【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施例涉及像素和包括像素的显示装置。
技术介绍
1、随着信息技术已经发展，诸如液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置已经变得越来越重要。最近，已经开发了头戴式显示装置(hmd)。头戴式显示装置(hmd)是用户可以以眼镜或头盔的形式穿戴的显示装置，并且hmd通常用于创建在用户的眼睛前面的短距离处形成焦点的虚拟现实(vr)体验或增强现实(ar)体验。因此，头戴式显示装置可以采用高分辨率面板，需要适用于高分辨率面板的像素。
技术实现思路
1、本公开的各种实施例涉及一种能够被应用于高分辨率面板的像素以及一种包括像素的显示装置。
2、本公开的实施例可以提供一种像素，所述像素包括：第一晶体管，包括第二电极、电连接到第一电力线的第一电极以及连接到第一节点的栅极电极；第二晶体管，包括第二电极、电连接到数据线的第一电极以及电连接到第一扫描线的栅极电极；第三晶体管，连接在所述第一节点与所述数据线之间，并且所述第三晶体管包括电连接到第二扫描线的栅极电极；第一电容器，包括连接到所述第二晶体管的所述第二电极的第一电极以及连接到所述第一节点的第二电极；第二电容器，连接在所述第一电力线与所述第一节点之间；以及发光元件，连接在第二电力线与所述第一晶体管之间，并且所述发光元件包括电连接到所述第二电力线的第二电极。
3、在实施例中，所述第一晶体管可以是包括体电极的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。
4、在实施例中，第一驱动电力的电压可以被供应到所述第一电力
5、在实施例中，所述像素还可以包括：第四晶体管，连接在所述第一节点和与所述第一晶体管的所述第二电极连接的第二节点之间，并且所述第四晶体管包括电连接到第三扫描线的栅极电极；第五晶体管，连接在所述第二节点与所述发光元件的第一电极之间，并且所述第五晶体管包括电连接到发射控制线的栅极电极；以及第六晶体管，包括电连接到所述发光元件的所述第一电极的第一电极、电连接到第三电力线的第二电极以及电连接到第四扫描线的栅极电极。
6、在实施例中，所述第一晶体管至所述第六晶体管中的每一者可以是包括体电极的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。
7、在实施例中，第一驱动电力的电压可以被供应到所述第一电力线，并且所述第一驱动电力的所述电压可以被供应到所述第一晶体管至所述第六晶体管中的每一者的所述体电极。
8、在实施例中，所述第二扫描线可以被设置为定位在前一水平线上的第三扫描线。
9、在实施例中，比所述第一驱动电力的所述电压低的第二驱动电力的电压可以被供应到所述第二电力线。具有所述发光元件不发射光所在的电压值的初始化电力的电压可以被供应到所述第三电力线。
10、在实施例中，通过从通过将所述第五晶体管的绝对阈值电压与所述初始化电力的所述电压相加而得到的电压减去所述第二驱动电力的所述电压而获得的电压值可以被设置为比所述发光元件的阈值电压低的电压。
11、在实施例中，所述初始化电力可以被设置为接地电力(gnd)。
12、在实施例中，所述像素的操作的单个水平周期可以包括第一时段和第二时段。在所述第一驱动电力的所述电压与所述第二驱动电力的所述电压之间的参考电力的电压可以在所述第一时段期间被供应到所述数据线，并且数据信号的电压可以在所述第二时段期间被供应到所述数据线。在所述第一时段期间，所述第二晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管可以被设置为导通状态，并且所述第三晶体管和所述第五晶体管可以被设置为截止状态。在所述第二时段期间，所述第二晶体管和所述第六晶体管可以被设置为所述导通状态，并且所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管可以被设置为所述截止状态。
13、在实施例中，在所述第一时段之前的第零时段期间，所述第三晶体管和所述第六晶体管可以被设置为所述导通状态，并且所述第二晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管可以被设置为所述截止状态。在所述第零时段期间，所述参考电力的所述电压可以被供应到所述数据线。
14、在实施例中，在所述第二时段之后的第三时段期间，所述第一晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管可以被设置为所述导通状态，并且所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管可以被设置为所述截止状态。在所述第三时段之后的第四时段期间，所述第一晶体管和所述第五晶体管可以被设置为所述导通状态，并且所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管可以被设置为所述截止状态。
15、本公开的实施例可以提供一种像素，所述像素包括：发光元件，包括电连接到第二电力线的第二电极；第一晶体管，包括第二电极、电连接到第一电力线的第一电极以及连接到第一节点的栅极电极；第二晶体管，包括第二电极、电连接到数据线的第一电极以及电连接到第一扫描线的栅极电极；第三晶体管，包括连接到所述第一节点的第一电极、电连接到参考电力的电压所供应到的第四电力线的第二电极以及电连接到所述第二扫描线的栅极电极；第四晶体管，连接在所述第一节点和与所述第一晶体管的所述第二电极连接的第二节点之间，并且所述第四晶体管包括电连接到第三扫描线的栅极电极；第五晶体管，连接在所述第二节点与所述发光元件的第一电极之间，并且所述第五晶体管包括电连接到发射控制线的栅极电极；第六晶体管，包括电连接到所述发光元件的所述第一电极的第一电极、电连接到第三电力线的第二电极以及电连接到第四扫描线的栅极电极；第一电容器，连接在所述第二晶体管的所述第二电极与所述第一节点之间；以及第二电容器，连接在所述第一电力线与所述第一节点之间。
16、本公开的实施例可以提供一种显示装置，所述显示装置包括：多个像素，连接到多条第一扫描线、多条第二扫描线、多条第三扫描线、多条第四扫描线、多条数据线和多条发射控制线。在所述多个像素之中，定位在第i像素行(i是大于0的整数)和第j像素列(j是大于0的整数)中的像素可以包括：第一晶体管，包括第二电极、电连接到第一电力线的第一电极以及连接到第一节点的栅极电极；第二晶体管，包括第二电极和电连接到所述多条数据线之中的第j数据线的第一电极，并且所述第二晶体管被配置为在第一扫描信号被供应到所述多条第一扫描线之中的第i第一扫描线时导通；第三晶体管，连接在所述第一节点与所述第j数据线之间，并且所述第三晶体管被配置为在第二扫描信号被供应到所述多条第二扫描线之中的第i第二扫描线时导通；第一电容器，连接在所述第二晶体管的所述第二电极与所述第一节点之间；第二电容器，连接在所述第一电力线与所述第一节点之间；以及发光元件，连接在第二电力线与所述第一晶体管之间，并且所述发光元件包括电连接到所述第二电力线的第二电极。
17、在实施例中，所述第一晶体管可以被设置为包括体电极的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，并且所述体电极可以电连接到所述第一电力线。
18、在实施例中，定位在所述第i像素行和所述第j像素列中的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种像素，其中，所述像素包括：
2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管是包括体电极的金属氧化物半导体场效应晶体管，并且
3.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：
4.根据权利要求3所述的像素，其中，所述第二扫描线被设置为定位在前一水平线上的第三扫描线。
5.根据权利要求3所述的像素，
6.根据权利要求5所述的像素，其中，所述初始化电力被设置为接地电力。
7.根据权利要求5所述的像素，
8.根据权利要求7所述的像素，
9.根据权利要求7所述的像素，
10.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：多个像素，连接到多条第一扫描线、多条第二扫描线、多条第三扫描线、多条第四扫描线、多条数据线和多条发射控制线，
【技术特征摘要】
1.一种像素，其中，所述像素包括：
2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第一晶体管是包括体电极的金属氧化物半导体场效应晶体管，并且
3.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：
4.根据权利要求3所述的像素，其中，所述第二扫描线被设置为定位在前一水平线上的第三扫描线。
5.根据权利要求3所述的像素，
<...【专利技术属性】
技术研发人员：许尚贤，高俊哲，权五照，金东秀，马亨根，李定勋，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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