【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体硅制备装置，更具体地，涉及一种副炉室及单晶炉。
技术介绍
1、在半导体硅片制造领域中，传统的直拉单晶炉在主炉体上方配有一个副炉室，晶体在单晶炉中提拉出熔体后上升至副炉室中缓慢冷却，当前的单晶炉副炉室主要为不锈钢内壁层，内壁表面光滑，夹层内有循环水流通，副炉室顶部有氩气流入；晶棒上升到副室内主要通过辐射及氩气对流进行散热冷却，降温速度缓慢，晶棒在每个温区所经历的时间相同，导致晶棒在温度变化时微缺陷的产生数量较多，进而影响所制得的单晶硅棒的质量。
2、因此，如何克服上述问题，成为现阶段亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术提供了一种副炉室及单晶炉，通过缩短单晶硅棒到达散热温区(530℃-550℃)的时间，减少单晶硅棒在温度变化时产生的脆塑转变引起的位错问题。
2、第一方面，本申请提供的一种副炉室，包括多个隔热环，所述隔热环固定于副炉室内壁，所述隔热环所在的平面平行于副炉室的横截面；
3、多个进气口，所述进气口位于所述隔热环形成的隔断区间内，所述进气口用于外接氩气气源。
4、可选地，所述隔热环包含内径和外径，所述隔热环外径与副炉室内径大小相等，所述隔热环内径范围为300-400mm。
5、可选地，所述隔热环沿副炉室底部往上5米范围内间隔设置；其中，副炉室内壁底部固定有一个所述隔热环。
6、可选地，靠近副炉室底部相邻两个所述隔热环之间的间距，比远离副炉室底部相邻两个所述隔热环之间的间
7、可选地，所述隔热环与副炉室内壁通过焊接方式连接。
8、可选地，所述隔热环为不锈钢材质。
9、可选地，所述进气口位于副炉室底部往上3米的范围内。
10、可选地，每两个相邻的所述隔热环之间的副炉室壁上设置有一个所述进气口。
11、可选地，所述隔热环厚度范围为1-2cm。
12、第二方面，本申请提供的一种单晶炉，包括主炉室及与所述主炉室相连通的如上所述的副炉室。
13、与现有技术相比，本技术提供的一种副炉室及单晶炉，至少实现了如下的有益效果：
14、1、在副炉室的特定高度增加隔热环，降低单晶炉内的高温液面对单晶硅棒的热辐射，加快散热，提高晶棒拉制速度，提升产量；
15、2、在隔热环隔断的区域内增加氩气接入口，加快到达此时所处特定温区的单晶硅棒的冷却速率，使单晶硅棒处在530℃-550℃温度区间的时间缩短，抑制缺陷的产生，提升单晶硅棒品质。
16、当然，实施本技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
17、通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
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1.一种副炉室，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的副炉室，其特征在于，所述隔热环包含内径和外径，所述隔热环外径与副炉室内径大小相等，所述隔热环内径范围为300-400mm。
3.根据权利要求2所述的副炉室，其特征在于，所述隔热环沿副炉室底部往上5米范围内间隔设置；其中，副炉室内壁底部固定有一个所述隔热环。
4.根据权利要求3所述的副炉室，其特征在于，靠近副炉室底部相邻两个所述隔热环之间的间距，比远离副炉室底部相邻两个所述隔热环之间的间距小。
5.根据权利要求4所述的副炉室，其特征在于，所述隔热环与副炉室内壁通过焊接方式连接。
6.根据权利要求5所述的副炉室，其特征在于，所述隔热环为不锈钢材质。
7.根据权利要求1所述的副炉室，其特征在于，所述进气口位于副炉室底部往上3米的范围内。
8.根据权利要求7所述的副炉室，其特征在于，每两个相邻的所述隔热环之间的副炉室壁上设置有一个所述进气口。
9.根据权利要求8所述的副炉室，其特征在于，所述隔热环厚度范围为1-2cm。
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...【技术特征摘要】
1.一种副炉室，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的副炉室，其特征在于，所述隔热环包含内径和外径，所述隔热环外径与副炉室内径大小相等，所述隔热环内径范围为300-400mm。
3.根据权利要求2所述的副炉室，其特征在于，所述隔热环沿副炉室底部往上5米范围内间隔设置；其中，副炉室内壁底部固定有一个所述隔热环。
4.根据权利要求3所述的副炉室，其特征在于，靠近副炉室底部相邻两个所述隔热环之间的间距，比远离副炉室底部相邻两个所述隔热环之间的间距小。
5.根据权利要求4所述的副炉室，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张孝富，陈养俊，万雪健，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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