【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种流体巨量转移局部阵列led芯片磁力纠偏装置及转移方法。
技术介绍
1、mini/micro led技术作为显示领域的前沿创新，正迅速发展。借由led芯片尺寸的缩减，显示设备正朝着高分辨率以及高亮度的方向快速的发展着。巨量转移技术是实现高效率显示面板制造的核心。当前，mini/micro led技术的巨量转移领域已探索出多样化的技术路径，涵盖了精准拾取-释放技术、激光剥离技术、滚轴转印技术以及自组装转移技术等。在这些技术方案中，自组装转移技术因其独到的优势而显得尤为突出。这项技术依托于流体力以及磁力驱动芯片完成转移，与其他转移技术相比，可转移芯片尺寸更小、结构更复杂的芯片，并且转移数量也远超其他技术，是最有前景的转移方式。
2、现有的技术中，申请专利cn202311564639.8提出了一种磁力摆正，流体顺正的流磁自组装巨量转移方法，通过外部螺线管线圈控制led芯片的磁性n电极靠近电路板，无磁性p电极远离电路板的姿态下落，同时借助电路板下方的微型磁针以及流场的作用下达到对下落的led芯片的吸引、固定以及姿态调整的自组装过程。由于芯片的n型电极带磁，在流体中保持稳定姿态下落至基板上仅有磁针对n型电极提供磁力吸引，在流场摆正时会出现p型电极不在基板焊点上的情况，无法完成焊接，影响转移效率和良率。
3、申请专利cn202410998883.3提出了一种微型芯片用零偏置磁场的永磁转移装置及方法，通过零偏置永磁阵列磁针对流场中带磁led芯片的吸引作用，在磁针的作用下运动至转移基板上
4、申请专利cn202410878847.3提出了一种微型芯片精确抓取用低功耗磁路解耦永磁偏置磁针，通过电磁磁场与永磁磁场的耦合以及电磁磁场的自解耦，控制磁针针尖处磁感应强度实现对芯片的精准固定吸引，完成芯片的转移工作。由于装置整体的磁场需要通过电磁线圈进行调控，并不能够对永磁磁针中部分磁针的针尖处的磁场强度进行调整，当出现单个磁针吸引多个芯片的情况时若对磁场进行调整，则其他磁针处的芯片也会受到磁场调控的影响，进而影响转移的效率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种流体巨量转移局部阵列led芯片磁力纠偏装置及转移方法，在保证成功转移的led芯片不受影响的前提下完成对纠偏平台内转移基板上转移失败的led芯片进行纠偏，具有调节精度高、对芯片无损伤、可重复使用的优点。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种流体巨量转移局部阵列led芯片磁力纠偏装置,包括x运动平台、y运动平台、纠偏磁针组件、相机组件、芯片转移组件和纠偏平台，所述y运动平台固定在所述x运动平台的动力输出端，所述纠偏磁针组件和所述相机组件均固定在所述y运动平台的动力输出端，所述芯片转移组件设置在所述纠偏磁针组件和所述相机组件的正下方，所述纠偏平台设置在所述芯片转移组件的正下方。
3、优选的，所述x运动平台包括x运动滑台、x电机和分别平行设置在所述x电机两侧的左x导轨和右x导轨，所述x电机的动子与所述x运动滑台固定连接，所述x运动滑台与所述左x导轨和所述右x导轨均滑动连接，所述x运动滑台的侧端面上设置有用于安装所述y运动平台的螺纹孔；
4、所述y运动平台通过螺栓固定在所述x运动滑台上，所述y运动平台包括磁针滑台、y电机、平行设置在所述y电机上侧的y上导轨和平行设置在所述y电机下侧的y下导轨，所述y电机的动子与所述磁针滑台固定连接，所述磁针滑台与所述y上导轨和所述y下导轨均滑动连接；
5、所述x电机和所述y电机均为直线驱动器。
6、优选的，所述纠偏磁针组件设置在所述磁针滑台的侧端面上，所述纠偏磁针组件包括磁针z电机、磁针锁帽和纠偏磁针，所述纠偏磁针与所述磁针锁帽套接，所述磁针锁帽通过螺栓固定在所述磁针z电机的动子末端上；
7、所述纠偏磁针的材料为永磁材料,其自身磁密量级为10mt、20mt、30mt、40mt、50mt、60mt、70mt、80mt。
8、优选的，所述相机组件设置在所述磁针滑台的侧端面上，与所述纠偏磁针组件并列设置，所述相机组件包括相机、相机夹具、光源夹具和光源，所述相机与所述相机夹具插接，所述相机夹具与所述光源夹具连接，所述光源夹具与所述光源固定连接。
9、优选的，所述芯片转移组件包括转移基板、设置在所述转移基板上的流体组装池和设置在所述流体组装池上的定位阵列磁针；
10、所述定位阵列磁针呈22.5mmx22.5mm的阵列排布，每根磁针之间的间距为2.5mm，磁针针尖的直径为0.1mm。
11、优选的，所述纠偏磁针组件x方向、y方向的运动行程分别为100mm和60mm。
12、优选的，所述led芯片的一端电极由au、ag、cu、pt、mo中的一种或多种以及导磁材料co、ni中的一种或多种元素的合金构成。
13、一种流体巨量转移局部阵列led芯片磁力纠偏装置的转移方法，步骤如下：
14、s1、流磁自组装完成后，x运动平台与y运动平台带动相机组件对纠偏平台内的转移基板进行拍照取样，获取转移基板内姿态错误芯片和转移堆叠芯片的位置数据；
15、s2、拍照完成后，x运动平台和y运动平台带动纠偏磁针组件移动至需要纠偏的位置，同时磁针z电机调整纠偏磁针至工作高度；
16、s3、纠偏磁针对需要纠偏处的磁场强度进行调整，在纠偏磁针的作用下，使需要纠偏焊点处的磁场强度减弱；
17、s4、开启流场，在流场、定位阵列磁针以及纠偏磁针的共同作用下对姿态错误芯片和转移堆叠芯片进行纠偏；
18、s5、纠偏流程完成后，由x运动平台和y运动平台带动相机组件重新对转移基板进行拍照取样，确认纠偏流程后转移基板上的led芯片情况，判断led芯片是否摆正。
19、优选的，所述定位阵列磁针的针尖上方0.5mm处的磁感应强度为70mt-80mt，当所述纠偏磁针移动至所述定位阵列磁针的针尖上方时，所述定位阵列磁针的针尖上方的磁感应强度降至20mt-30mt。
20、因此，本专利技术采用上述结构的一种流体巨量转移局部阵列led芯片磁力纠偏装置及转移方法，通过使用转移基板下方的定位阵列磁针对led芯片进行吸引，同时通过转移基板上方的纠偏磁针对转移失败的芯片处的磁场强度进行精确控制，使得转移失败的充磁led芯片可以重新调整，通过上下磁针的磁场配合，实现了在对成功转移的芯片无影响的前提下对转移失败的芯片进行纠偏，实现准确的自组装过程，有效的提高芯片转移的精度和效率。
21、下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种流体巨量转移局部阵列LED芯片磁力纠偏装置，其特征在于：包括X运动平台、Y运动平台、纠偏磁针组件、相机组件、芯片转移组件和纠偏平台，所述Y运动平台固定在所述X运动平台的动力输出端，所述纠偏磁针组件和所述相机组件均固定在所述Y运动平台的动力输出端，所述芯片转移组件设置在所述纠偏磁针组件和所述相机组件的正下方，所述纠偏平台设置在所述芯片转移组件的正下方。
2.根据权利要求1所述的一种流体巨量转移局部阵列LED芯片磁力纠偏装置，其特征在于：所述X运动平台包括X运动滑台、X电机和分别平行设置在所述X电机两侧的左X导轨和右X导轨，所述X电机的动子与所述X运动滑台固定连接，所述X运动滑台与所述左X导轨和所述右X导轨均滑动连接，所述X运动滑台的侧端面上设置有用于安装所述Y运动平台的螺纹孔；
3.根据权利要求1所述的一种流体巨量转移局部阵列LED芯片磁力纠偏装置，其特征在于：所述纠偏磁针组件设置在所述磁针滑台的侧端面上，所述纠偏磁针组件包括磁针Z电机、磁针锁帽和纠偏磁针，所述纠偏磁针与所述磁针锁帽套接，所述磁针锁帽通过螺栓固定在所述磁针Z电机的动子末端上；
...【技术特征摘要】
1.一种流体巨量转移局部阵列led芯片磁力纠偏装置，其特征在于：包括x运动平台、y运动平台、纠偏磁针组件、相机组件、芯片转移组件和纠偏平台，所述y运动平台固定在所述x运动平台的动力输出端，所述纠偏磁针组件和所述相机组件均固定在所述y运动平台的动力输出端，所述芯片转移组件设置在所述纠偏磁针组件和所述相机组件的正下方，所述纠偏平台设置在所述芯片转移组件的正下方。
2.根据权利要求1所述的一种流体巨量转移局部阵列led芯片磁力纠偏装置，其特征在于：所述x运动平台包括x运动滑台、x电机和分别平行设置在所述x电机两侧的左x导轨和右x导轨，所述x电机的动子与所述x运动滑台固定连接，所述x运动滑台与所述左x导轨和所述右x导轨均滑动连接，所述x运动滑台的侧端面上设置有用于安装所述y运动平台的螺纹孔；
3.根据权利要求1所述的一种流体巨量转移局部阵列led芯片磁力纠偏装置，其特征在于：所述纠偏磁针组件设置在所述磁针滑台的侧端面上，所述纠偏磁针组件包括磁针z电机、磁针锁帽和纠偏磁针，所述纠偏磁针与所述磁针锁帽套接，所述磁针锁帽通过螺栓固定在所述磁针z电机的动子末端上；
4.根据权利要求1所述的一种流体巨量转移...
【专利技术属性】
技术研发人员：张财政，陈云喆，牛德树，孙海威，
申请(专利权)人：北京海炬科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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