【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管和发光二极管的制作方法。
技术介绍
1、发光二极管是一种半导体发光器件，可以应用在显示、照明等显示领域中。
2、相关技术提供了一种发光二极管，该发光二极管包括：外延结构和电极等结构。
3、然而，上述结构的发光二极管在制作时需要进行图形化处理，而在图形化处理过程中容易损伤外延结构，进而会产生芯片电压升高的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法，可以避免损伤外延结构。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：
3、外延结构、保护层、第一电极结构和第二电极结构；
4、所述外延结构包括台阶结构，所述台阶结构包括台阶顶面和台阶底面；所述保护层包括第一保护层，所述第一保护层位于所述台阶结构的台阶底面，所述第一保护层与所述台阶底面电接触；所述第一电极结构与所述台阶结构的台阶顶面电接触，所述第二电极结构与所述第一保护层电接触。
5、可选地，所述保护层还包括第二保护层，所述第二保护层与第一保护层相互间隔布置，所述第二保护层位于所述台阶结构的台阶顶面，所述第一电极结构与所述第二保护层电接触。
6、可选地，所述发光二极管还包括：介质层、金属反射层、钝化层；
7、所述介质层位于所述台阶结构的台阶顶面和台阶底面，所述介质层具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述台阶结构的台阶顶面，所述第二通
8、可选地，所述第一保护层为圆形，所述第一保护层的半径为10～15μm。
9、可选地，所述第二保护层和所述第一保护层的间距为15～20μm。
10、可选地，所述介质层包括依次层叠的第一介质子层和第二介质子层，所述第一介质子层为硅的氧化物层，所述第二介质子层为dbr层；
11、所述第二通孔依次穿过所述第一介质子层和所述第二介质子层，且所述第二通孔在所述第一介质子层的直径小于所述第二通孔在所述第二介质子层的直径，所述第一保护层位于所述第一介质子层中的第二通孔内。
12、可选地，所述保护层包括cr/al/ti/al/ti/al/ti/pt/ti叠层。
13、可选地，所述cr/al/ti/al/ti/al/ti/pt/ti叠层中各层的厚度依次为：
14、
15、可选地，所述钝化层包括层叠的第一钝化子层和第二钝化子层，所述第一钝化子层为dbr层，所述第二钝化子层为硅的氧化物层。
16、另一方面，提供了一种发光二极管的制作方法，所述方法包括：
17、制作外延结构；
18、对所述外延结构进行图形化处理，形成台阶结构，所述台阶结构包括台阶顶面和台阶底面；
19、制作保护层，所述保护层包括第一保护层，所述第一保护层位于所述台阶结构的台阶底面，所述第一保护层与所述台阶底面电接触；
20、制作第一电极结构和第二电极结构，所述第一电极结构与所述台阶结构的台阶顶面电接触，所述第二电极结构与所述第一保护层电接触。
21、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
22、本公开实施例提供的发光二极管包括在台阶底面设置的保护层，保护层一方面用于连接第二电极结构和台阶结构的台阶底面，起到电连接作用，另一方面，能够在发光二极管的制作过程中进行图形化处理时，保护外延结构的台阶底面，能够避免图形化工艺损伤台阶底面处外延结构，从而保证了发光二极管质量，避免电压升高。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层(107)还包括第二保护层(171)，所述第二保护层(171)与第一保护层(172)相互间隔布置，所述第二保护层(171)位于所述台阶结构(201)的台阶顶面，所述第一电极结构(109)与所述第二保护层(171)电接触。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：介质层(105)、金属反射层(106)、钝化层(108)；
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二保护层(171)和所述第一保护层(172)的间距为15～20μm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一保护层(172)为圆形，所述第一保护层(172)的半径为10～15μm。
6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述介质层(105)包括依次层叠的第一介质子层(1501)和第二介质子层(1502)，所述第一介质子层(1501)为硅的氧化物层，所述第二介质子层(150
7.根据权利要求1至6任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层(107)包括Cr/Al/Ti/Al/Ti/Al/Ti/Pt/Ti叠层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述Cr/Al/Ti/Al/Ti/Al/Ti/Pt/Ti叠层中各层的厚度依次为：
9.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述钝化层(108)包括层叠的第一钝化子层(181)和第二钝化子层(182)，所述第一钝化子层(181)为DBR层，所述第二钝化子层(182)为硅的氧化物层。
10.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层(107)还包括第二保护层(171)，所述第二保护层(171)与第一保护层(172)相互间隔布置，所述第二保护层(171)位于所述台阶结构(201)的台阶顶面，所述第一电极结构(109)与所述第二保护层(171)电接触。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：介质层(105)、金属反射层(106)、钝化层(108)；
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二保护层(171)和所述第一保护层(172)的间距为15～20μm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一保护层(172)为圆形，所述第一保护层(172)的半径为10～15μm。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：任茹蓁，刘小亮，崔伟豪，王薇，林振华，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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