述的一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，其特征在于，所述竖向排气通道(3)的数量大于3个，且所述竖向排气通道(3)在横向方向上沿相同间隔进行依次排列。
7.根据权利要求1所述的一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，其特征在于，所述第一排气阵列包括密集排气阵列和稀疏排气阵列，所述密集排气阵列靠近埚邦本体(1)的顶部设置，所述稀疏排气阵列靠近埚邦本体(1)的底部设置，
8.根据权利要求7所述的一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，其特征在于，所述密集排气阵列中横向排气通道(2)的数量大于所述稀疏排气阵列中横向排气通道(2)的数量。
...【技术特征摘要】
1.一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，应用于石英坩埚外侧，其特征在于，包括埚邦本体(1)，所述埚邦本体(1)的内壁上设置有第一排气阵列和第二排气阵列，所述第一排气阵列包括若干个在竖直方向上依次排列的横向排气通道(2)，且所述横向排气通道(2)在水平方向上沿埚邦本体(1)的内壁进行延伸，所述第二排气阵列包括若干个在横向方向上依次排列的竖向排气通道(3)，且所述竖向排气通道(3)在竖直方向上沿埚邦本体(1)的内壁进行延伸，所述横向排气通道(2)与竖向排气通道(3)对应，使横向排气通道(2)与对应的竖向排气通道(3)相连通。
2.根据权利要求1所述的一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，其特征在于，所述横向排气通道(2)和竖向排气通道(3)的截面均为半圆形，且半圆形的半径大小小于埚邦本体(1)的内壁壁厚大小。
3.根据权利要求1所述的一种降低石英坩埚鼓包率的埚邦装置，其特征在于，所述竖向排气通道(3)的一端朝向埚邦本体(1)的底部且与对应的横向排气通道(2)连接，所述竖向排气通道(3)的另一端朝向埚邦本体(1)的顶部且与顶部连接。
4.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，关树军，洪华，路建华，
申请(专利权)人：乐山市京运通半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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