【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种有机化合物及其制备方法、复合材料、光电器件及显示装置。
技术介绍
1、p型半导体材料也称空穴型半导体材料，是指能传输或注入空穴的半导体材料。然而，这类p型半导体材料的空穴迁移率相对较小，空穴传输性能较差，从而限制了其应用。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种有机化合物及其制备方法、复合材料、光电器件及显示装置。
2、本申请实施例是这样实现的：
3、第一方面，本申请提供一种有机化合物，所述有机化合物具有式(1)所示结构：
4、
5、其中，d1、d2各自独立的选自被第一取代基取代或未取代的环碳原子数为5～60的芳基，所述第一取代基包括c1～c20烷基、c1～c20烷氧基、卤素基团、氰基中的一种或多种的组合；
6、r1、r2各自独立的选自
7、r3选自被第二取代基取代或未取代的c1～c30烷基、被第三取代基取代或未取代的环碳原子数为6～30芳基中的任意一种，所述第二取代基和所述第三取代基各自独立的选自c1～c20烷氧基、卤素基团、氰基中的一种或多种的组合；
8、r4至r7各自独立的选自c1～c20烷基。
9、第二方面，本申请还提出一种有机化合物的制备方法，包括以下步骤：
10、将化合物a与卤化剂混合，进行卤化反应，得到化合物b；
11、将所述化合物b与化合物c混合，进行金属偶联反应，得到化合物d；
12、将所述化合物d与化
13、将所述化合物f与化合物g混合，进行酯化反应，得到有机化合物；
14、其中，所述有机化合物具有式(1)所示结构：
15、
16、其中，x选自cl、br或i；
17、d选自d1或d2，r选自r1或r2；
18、d1、d2各自独立的选自被第一取代基取代或未取代的环碳原子数为5～60的芳基，所述第一取代基包括c1～c20烷基、c1～c20烷氧基、卤素基团、氰基中的一种或多种的组合；
19、r1、r2各自独立的选自
20、r3选自被第二取代基取代或未取代的c1～c30烷基、被第三取代基取代或未取代的环碳原子数为6～30芳基中的任意一种，所述第二取代基和所述第三取代基各自独立的选自c1～c20烷氧基、卤素基团、氰基中的一种或多种的组合；
21、r4至r7各自独立的选自c1～c20烷基。
22、第三方面，本申请还提出一种复合材料，包括p型半导体材料以及添加剂，所述添加剂包括上文所述的有机化合物、或者，包括由上文所述的制备方法制得的有机化合物。
23、第四方面，本申请还提出一种光电器件，包括阳极、空穴功能层以及阴极，所述空穴功能层的材料包括上文所述的复合材料。
24、第五方面，本申请还提出一种显示装置，所述显示装置包括如上文所述的光电器件。
25、本申请提供的化合物以具有大共轭平面的七并环结构为核心，并在其四边延伸烷氧基、r1、r2、d1、d2等修饰基团，从而具有较佳的空穴迁移率，可以形成良好的空穴传输通道，有助于空穴传输；此外，该化合物可以具有可调控的能级，进而可以满足不同的能级需求。将该化合物掺杂在具有空穴传输、注入性能的p型半导体材料中时，有助于增加其空穴传输通道，进而提升复合材料的空穴传输速率。
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1.一种有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有式(1)所示结构：
2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，D1、D2各自独立的选自被第一取代基取代或未取代的环碳原子数为6～14的芳基；和/或，
3.根据权利要求2所述的有机化合物，其特征在于，D1、D2各自独立的选自式1-1至式1-32结构中的一种：
4.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，R3选自被第二取代基取代或未取代的C1～C30烷基；和/或，
5.根据权利要求4所述的有机化合物，其特征在于，R1、R2各自独立的选自式2-1至式2-4结构中的一种：
6.根据权利要求1至5任一项所述的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的HOMO能级为-5.3ev～-5.7ev；和/或，
7.一种有机化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述化合物a与所述卤化剂的摩尔比为1：(2.5～3.5)；和/或，
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述路易斯酸催化剂包括氯
10.一种复合材料，其特征在于，包括P型半导体材料以及添加剂，所述添加剂包括权利要求1至6任一项所述的有机化合物、或者，包括由权利要求7至9任一项所述的制备方法制得的有机化合物。
11.根据权利要求10所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料中，所述添加剂的质量百分含量为5％～30％；和/或，
12.根据权利要求11所述的复合材料，其特征在于，所述P型半导体材料包括PVK、CBP、TCTA、TFB、TPD、NPB、CBP-V中的至少一种。
13.一种光电器件，其特征在于，包括阳极、空穴功能层以及阴极，所述空穴功能层的材料包括权利要求10至12任一项所述的复合材料。
14.根据权利要求13所述的光电器件，其特征在于，所述阳极和所述阴极各自独立的选自掺杂金属氧化物颗粒电极、金属与金属氧化物的复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属电极或合金电极，所述掺杂金属氧化物颗粒电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的一种或多种，所述金属与金属氧化物的复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS，所述金属电极的材料选自Ag、Al、Cu、Mo、Au、Pt、Si、Ca、Mg及Ba中的一种或多种；和/或，
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13或14所述的光电器件。
...【技术特征摘要】
1.一种有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有式(1)所示结构：
2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，d1、d2各自独立的选自被第一取代基取代或未取代的环碳原子数为6～14的芳基；和/或，
3.根据权利要求2所述的有机化合物，其特征在于，d1、d2各自独立的选自式1-1至式1-32结构中的一种：
4.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，r3选自被第二取代基取代或未取代的c1～c30烷基；和/或，
5.根据权利要求4所述的有机化合物，其特征在于，r1、r2各自独立的选自式2-1至式2-4结构中的一种：
6.根据权利要求1至5任一项所述的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的homo能级为-5.3ev～-5.7ev；和/或，
7.一种有机化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述化合物a与所述卤化剂的摩尔比为1：(2.5～3.5)；和/或，
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述路易斯酸催化剂包括氯化铁、氯化铝中的一种或多种；和/或，
10.一种复合材料，其特征在于，包括p型半导体材料以及添加剂，所述添加剂包括权利要求1至6任一项所述的有机化合物、或者，包括由权利要求7至9任一项所述的制备方法制得的有机化合物。
...【专利技术属性】
技术研发人员：夏博宇，王士攀，庄锦勇，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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