【技术实现步骤摘要】
本专利技术的各种实施方式总体上涉及电子装置和制造电子装置的方法，并且更具体地，涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度基本上由单位存储器单元占据的面积来确定。随着其中存储器单元在基板上形成为单层的半导体装置的集成度的提高近来达到其极限，已经提出了其中存储器单元以三维布置层叠在基板上方的三维半导体装置。此外，为了提高这种3d半导体装置的操作特性和可靠性，正在开发各种结构、材料和制造方法。
技术实现思路
1、本专利技术总体上涉及一种改进的3d半导体装置(以下简称为半导体装置)以及制造该半导体装置的方法。
2、在本公开的一个实施方式中，半导体装置可以包括：栅极结构，该栅极结构包括交替层叠的绝缘层和导电层；真实沟道结构，该真实沟道结构延伸穿过所述栅极结构；狭缝结构，该狭缝结构沿着所述栅极结构的侧壁在第一方向上延伸；接触结构，该接触结构延伸穿过所述栅极结构并且电连接到所述导电层当中的至少一个导电层；以及一对第一支撑件，该一对第一支撑件沿着所述接触结构的侧壁以弧形形式延伸，并且包括在第一支撑件的侧壁上的凹部和凸部。
3、在一个实施方式中，一种用于制造半导体装置的方法可以包括以下步骤：通过交替地层叠第一材料层和第二材料层来形成叠层；形成延伸穿过所述叠层的第一开口，所述第一开口彼此间隔开且布置成弧形形式；通过连接所述第一开口而形成以弧形形式延伸的第二开口；在所述第二开口内形成一对第一支撑件，所述一对第一支撑件以弧形形式延伸并且在所述一对第一支
4、通过以下结合附图的详细描述，本专利技术的这些和其他特征和优点对于本专利技术的领域的技术人员而言将变得显而易见。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述成对的第一支撑件具有对称的形式。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括延伸穿过所述栅极结构的第二支撑件，每个第二支撑件具有柱形形式，其中，所述第二支撑件沿所述第一方向和与所述第一方向相交的第二方向布置。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述分离结构中的每一个包括在侧壁上的凹部和凸部。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构包括在侧壁上的凹部和凸部。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构具有从所述单元区域延伸到所述接触区域的线形形式。
9.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述成对的第一支撑件具有与所述分离结构的高度基本相同的高度。
10.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述成对的第一支撑件包括具有与所述分离结构的
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件包括氧化物。
12.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一开口的步骤包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一组和所述第二组具有对称的形式。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述第一组时，形成所述第二组。
16.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在形成所述第一开口时，形成所述第三开口。
18.根据权利要求16所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述叠层上形成覆盖所述第三开口并且暴露所述第一开口的掩模图案，
19.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
20.根据权利要求19所述的方法，其中，暴露所述第一开口的所述掩模图案包括暴露设置在所述平面边缘区域中的第四开口的掩膜图案。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，通过使用所述掩模图案选择性地扩大所述第一开口和所述第四开口。
22.根据权利要求19所述的方法，其中，在形成所述第一支撑件时，形成所述分离结构。
23.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
24.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括以下步骤：形成延伸穿过所述叠层的真实沟道结构，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述成对的第一支撑件具有对称的形式。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括延伸穿过所述栅极结构的第二支撑件，每个第二支撑件具有柱形形式，其中，所述第二支撑件沿所述第一方向和与所述第一方向相交的第二方向布置。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述分离结构中的每一个包括在侧壁上的凹部和凸部。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构包括在侧壁上的凹部和凸部。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构具有从所述单元区域延伸到所述接触区域的线形形式。
9.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述成对的第一支撑件具有与所述分离结构的高度基本相同的高度。
10.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述成对的第一支撑件包括具有与所述分离结构的材料相同或基本相同的材料的第一支撑件。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述第一支撑件包括氧化物。
12.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩允哲，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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