【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种位移测量装置，包括该位移测量装置的位移测量系统以及一种位移测量方法。
技术介绍
1、在现有技术中，线性磁阻位移测量系统通常包括一个线性磁阻(mr)传感器阵列和单个磁铁。单个磁铁能够相对于线性磁阻传感器阵列沿一个直线方向移动，线性磁阻传感器阵列中的多个磁阻传感器沿直线方向排成一行。
2、在现有技术中，单个磁铁在线性磁阻传感器阵列上方沿前述直线方向移动，实现位移测量。但是，当单个磁铁被移动到线性磁阻传感器阵列的前端或后端时，单个磁铁只与一个磁阻传感器相邻，此时仅有一个磁阻传感器参与位移测量计算，这会导致在单个磁铁被移动到线性磁阻传感器阵列的前端或后端时的位移测量精度不好，不能达到客户期望的测量精度要求。
3、此外，在现有技术中，当单个磁铁被移动到线性磁阻传感器阵列的前端和后端之间的中间位置时，单个磁铁只与两个磁阻传感器相邻，此时仅有两个磁阻传感器参与位移测量计算，这也会导致在单个磁铁被移动到线性磁阻传感器阵列的中间位置时的位移测量精度也不好，也不能达到客户期望的测量精度要求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。
2、根据本专利技术的一个方面，提供一种位移测量装置。所述位移测量装置包括：电路板和两个磁体。电路板包括线性磁感应阵列，线性磁感应阵列包括沿第一方向排成一行的多个磁感应传感器。两个磁体在所述第一方向上并排布置且邻近所述电路板。所述两个磁体的南极朝向相反的方向，并且所述两个磁
3、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，当所述两个磁体移动到所述电路板的前端和后端之间的中间位置时，位于所述两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器的数量至少为三个。
4、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，所述两个磁体之间的间距d2等于所述相邻两个磁感应传感器之间的间距d1的两倍，使得当所述两个磁体移动到所述电路板的前端或后端时，位于所述两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器的数量为两个或三个。
5、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，当所述两个磁体移动到所述电路板的前端和后端之间的中间位置时，位于所述两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器的数量为三个或四个。
6、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，所述两个磁体之间的间距d2等于所述相邻两个磁感应传感器之间的间距d1的三倍，使得当所述两个磁体移动到所述电路板的前端或后端时，位于所述两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器的数量为三个。
7、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，当所述两个磁体移动到所述电路板的前端和后端之间的中间位置时，位于所述两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器的数量为四个。
8、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，所述两个磁体之间的间距d2等于所述相邻两个磁感应传感器之间的间距d1的四倍，使得当所述两个磁体移动到所述电路板的前端或后端时，位于所述两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器的数量为三个。
9、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，当所述两个磁体被移动到所述电路板的前端和后端之间的中间位置时，位于所述两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器的数量为四个。
10、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，所述电路板沿所述第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向延伸；所述磁体为条状磁体，并且所述磁体的南极和北极在所述第二方向上相对。
11、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，所述磁感应传感器为用于检测磁场强度的磁阻传感器或霍尔传感器。
12、根据本专利技术的另一个方面，提供一种位移测量系统。所述位移测量系统包括：前述位移测量装置；信号采集单元，用于采集位于所述两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器所检测到的磁场强度信号；位置计算单元，用于根据采集到的磁场强度信号计算出所述两个磁体之间的中心对称点在所述第一方向上的当前位置；和位移计算单元，根据下面的公式计算所述两个磁体在所述第一方向上的位移量s，
13、s＝p1-p0
14、其中，
15、p1为计算出的所述两个磁体之间的中心对称点的当前位置p1，
16、p0为所述两个磁体之间的中心对称点的初始位置p0，该初始位置p0是已知的。
17、根据本专利技术的一个示例性的实施例，所述信号采集单元被集成到所述电路板上并经由所述电路板上的导电迹线电连接至所述多个磁感应传感器。
18、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，所述信号采集单元与所述电路板电连接并经由所述电路板上的导电迹线电连接至所述多个磁感应传感器。
19、根据本专利技术的另一个示例性的实施例，所述位置计算单元与所述信号采集单元通信连接，用于接收所述信号采集单元采集到的磁场强度信号；所述位移计算单元与所述位置计算单元通信连接，用于接收所述位置计算单元计算出的所述两个磁体之间的中心对称点的当前位置p1。
20、根据本专利技术的另一个方面，提供一种位移测量方法，包括以下步骤：
21、s10：提供前述位移测量系统；
22、s20：沿所述第一方向同步移动所述两个磁体；
23、s30：采集位于所述两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器所检测到的磁场强度信号；
24、s40：根据采集到的磁场强度信号计算所述两个磁体之间的中心对称点在所述第一方向上的当前位置；和
25、s50：根据计算出的所述两个磁体之间的中心对称点的当前位置p1和所述两个磁体之间的中心对称点的初始位置p0计算所述两个磁体在所述第一方向上的位移量s。
26、在根据本专利技术的前述各个实例性的实施例中，两个磁体之间的间距不小于相邻两个磁感应传感器之间的间距的两倍，使得当两个磁体被移动到线性磁感应传感器阵列的前端或后端时，位于两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器的数量至少为两个，从而增加了参与位移测量计算的磁感应传感器的数量，提高了位移测量精度。
27、在根据本专利技术的前述各个实例性的实施例中，两个磁体之间的间距不小于相邻两个磁感应传感器之间的间距的两倍，使得当两个磁体被移动到线性磁感应传感器阵列的两端之间的中间位置时，位于两个磁体的有效磁场强度区域中的磁感应传感器的数量至少为三个，从而增加了参与位移测量计算的磁感应传感器的数量，提高了位移测量精度。
28、通过下文中参照附图对本专利技术所作的描述，本专利技术的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本专利技术有全面的理解。
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1.一种位移测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的位移测量装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的位移测量装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的位移测量装置，其特征在于：
5.根据权利要求1或2所述的位移测量装置，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的位移测量装置，其特征在于：
7.根据权利要求1或2所述的位移测量装置，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的位移测量装置，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的位移测量装置，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的位移测量装置，其特征在于：
11.一种位移测量系统，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的位移测量系统，其特征在于：
13.根据权利要求11所述的位移测量系统，其特征在于：
14.根据权利要求11所述的位移测量系统，其特征在于：
15.一种位移测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种位移测量装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的位移测量装置，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的位移测量装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的位移测量装置，其特征在于：
5.根据权利要求1或2所述的位移测量装置，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的位移测量装置，其特征在于：
7.根据权利要求1或2所述的位移测量装置，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的位移...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾有军，杨峰，聂义，安文慧，
申请(专利权)人：精量电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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