【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光通信，具体为一种掩埋异质结结构及其制备方法、激光器及其制备方法。
技术介绍
1、随着高速光通讯的发展，对通信的激光源提出了更高的要求。相较于fp(fabry-perot)激光器，dfb(distributed feedback)激光器具有良好的模式选择能力，可以实现更窄的线宽。
2、目前dfb激光器主要有两种结构，rwg(ridge waveguide)脊波导结构和bh(buriedheterojunction)掩埋异质结结构。与传统的rwg结构相比，bh结构一方面能够通过掩埋低折射率的材料对有源层进行光限制，另一方面掩埋生长的pn反向电流阻挡层对有源层进行载流子的限制，从而对远场发散角有一定的优势。随着芯片和外延工艺的发展和优化，人们更倾向于对电场和光限制作用更好的bh结构激光器。目前bh结构激光器有2个急需解决的问题：一是如何提高激光器效率，增加有源区载流子注入密度，传统的方法可以通过减小有源层宽度来实现，但是减小有源层宽度会改变光场分布，出现模式不稳定，光束不对称等缺点；二是如何减少漏电，见图7，传统的电流限制层，电流会从两侧p-inp和有源层通过，产生漏电的情况。因此，在不改变有源层宽度的条件下，增加有源区载流子注入密度，减少漏电是本专利技术需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种掩埋异质结结构及其制备方法、激光器及其制备方法，至少可以解决现有技术中的部分缺陷。
2、为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下
3、s1，在衬底上生长外延结构，并在所述外延结构上生长掩膜层；
4、s2，刻蚀所述外延结构至所述衬底；
5、s3，利用氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液处理所述掩膜层，使得所述掩膜层厚度变薄，并在所述inp间隔层与所述掩膜层的连接处产生掩膜层的屋檐结构；
6、s4，在处理的过程中，调节所述氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液的浓度，或者调节所述氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液的腐蚀时间，以控制所述屋檐结构的深度和高度；
7、s5，处理完毕后，继续生长p-inp层、n-inp层、inp盖层以及接触层，完成掩埋异质结结构的制作。
8、进一步，所述外延结构包括依次生长inp缓冲层、光栅层、光栅掩埋层、有源层、inp间隔层，或者外延结构还包括依次生长inp缓冲层、有源层、光栅层、光栅掩埋层、inp间隔层；在所述s2步骤中，先采用干法刻蚀无掩膜区域到所述inp缓冲层，再采用湿法腐蚀无掩膜区域到所述衬底。
9、进一步，所述掩膜层的厚度为20～1000nm。
10、进一步，所述掩膜层为sio2掩膜层或者sinx掩膜层。
11、进一步，在所述s5步骤中，生长的n-inp层的高度在所述inp间隔层以上。
12、进一步，在所述s5步骤中，依次生长完所述p-inp层和所述n-inp层后，采用氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液去掉所述掩膜层，接着再依次生长所述inp盖层以及接触层。
13、进一步，所述屋檐结构的深度w为10-500nm，高度h为10-1000nm。
14、本专利技术实施例提供另一种技术方案：一种掩埋异质结结构，采用上述的方法制得。
15、本专利技术实施例提供另一种技术方案：一种激光器的制备方法，采用上述的方法制备掩埋异质结结构，接着生长掩膜层，开电流注入窗口，进行电极的制作，随后减薄溅射合金，最后解条解个完成激光器的制作。
16、本专利技术实施例提供另一种技术方案：一种激光器，采用上述的方法制得。
17、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
18、1、通过调节所述氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液的浓度，或者调节所述氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液的腐蚀时间，以控制所述屋檐结构的深度和高度，从而调节载流子注入密度。
19、2、通过使n-inp层的高度在inp间隔层以上，或者说n-inp层的高度不低于inp间隔层，可以优化电流限制层的形貌，形成高耸有效的电流限制层，减少漏电，提高激光器的电流注入效率，制作工艺简单。
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1.一种掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述外延结构包括依次生长InP缓冲层、光栅层、光栅掩埋层、有源层、InP间隔层，或者外延结构还包括依次生长InP缓冲层、有源层、光栅层、光栅掩埋层、InP间隔层；在所述S2步骤中，先采用干法刻蚀无掩膜区域到所述InP缓冲层，再采用湿法腐蚀无掩膜区域到所述衬底。
3.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述掩膜层的厚度为20～1000nm。
4.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述掩膜层为SiO2掩膜层或者SiNx掩膜层。
5.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：在所述S5步骤中，生长的N-InP层的高度在所述InP间隔层以上。
6.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：在所述S5步骤中，依次生长完所述P-InP层和所述N-InP层后，采用氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液去掉所述掩膜层，接着再依次生长所述InP盖层以及接触层。<...
【技术特征摘要】
1.一种掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述外延结构包括依次生长inp缓冲层、光栅层、光栅掩埋层、有源层、inp间隔层，或者外延结构还包括依次生长inp缓冲层、有源层、光栅层、光栅掩埋层、inp间隔层；在所述s2步骤中，先采用干法刻蚀无掩膜区域到所述inp缓冲层，再采用湿法腐蚀无掩膜区域到所述衬底。
3.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述掩膜层的厚度为20～1000nm。
4.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述掩膜层为sio2掩膜层或者sinx掩膜层。
5.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：在所述s5步骤中，生长的n-inp层的高度在所述in...
【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿建，郭娟，
申请(专利权)人：武汉云岭光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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