【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅片加工，尤其是涉及一种硅片表面磨削工艺。
技术介绍
1、硅片在加工过程中，为了保证硅片的抛光效果，通常需要在抛光前，采用研磨机对硅片进行研磨处理。研磨机包括上磨盘和下磨盘，上磨盘与下磨盘同轴设置，通过中心齿圈和外齿圈共同驱动位于上磨盘和下磨盘之间的游星片公转和自转，对放置于游星片内的硅片的正反面进行研磨。上磨盘上连接有气缸，用于带动上磨盘靠近下磨盘，对硅片进行挤压。在现有技术中，上磨盘与下磨盘接触挤压时，由于瞬间的冲击压力，很容易导致硅片裂损，且随着研磨压力的增大，研磨液会对硅片表面造成损伤，影响硅片表面的磨削参数。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种硅片表面磨削工艺，有效解决了硅片研磨裂损，研磨液对硅片表面造成损伤的技术问题，克服了现有技术中的不足。
2、本专利技术采用的技术方案是：一种硅片表面磨削工艺，包括以下步骤：
3、缓降预磨，上磨盘以逐渐减小的下将速度下降至与下磨盘接触，对硅片上的不平点进行研磨；
4、正式研磨，对整个硅片进行缓压研磨。
5、进一步，所述缓降预磨包括，
6、第一缓降阶段，所述上磨盘以第一下将速度下降至第一高度；
7、第二缓降阶段，所述上磨盘以第二下降速度下降至第二高度；
8、第三缓降阶段，所述上磨盘以第三下将速度下降至与所述下磨盘接触；
9、预磨阶段，对所述硅片上的不平点进行缓压研磨。
10、进一步，所述第一下降
11、进一步，所述第二下降速度为0.5～1mm/s，所述第二高度为所述上磨盘距所述下磨盘1～5mm。
12、进一步，所述第三下降速度小于0.5mm/s。
13、进一步，所述缓降预磨的时长小于等于180s。
14、进一步，所述正式研磨包括初磨、粗磨和精磨，研磨压力和研磨液的流量逐渐增大。
15、进一步，所述初磨中，研磨压力逐渐增大至400～600kg，研磨转速逐渐增大至34～36rpm，研磨液的流量逐渐增大至0.6～0.8l/min。
16、进一步，所述粗磨中，研磨压力增大至1500～1700kg保持不变，研磨转速保持34～36rpm不变，研磨液的流量保持0.6～0.8l/min不变。
17、进一步，所述精磨中，研磨压力保持1500～1700kg不变，研磨转速保持34～36rpm不变，研磨液的流量增大至1.1～1.3l/min保持不变。
18、本专利技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，减少了对硅片的瞬间冲击压力，减少了因集中应力造成的碎片，降低了硅片的裂损率，改善了硅片的表面参数ttv,提高了硅片的磨削效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硅片表面磨削工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述缓降预磨包括，
3.根据权利要求2所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述第一下降速度为8～15mm/s，所述第一高度为所述上磨盘距所述下磨盘25～50mm。
4.根据权利要求3所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述第二下降速度为0.5～1mm/s，所述第二高度为所述上磨盘距所述下磨盘1～5mm。
5.根据权利要求4所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述第三下降速度小于0.5mm/s。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述缓降预磨的时长小于等于180s。
7.根据权利要求1-5任一所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述正式研磨包括初磨、粗磨和精磨，研磨压力和研磨液的流量逐渐增大。
8.根据权利要求7所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述初磨中，研磨压力逐渐增大至400～600Kg，研磨转速逐渐增大至34～36rpm，研磨液
9.根据权利要求8所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述粗磨中，研磨压力增大至1500～1700Kg保持不变，研磨转速保持34～36rpm不变，研磨液的流量保持0.6～0.8L/min不变。
10.根据权利要求9所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述精磨中，研磨压力保持1500～1700Kg不变，研磨转速保持34～36rpm不变，研磨液的流量增大至1.1～1.3L/min保持不变。
...【技术特征摘要】
1.一种硅片表面磨削工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述缓降预磨包括，
3.根据权利要求2所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述第一下降速度为8～15mm/s，所述第一高度为所述上磨盘距所述下磨盘25～50mm。
4.根据权利要求3所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述第二下降速度为0.5～1mm/s，所述第二高度为所述上磨盘距所述下磨盘1～5mm。
5.根据权利要求4所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述第三下降速度小于0.5mm/s。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种硅片表面磨削工艺，其特征在于：所述缓降预磨的时长小于等于180s。
7.根据权利要求1-5任一所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李海龙，刘建伟，王帅，谭永麟，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。