System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 硅光模块单路控制方法、装置、光通信设备以及存储介质制造方法及图纸_技高网

硅光模块单路控制方法、装置、光通信设备以及存储介质制造方法及图纸

技术编号:43850373 阅读:5 留言:0更新日期:2024-12-31 18:42
本申请涉及光通信技术领域,尤其涉及一种硅光模块单路控制方法、装置、光通信设备以及存储介质,该方法应用于光通信设备中的控制模块,光通信设备还包括加热模块以及硅光模块,控制模块分别与加热模块以及硅光模块电连接,加热模块设置于硅光模块的单路光学元件区域。该方法包括:响应于硅光模块的单路禁用指令,依据单路光学元件区域的当前环境温度以及预设的拟合模型确定与最小出光功率对应的加热调整电压;在将加热模块的加热工作电压调整为加热调整电压后,依据最小出光功率使能硅光模块的单路发送输出处于禁用状态。本申请旨在不影响另一路Tx输出的情况下,如何准确地禁用硅光模块单路Tx输出。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光通信,尤其涉及一种硅光模块单路控制方法、装置、光通信设备以及存储介质


技术介绍

1、随着光通信技术的迅猛发展,对高速、大容量的光通信设备需求不断增长。800gdr8硅光模块在光通信网络中扮演着重要的角色。

2、目前的800g dr8硅光模块在设计上通常采用一个激光器做两路tx(transmit,发送)输出的方式。然而,这种硅光模块设计使得无法通过关闭laser bias(激光偏置)来实现单路tx输出disable(禁用);也就是说,现有的800g dr8硅光模块无法在不影响另一路tx输出的情况下,准确地禁用单路tx输出。

3、因此,在不影响另一路tx输出的情况下,如何准确地禁用硅光模块单路tx输出是目前亟待解决的技术问题。


技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种硅光模块单路控制方法、装置、光通信设备以及存储介质,旨在不影响另一路tx输出的情况下,准确地禁用硅光模块单路tx输出。

2、为实现上述目的,本申请提供一种硅光模块单路控制方法,所述硅光模块单路控制方法应用于光通信设备中的控制模块,所述光通信设备还包括加热模块以及硅光模块,所述控制模块分别与所述加热模块以及所述硅光模块电连接,所述加热模块设置于所述硅光模块的单路光学元件区域,所述硅光模块单路控制方法包括:

3、响应于所述硅光模块的单路禁用指令,依据所述单路光学元件区域的当前环境温度以及预设的拟合模型确定与最小出光功率对应的加热调整电压;

4、在将所述加热模块的加热工作电压调整为所述加热调整电压后,依据所述最小出光功率使能所述硅光模块的单路发送输出处于禁用状态。

5、在一实施方式中,所述硅光模块单路控制方法还包括:构建预设的拟合模型;

6、所述构建预设的拟合模型的步骤包括:

7、确定所述加热模块在预设的测试温度下的多个加热器电压值,以及所述单路光学元件区域在每一所述加热器电压值驱动下的输出出光功率;

8、以每一所述加热器电压值为横坐标,以每一所述加热器电压值对应的出光功率为纵坐标,绘制所述测试温度对应的功率电压曲线图;

9、依据所述功率电压曲线图构建预设的拟合模型。

10、在一实施方式中,所述测试温度包括低温温度、常温温度以及高温温度,所述功率电压曲线图包括所述低温温度对应的低温功率电压曲线、所述常温温度对应的常温功率电压曲线以及所述高温温度对应的高温功率电压曲线;

11、所述依据所述功率电压曲线图构建预设的拟合模型的步骤包括:

12、依据所述低温温度对应的低温功率电压曲线构建低温关系模型,依据所述常温温度对应的常温功率电压曲线构建常温关系模型,依据所述高温温度对应的高温功率电压曲线构建高温关系模型;

13、将所述低温关系模型、所述常温关系模型以及所述高温关系模型作为预设的拟合模型。

14、在一实施方式中,预设的拟合模型包括低温关系模型、常温关系模型以及高温关系模型,所述依据所述单路光学元件区域的当前环境温度以及预设的拟合模型确定与最小出光功率对应的加热调整电压的步骤包括:

15、确定所述单路光学元件区域的当前环境温度,并检测所述当前环境温度是否处于预设的常温阈值区间;

16、若所述当前环境温度处于所述常温阈值区间,则依据所述常温关系模型确定所述加热模块在当前环境温度下输出的与最小出光功率对应的加热调整电压。

17、在一实施方式中,所述依据所述常温关系模型确定所述加热模块在当前环境温度下输出的与最小出光功率对应的加热调整电压的步骤包括:

18、确定所述常温关系模型对应的电压搜索区间,并确定所述电压搜索区间的上限电压以及下限电压;

19、依据所述上限电压与所述下限电压之间的平均值确定所述电压搜索区间的区间中点电压,并从所述常温关系模型中查找到与所述区间中点电压匹配的中点出光功率、与所述上限电压匹配的上限出光功率,以及与所述下限电压匹配的下限出光功率;

20、若所述中点出光功率均小于所述上限出光功率以及所述下限出光功率,则将所述区间中点电压作为下一个上限电压;或者,

21、若所述中点出光功率均大于所述上限出光功率以及所述下限出光功率,则将所述区间中点电压作为下一个下限电压;

22、返回执行所述依据所述上限电压与所述下限电压之间的平均值确定所述电压搜索区间的区间中点电压的步骤,直至所述上限电压与所述下限电压之间的差值与预设的等效阈值匹配时,将所述区间中点电压作为加热调整电压。

23、在一实施方式中,在所述检测所述当前环境温度是否处于预设的常温阈值区间的步骤之后,所述硅光模块单路控制方法还包括:

24、在确定所述当前环境温度未处于所述常温阈值区间后,确定所述当前环境温度大于所述常温阈值区间对应的上限常温阈值,则依据所述高温关系模型确定所述加热模块在当前环境温度下输出的与最小出光功率对应的加热调整电压;或者,

25、确定所述当前环境温度小于所述常温阈值区间对应的下限常温阈值,则依据所述低温关系模型确定所述加热模块在当前环境温度下输出的与最小出光功率对应的加热调整电压。

26、在一实施方式中,所述依据所述高温关系模型确定所述加热模块在当前环境温度下输出的与最小出光功率对应的加热调整电压的步骤包括:

27、确定所述当前环境温度到所述常温温度阈值之间的温度差值,并确定所述温度差值对应的基准高温温度;

28、将所述基准高温温度叠加到所述当前环境温度上,得到温度调整值,并依据所述高温关系模型和所述温度调整值确定所述加热模块输出的与最小出光功率对应的加热调整电压,所述高温关系模型对应的模型算法为:

29、其中,为所述最小出光功率,为所述温度调整值,为与所述最小出光功率对应的加热调整电压,a为所述温度调整值的二次项系数,b为所述加热调整电压的二次项系数,c为所述温度调整值与所述加热调整电压之间的交互项系数,为所述温度调整值的一次项系数,为所述加热调整电压的一次项系数,f为预设的常数项系数。

30、此外,为实现上述目的,本申请还提供一种硅光模块单路控制装置,所述硅光模块单路控制装置包括:

31、响应模块,用于响应于硅光模块的单路禁用指令,依据单路光学元件区域的当前环境温度以及预设的拟合模型确定与最小出光功率对应的加热调整电压;

32、禁用模块,用于在将加热模块的加热工作电压调整为所述加热调整电压后,依据所述最小出光功率使能所述硅光模块的单路发送输出处于禁用状态。

33、本申请硅光模块单路控制装置的各个功能模块在运行时实现如上所述的本申请硅光模块单路控制方法的步骤。

34、此外,为实现上述目的,本申请还提供一种光通信设备,所述光通信设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的硅光模块单路控制程序,所述硅光模块单路控制程序被所述处本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅光模块单路控制方法,其特征在于,所述硅光模块单路控制方法应用于光通信设备中的控制模块,所述光通信设备还包括加热模块以及硅光模块,所述控制模块分别与所述加热模块以及所述硅光模块电连接,所述加热模块设置于所述硅光模块的单路光学元件区域,所述硅光模块单路控制方法包括:

2.如权利要求1所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,所述硅光模块单路控制方法还包括:构建预设的拟合模型;

3.如权利要求2所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,所述测试温度包括低温温度、常温温度以及高温温度,所述功率电压曲线图包括所述低温温度对应的低温功率电压曲线、所述常温温度对应的常温功率电压曲线以及所述高温温度对应的高温功率电压曲线;

4.如权利要求1所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,预设的拟合模型包括低温关系模型、常温关系模型以及高温关系模型,所述依据所述单路光学元件区域的当前环境温度以及预设的拟合模型确定与最小出光功率对应的加热调整电压的步骤包括:

5.如权利要求4所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,所述依据所述常温关系模型确定所述加热模块在当前环境温度下输出的与最小出光功率对应的加热调整电压的步骤包括:

6.如权利要求4所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,在所述检测所述当前环境温度是否处于预设的常温阈值区间的步骤之后,所述硅光模块单路控制方法还包括:

7.如权利要求4所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,所述依据所述高温关系模型确定所述加热模块在当前环境温度下输出的与最小出光功率对应的加热调整电压的步骤包括:

8.一种硅光模块单路控制装置,其特征在于,所述硅光模块单路控制装置包括:

9.一种光通信设备,其特征在于,所述光通信设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的硅光模块单路控制程序,所述处理器执行所述硅光模块单路控制程序时实现如权利要求1至7中任一项所述硅光模块单路控制方法的步骤。

10.一种存储介质,所述存储介质为计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有硅光模块单路控制程序,所述硅光模块单路控制程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述硅光模块单路控制方法的步骤。

...

【技术特征摘要】

1.一种硅光模块单路控制方法,其特征在于,所述硅光模块单路控制方法应用于光通信设备中的控制模块,所述光通信设备还包括加热模块以及硅光模块,所述控制模块分别与所述加热模块以及所述硅光模块电连接,所述加热模块设置于所述硅光模块的单路光学元件区域,所述硅光模块单路控制方法包括:

2.如权利要求1所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,所述硅光模块单路控制方法还包括:构建预设的拟合模型;

3.如权利要求2所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,所述测试温度包括低温温度、常温温度以及高温温度,所述功率电压曲线图包括所述低温温度对应的低温功率电压曲线、所述常温温度对应的常温功率电压曲线以及所述高温温度对应的高温功率电压曲线;

4.如权利要求1所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,预设的拟合模型包括低温关系模型、常温关系模型以及高温关系模型,所述依据所述单路光学元件区域的当前环境温度以及预设的拟合模型确定与最小出光功率对应的加热调整电压的步骤包括:

5.如权利要求4所述硅光模块单路控制方法,其特征在于,所述依据所述常温关系模型确定所...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈欣姚傲朱都
申请(专利权)人:四川泰瑞创通讯技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1