【技术实现步骤摘要】
本公开涉及用于处理多个衬底的立式炉及处理方法。更具体地，本专利技术涉及设置有热分布构件的立式炉。
技术介绍
1、随着半导体器件尺寸持续缩小，在半导体制造中通过批量处理来处理多个衬底变得越来越苛刻。这不仅有助于提高处理产量，而且有利于缩短处理循环时间。
2、在这方面，立式炉是可以执行诸如沉积、退火、氧化和扩散等过程的批量处理工具。
3、与立式炉中的批处理相关的一些挑战可能涉及在处理室内实现平衡的热分布。这可能进一步影响处理过程中处理室内的温度分布。这不仅会对反应动力学产生影响，还会对位于处理室内用于处理的衬底表面上的厚度不均匀性产生影响，这些衬底竖直布置在衬底载体中。由厚度不均匀性引起的问题可能进一步影响半导体制造过程中的后续过程，并可能最终影响器件性能。
4、因此，可能需要改进立式炉中的处理。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下本公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
2、本公开的目的是改进立式炉中的处理。更具体地，目的是在立式炉的处理室中提供改善的热分布。为了至少部分实现这些目的，本公开可以提供一种如独立权利要求中限定的处理多个衬底的立式炉及方法。从属权利要求中提供了进一步的实施例。
3、在第一方面，本专利技术涉及一种立式炉。立式炉可适用于处理多个衬底。立式炉可以包
4、由于热分布元件的存在，根据本公开第一方面的实施例的立式炉可以有利地允许改善反应管中的热分布。
5、另一个优点是，可以改善内反应管内的热分布，在内反应管中接收多个衬底以进行处理，特别是对于那些位于衬底载体上部的衬底，例如那些更靠近衬底载体顶板的衬底。
6、根据本公开的第一方面的实施例，进一步的优点是可以减少衬底的晶片内不均匀性，特别是那些位于衬底载体上部的晶片。
7、由于晶片内不均匀性的改善，可以提高在立式炉中处理之后的后续处理的处理产量，这也是一个优点。
8、根据本公开的第一方面的实施例，进一步的优点是可以提高处理合格性。
9、在第二方面，本专利技术涉及一种立式炉。立式炉可适用于处理多个衬底。立式炉可以包括衬底载体。衬底载体可被构造和布置成保持多个衬底。立式炉还可以包括沿纵向方向延伸的内反应管。内反应管可被构造和布置成接收衬底载体。衬底载体可以设置有顶板。立式炉可以还包括外反应管。外反应管可以沿纵向方向围绕内反应管构造和布置。衬底载体可以包括热分布构件。热分布构件可以设置在顶板上。
10、根据本公开的第二方面的实施例的立式炉可以提供改进的处理性能，这是由于包含在衬底载体中的热分布元件的存在而改善了热分布。
11、另一个优点是，可以改善内反应管内的热分布，在内反应管中接收多个衬底以进行处理，特别是对于那些位于衬底载体上部的衬底，例如那些更靠近衬底载体顶板的衬底。
12、根据本公开的第一方面的实施例，进一步的优点是可以减少衬底的晶片内不均匀性，特别是那些位于衬底载体上部的晶片。
13、由于晶片内不均匀性的改善，可以提高在立式炉中处理之后的后续处理的处理产量，这也是一个优点。
14、根据本公开的第一方面的实施例，进一步的优点是可以提高处理合格性。
15、在第三方面，本公开涉及一种处理多个衬底的方法。该方法可以包括根据本公开第一方面或第二方面的实施例在立式炉的内反应管中提供多个衬底。多个衬底可以布置在衬底载体中。该方法还可以包括向内反应管提供反应气体混合物，从而在多个衬底的每个衬底上形成衬底膜，并在内反应管的一个或多个表面上形成内反应管膜。
16、根据本公开的第三方面的实施例的方法可以允许处理多个衬底，由此改善处理室内的热分布；即内反应管。
17、本公开的第三方面的实施例的另一个优点是能够处理晶片内不均匀性降低的多个衬底。
18、由于处理期间处理室中的热分布改善，因此可以改善处理合格性也是一个优点。
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1.一种用于处理多个衬底的立式炉，包括：
2.根据权利要求1所述的立式炉，其中，所述内反应管由封闭顶端界定，并且其中，所述热分布构件设置在封闭顶端。
3.根据权利要求2所述的立式炉，其中，所述热分布构件设置在所述封闭顶端的表面部分。
4.根据权利要求3所述的立式炉，其中，所述封闭顶端的表面部分是封闭顶端的上表面，该上表面面向所述外反应管的内表面。
5.根据权利要求4所述的立式炉，其中，所述热分布构件被构造和布置成可容纳在所述封闭顶端的上表面上。
6.根据权利要求3所述的立式炉，其中，所述顶端的表面部分是封闭顶端的下表面，该下表面背离所述外反应管的内表面。
7.一种用于处理多个衬底的立式炉，包括：
8.根据权利要求7所述的立式炉，其中，所述热分布构件可释放地附接到所述顶板。
9.根据权利要求7或8所述的立式炉，其中，所述衬底载体包括至少两个杆，其中每个杆包括多个槽，并且其中衬底载体包括设置在最顶部槽的另一热分布构件。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的立式炉，其中，所述内
11.根据权利要求10所述的立式炉，其中，所述内反应管由所述封闭顶端界定，并且其中，所述热分布构件进一步包含在封闭顶端中，设置在封闭顶端的表面部分。
12.根据权利要求11所述的立式炉，其中，所述封闭顶端的表面部分是封闭顶端的上表面，该上表面面向所述外反应管的内表面，或者顶端的表面部分是封闭顶端的下表面，该下表面背离外反应管的内表面。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的立式炉，其中，所述热分布元件由导热材料构成。
14.根据权利要求13所述的立式炉，其中，所述导热材料基本包括硅和碳化硅中的至少一种。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的立式炉，其中，所述外反应管由圆顶形顶端界定，其中圆顶形顶端包括涂层。
16.根据权利要求15所述的立式炉，其中，所述涂层是反射涂层，从而减少处理过程中所述圆顶形顶端的热损失。
17.根据权利要求15或16所述的立式炉，其中，所述涂层包含在所述圆顶形顶端的面向所述顶板的内表面上，或者包含在圆顶形顶端的外表面上，所述外表面与所述内表面相对。
18.一种处理多个衬底的方法，该方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，该方法还包括：
20.根据权利要求18或19所述的方法，其中，所述衬底膜和所述内反应管膜包含氧化物或氮化物。
...【技术特征摘要】
1.一种用于处理多个衬底的立式炉，包括：
2.根据权利要求1所述的立式炉，其中，所述内反应管由封闭顶端界定，并且其中，所述热分布构件设置在封闭顶端。
3.根据权利要求2所述的立式炉，其中，所述热分布构件设置在所述封闭顶端的表面部分。
4.根据权利要求3所述的立式炉，其中，所述封闭顶端的表面部分是封闭顶端的上表面，该上表面面向所述外反应管的内表面。
5.根据权利要求4所述的立式炉，其中，所述热分布构件被构造和布置成可容纳在所述封闭顶端的上表面上。
6.根据权利要求3所述的立式炉，其中，所述顶端的表面部分是封闭顶端的下表面，该下表面背离所述外反应管的内表面。
7.一种用于处理多个衬底的立式炉，包括：
8.根据权利要求7所述的立式炉，其中，所述热分布构件可释放地附接到所述顶板。
9.根据权利要求7或8所述的立式炉，其中，所述衬底载体包括至少两个杆，其中每个杆包括多个槽，并且其中衬底载体包括设置在最顶部槽的另一热分布构件。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的立式炉，其中，所述内反应管由开放顶端或封闭顶端界定。
11.根据权利要求10所述的立式炉，其中，所述内反应管由所述封闭顶端界定，并...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·帕鲁伊，K·侯本，T·G·M·奥斯特拉肯，H·特霍斯特，B·琼布罗德，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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