【技术实现步骤摘要】
本新型实施例涉及半导体技术，特别涉及半导体装置。
技术介绍
1、半导体装置用于各种电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机及其它电子设备。半导体装置通常通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体材料层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路元件及部件来制造。
2、半导体工业通过不断缩小最小部件尺寸来持续提高各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积集密度，从而允许将更多元件整合到特定区中。然而，随着最小部件尺寸的缩小，出现了应处理的其它问题。
技术实现思路
1、本公开提供一种半导体装置，包括：位于半导体鳍片之上的源极/漏极区；位于半导体鳍片之上且邻近源极/漏极区的栅极结构，栅极结构包括栅极间隔层，栅极间隔层具有第一粗糙度；位于源极/漏极区之上的多个第介电层；第一接触插塞，电性耦合至源极/漏极区并延伸穿过第一介电层；以及第一氮化物衬件，介于第一接触插塞与第一介电层之间，第一氮化物衬件具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度。
2、在一个实施例中，还包括电性耦合到该源极/漏极区并延伸穿过该半导体鳍片的一第二接触插塞。
3、在一个实施例中，该第二接触插塞为单层结构。
4、在一个实施例中，该第二接触插塞为多层结构。
5、在一个实施例中，还包括介于该第二接触插塞与该半导体鳍片之间的一第二氮化物衬件，其中该第二氮化物衬件具有小于该第一粗糙度的一第三粗糙度。
6、在一个实施例中，该第二氮化物
7、在一个实施例中，该第二氮化物衬件沿着该半导体鳍片延伸并且沿着与该半导体鳍片相邻的一隔离区延伸。
8、在一个实施例中，该隔离区为一浅沟槽隔离区。
9、在一个实施例中，还包括介于该源极/漏极区与该第二接触插塞之间的一硅化物区。
10、在一个实施例中，还包括介于该源极/漏极区与该硅化物区之间的一外延盖。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括电性耦合到该源极/漏极区并延伸穿过该半导体鳍片的一第二接触插塞。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触插塞为单层结构。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触插塞为多层结构。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括介于该第二接触插塞与该半导体鳍片之间的一第二氮化物衬件，其中该第二氮化物衬件具有小于该第一粗糙度的一第三粗糙度。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第二氮化物衬件具有实质上平行的多个侧壁。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第二氮化物衬件沿着该半导体鳍片延伸并且沿着与该半导体鳍片相邻的一隔离区延伸。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该隔离区为一浅沟槽隔离区。
9.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，还包括介于该源极/漏极区与该第二接触插塞之间的一硅化物区。
10.如权利要
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括电性耦合到该源极/漏极区并延伸穿过该半导体鳍片的一第二接触插塞。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触插塞为单层结构。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第二接触插塞为多层结构。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括介于该第二接触插塞与该半导体鳍片之间的一第二氮化物衬件，其中该第二氮化物衬件具有小于该第一粗糙度的一第三粗糙度。
6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伊辰，时定康，林立德，蔡邦彥，洪宗佑，林斌彦，白佳灵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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