【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，具体而言涉及一种尾气处理管路、半导体炉管设备。
技术介绍
1、炉管(furnace)是半导体工艺中广泛应用于氧化、扩散、薄膜生长、退火、合金等工艺的设备，分为卧式和立式两种。
2、相关技术中，炉管内未反应完全的teos(四乙氧基硅烷，又名硅酸四乙酯，化学式为c8h20o4si)从炉管设备的尾气管路排出。
3、但是，未反应完全的teos容易造成尾气管路堵塞。
4、鉴于上述技术问题的存在，本技术提供一种新的尾气处理管路、半导体炉管设备，以至少部分地解决上述问题。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、针对目前存在的问题，本技术提供了一种尾气处理管路，应用于半导体炉管设备，所述尾气处理管路包括：
3、管路本体，所述管路本体中具有气体通道，所述气体通道具有相对的进气端和出气端，所述进气端用于通入包含待处理物质的尾气；
4、进气口，设置于所述管路本体上且与所述气体通道连通，用于向所述气体通道内通入反应气体；
5、加热件，设置于所述管路本体上，用于对所述气体通道内的所述反应气体和所述尾气进行加热，以使所述反应气体和所述尾气中的待处理物质在处于反应温度时发生化学反应；
6、所述出
7、在本申请的一些实施例中，
8、所述待处理物质包括四乙氧基硅烷；
9、所述反应气体包括氧气。
10、在本申请的一些实施例中，所述加热件包括加热丝，所述加热丝构造为螺旋结构，且所述加热丝套设于所述管路本体。
11、在本申请的一些实施例中，所述尾气处理管路还包括温度检测元件，所述温度检测元件设置于所述管路本体上，用于检测所述气体通道内的温度。
12、在本申请的一些实施例中，所述反应温度为200℃～400℃。
13、在本申请的一些实施例中，所述尾气处理管路还包括与所述进气口连接的单向阀，所述单向阀用于限制所述反应气体的流动方向。
14、在本申请的一些实施例中，所述进气口靠近所述进气端设置。
15、在本申请的一些实施例中，所述管路本体为过压管路。
16、在本申请的一些实施例中，所述管路本体呈l型。
17、根据本申请又一方面，提供了一种半导体炉管设备，所述半导体炉管设备包括上述中任一项所述的尾气处理管路。
18、根据本申请实施例的尾气处理管路、半导体炉管设备，通过进气口向气体通道内通入反应气体，以及加热件对气体通道内的反应气体和包含待处理物质的尾气进行加热，在温度处于反应温度时反应气体能够与待处理物质发生化学反应，进而可以通过气体通道的出气端排出反应气体与待处理物质发生化学反应之后的气体，从而避免待处理物质堵塞尾气处理管路，降低管路堵塞的风险。
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1.一种尾气处理管路，其特征在于，应用于半导体炉管设备，所述尾气处理管路包括：
2.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，
3.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述加热件包括加热丝，所述加热丝构造为螺旋结构，且所述加热丝套设于所述管路本体。
4.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述尾气处理管路还包括温度检测元件，所述温度检测元件设置于所述管路本体上，用于检测所述气体通道内的温度。
5.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述反应温度为200℃～400℃。
6.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述尾气处理管路还包括与所述进气口连接的单向阀，所述单向阀用于限制所述反应气体的流动方向。
7.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述进气口靠近所述进气端设置。
8.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述管路本体为过压管路。
9.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述管路本体呈L型。
10.一种半导体炉管设备
...【技术特征摘要】
1.一种尾气处理管路，其特征在于，应用于半导体炉管设备，所述尾气处理管路包括：
2.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，
3.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述加热件包括加热丝，所述加热丝构造为螺旋结构，且所述加热丝套设于所述管路本体。
4.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述尾气处理管路还包括温度检测元件，所述温度检测元件设置于所述管路本体上，用于检测所述气体通道内的温度。
5.如权利要求1所述的尾气处理管路，其特征在于，所述反应温度为200℃～40...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡万和，满益亮，陈永成，黄家明，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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